TH49279A - อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว - Google Patents

อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว

Info

Publication number
TH49279A
TH49279A TH1003099A TH0001003099A TH49279A TH 49279 A TH49279 A TH 49279A TH 1003099 A TH1003099 A TH 1003099A TH 0001003099 A TH0001003099 A TH 0001003099A TH 49279 A TH49279 A TH 49279A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
semiconductor
photodetector
joint
divided
dividing
Prior art date
Application number
TH1003099A
Other languages
English (en)
Inventor
อาราอิ นายชิฮิโร
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH49279A publication Critical patent/TH49279A/th

Links

Abstract

DC60 (03/11/43) ในตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำ และมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งชนิดการ นำไฟฟ้าที่หนึ่งและส่วน กึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อมต่อกัน จะมีการ ทำบริเวณแบ่งไว้ ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่งในลักษณะ ที่ตัดข้ามส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและเข้าสู่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่สอง บางส่วน ทำให้บริเวณแบ่งแบ่งรอยต่อออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และเกิดบริเวณตรวจจับแสง ซึ่งมีส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งขึ้นจำนวนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันโน้มกลับที่น้อยกว่า หรือเท่ากับแรงดัน โน้มกลับที่เฉพาะเจาะจง ซึ่งจะจ่ายไปยัง ส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งเพื่อให้ตัวตรวจจับแสงปฏิบัติงาน ไป ยังส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่ง ชั้นเสื่อมสูญที่ เกิดขึ้นจากส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งสองส่วนซึ่งอยู่ทาง ด้าน ข้างทั้งสองของบริเวณแบ่งแต่ละบริเวณของส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งจำนวนดังกล่าวจะยื่นลงไป ใต้บริเวณแบ่งในส่วนกึ่งตัว นำที่สอง ทำให้สัมผัสกัน ด้วยการจัดรูปนี้ ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่และ ความไว้ในการรับแสงของตัวตรวจจับแสงจะดีขึ้น ในตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำ และมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งชนิดการ นำไฟฟ้าที่หนึ่งและส่วน กึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อมต่อกัน จะมีการ ทำบริเวณแบ่งไว้ ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่งในลักษณะ ที่ตัดข้ามส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและเข้าสู่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่สอง บางส่วน ทำให้บริเวณแบ่งรอยต่อออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และเกิดบริเวณตรวจจับแสง ซึ่งมีส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งขึ้นจำนวนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันโน้มกลับที่น้อยกว่า หรือเท่ากับแรงดัน โน้มกลับที่เฉพาะเจาะจง ซึ่งจะจ่ายไปยัง ส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งเพื่อให้ตัวตรวจจับแสงปฏิบัติงาน ไป ยังส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่ง ชั้นเสื่อมสูญที่ เกิดขึ้นจากส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งสองส่วนซึ่งอยู่ทาง ด้าน ข้างทั้งสองของบริเวณแบ่งแต่ละบริเวณของส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งจำนวนดังกล่าวจะยื่นลงไป ใต้บริเวณแบ่งในส่วนกึ่งตัว นำที่สอง ทำให้สัมผัสกัน ด้วยการจัดรูปนี้ ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่และ ความไว้ในการรับแสงของตัวตรวจจับแสงจะดีขึ้น

Claims (1)

1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย: ตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำ ตัวตรวจจับแสง ดังกล่าวมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่หนึ่งชนิดการนำไฟฟ้า ที่หนึ่งและส่วนกึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อม ต่อกัน ในกรณีที่ :- มีการทำบริเวณแบ่งไว้ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวส่วน หนึ่งในลักษณะที่ตัดข้ามส่วนกึ่ง ตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ทำ ให้บริเวณแบ่งดังกล่าวแบ่งรอยต่อดังกล่าวออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และก่อให้เกิดบริเวณตรวจจับแสงซึ่งมีส่วนของรอย ต่อที่ได้แบ่แท็ก :
TH1003099A 2000-08-17 อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว TH49279A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH49279A true TH49279A (th) 2002-02-07

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11283001B2 (en) Photodetector with superconductor nanowire transistor based on interlayer heat transfer
US5773831A (en) Patch coupled infrared photodetector
FR2788883B1 (fr) Dispositif a semiconducteur ayant une structure silicium sur isolant
WO2004053941A3 (en) Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission
EP1453098A4 (en) LIGHT DETECTION DEVICE, IMAGE FORMING DEVICE, AND REMOTE IMAGE ACQUISITION DEVICE
FR2434485A1 (fr) Configuration de contact enfoui pour circuits integres cmos/sos
DE60311009D1 (de) Eingabevorrichtung
KR950021462A (ko) 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법
RU96119670A (ru) Лавинный фотодиод
CA2223548A1 (fr) Detecteur d'ondes electromagnetiques bispectral
TH49279A (th) อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว
WO1999022368A3 (en) Magnetic field sensor comprising a spin-tunnel junction
US5315104A (en) Photodiode photodetector with adjustable active area
EP1160878A4 (en) SEMICONDUCTOR POSITION DETECTOR AND AREA DETECTOR USING THIS
UA55555C2 (uk) Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям
EP1115161A4 (en) SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR
KR970004850B1 (ko) 광위치검출 반도체장치
RU96119669A (ru) Лавинный детектор
JP2831616B2 (ja) 高温超伝導体を使用する静電気放電保護方法および装置
JP2898960B2 (ja) 凍結波高速受信機
GB2394598A (en) Reducing the number of stray charge carriers within an optical waveguide
JPS61276258A (ja) 光・電気集積化素子
JP3794606B2 (ja) 受光素子用接合容量
SE9602408L (sv) Halvledaranordning innefattande ett passiveringsskikt
JPH02205079A (ja) 回路内蔵受光素子