TH49279A - อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว - Google Patents
อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าวInfo
- Publication number
- TH49279A TH49279A TH1003099A TH0001003099A TH49279A TH 49279 A TH49279 A TH 49279A TH 1003099 A TH1003099 A TH 1003099A TH 0001003099 A TH0001003099 A TH 0001003099A TH 49279 A TH49279 A TH 49279A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semiconductor
- photodetector
- joint
- divided
- dividing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (03/11/43) ในตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำ และมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งชนิดการ นำไฟฟ้าที่หนึ่งและส่วน กึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อมต่อกัน จะมีการ ทำบริเวณแบ่งไว้ ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่งในลักษณะ ที่ตัดข้ามส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและเข้าสู่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่สอง บางส่วน ทำให้บริเวณแบ่งแบ่งรอยต่อออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และเกิดบริเวณตรวจจับแสง ซึ่งมีส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งขึ้นจำนวนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันโน้มกลับที่น้อยกว่า หรือเท่ากับแรงดัน โน้มกลับที่เฉพาะเจาะจง ซึ่งจะจ่ายไปยัง ส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งเพื่อให้ตัวตรวจจับแสงปฏิบัติงาน ไป ยังส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่ง ชั้นเสื่อมสูญที่ เกิดขึ้นจากส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งสองส่วนซึ่งอยู่ทาง ด้าน ข้างทั้งสองของบริเวณแบ่งแต่ละบริเวณของส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งจำนวนดังกล่าวจะยื่นลงไป ใต้บริเวณแบ่งในส่วนกึ่งตัว นำที่สอง ทำให้สัมผัสกัน ด้วยการจัดรูปนี้ ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่และ ความไว้ในการรับแสงของตัวตรวจจับแสงจะดีขึ้น ในตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้ในอุปกรณ์กึ่งตัวนำ และมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งชนิดการ นำไฟฟ้าที่หนึ่งและส่วน กึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อมต่อกัน จะมีการ ทำบริเวณแบ่งไว้ ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งส่วนหนึ่งในลักษณะ ที่ตัดข้ามส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งและเข้าสู่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่สอง บางส่วน ทำให้บริเวณแบ่งรอยต่อออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และเกิดบริเวณตรวจจับแสง ซึ่งมีส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งขึ้นจำนวนหนึ่ง เมื่อจ่ายแรงดันโน้มกลับที่น้อยกว่า หรือเท่ากับแรงดัน โน้มกลับที่เฉพาะเจาะจง ซึ่งจะจ่ายไปยัง ส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งเพื่อให้ตัวตรวจจับแสงปฏิบัติงาน ไป ยังส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่ง ชั้นเสื่อมสูญที่ เกิดขึ้นจากส่วนของรอยต่อที่ได้แบ่งสองส่วนซึ่งอยู่ทาง ด้าน ข้างทั้งสองของบริเวณแบ่งแต่ละบริเวณของส่วนของรอยต่อที่ ได้แบ่งจำนวนดังกล่าวจะยื่นลงไป ใต้บริเวณแบ่งในส่วนกึ่งตัว นำที่สอง ทำให้สัมผัสกัน ด้วยการจัดรูปนี้ ลักษณะเฉพาะทาง ความถี่และ ความไว้ในการรับแสงของตัวตรวจจับแสงจะดีขึ้น
Claims (1)
1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย: ตัวตรวจจับแสงซึ่งทำไว้บนชั้นรองกึ่งตัวนำ ตัวตรวจจับแสง ดังกล่าวมีรอยต่อที่ส่วนกึ่งตัวนำ ที่หนึ่งชนิดการนำไฟฟ้า ที่หนึ่งและส่วนกึ่งตัวนำที่สองชนิดการนำไฟฟ้าที่สองเชื่อม ต่อกัน ในกรณีที่ :- มีการทำบริเวณแบ่งไว้ในส่วนกึ่งตัวนำที่หนึ่งดังกล่าวส่วน หนึ่งในลักษณะที่ตัดข้ามส่วนกึ่ง ตัวนำที่หนึ่งดังกล่าว ทำ ให้บริเวณแบ่งดังกล่าวแบ่งรอยต่อดังกล่าวออกเป็นส่วนต่าง ๆ จำนวนหนึ่ง และก่อให้เกิดบริเวณตรวจจับแสงซึ่งมีส่วนของรอย ต่อที่ได้แบ่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH49279A true TH49279A (th) | 2002-02-07 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11283001B2 (en) | Photodetector with superconductor nanowire transistor based on interlayer heat transfer | |
| US5773831A (en) | Patch coupled infrared photodetector | |
| FR2788883B1 (fr) | Dispositif a semiconducteur ayant une structure silicium sur isolant | |
| WO2004053941A3 (en) | Optoelectronic devices employing fibers for light collection and emission | |
| EP1453098A4 (en) | LIGHT DETECTION DEVICE, IMAGE FORMING DEVICE, AND REMOTE IMAGE ACQUISITION DEVICE | |
| FR2434485A1 (fr) | Configuration de contact enfoui pour circuits integres cmos/sos | |
| DE60311009D1 (de) | Eingabevorrichtung | |
| KR950021462A (ko) | 온도 검출 회로를 갖는 반도체 집적 장치 및 그 동작 방법 | |
| RU96119670A (ru) | Лавинный фотодиод | |
| CA2223548A1 (fr) | Detecteur d'ondes electromagnetiques bispectral | |
| TH49279A (th) | อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีตัวตรวจจับแสงและระบบรับแสง ซึ่งใช้อุปกรณ์ดังกล่าว | |
| WO1999022368A3 (en) | Magnetic field sensor comprising a spin-tunnel junction | |
| US5315104A (en) | Photodiode photodetector with adjustable active area | |
| EP1160878A4 (en) | SEMICONDUCTOR POSITION DETECTOR AND AREA DETECTOR USING THIS | |
| UA55555C2 (uk) | Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям | |
| EP1115161A4 (en) | SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR | |
| KR970004850B1 (ko) | 광위치검출 반도체장치 | |
| RU96119669A (ru) | Лавинный детектор | |
| JP2831616B2 (ja) | 高温超伝導体を使用する静電気放電保護方法および装置 | |
| JP2898960B2 (ja) | 凍結波高速受信機 | |
| GB2394598A (en) | Reducing the number of stray charge carriers within an optical waveguide | |
| JPS61276258A (ja) | 光・電気集積化素子 | |
| JP3794606B2 (ja) | 受光素子用接合容量 | |
| SE9602408L (sv) | Halvledaranordning innefattande ett passiveringsskikt | |
| JPH02205079A (ja) | 回路内蔵受光素子 |