TH47571A - การปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับติดฝาครอบเพื่อการยึดติดที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น - Google Patents
การปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับติดฝาครอบเพื่อการยึดติดที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นInfo
- Publication number
- TH47571A TH47571A TH1002245A TH0001002245A TH47571A TH 47571 A TH47571 A TH 47571A TH 1002245 A TH1002245 A TH 1002245A TH 0001002245 A TH0001002245 A TH 0001002245A TH 47571 A TH47571 A TH 47571A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- incorporated
- mineral
- substances
- metal
- adhesives
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims abstract 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- -1 Silicon carbide Chemical compound Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (31/07/43) โครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ที่สามารถประสานเข้ากับชุดประกอบสำเร็จของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ อย่าง เช่น ชิปได้ โครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวอาจได้รับการ เชื่อมต่อเข้ากับชุดประกอบสำเร็จ ของชิ้นส่วนทาง อิเล็กทรอนิกส์ อย่างเช่น ชิปโดยการใช้สารยึดติด โครงสร้างที่เป็นอีพอกซี โครงสร้าง ทางอิเล็กทรอนิกส์ ดังกล่าวจะรวมเข้าไว้ด้วยระดับชั้นที่เป็นแร่บนแผ่น เพลตโลหะและตัวช่วยส่งเสริม การยึดติดบนระดับชั้นที่ เป็นแร่ แผ่นเพลตโลหะดังกล่าวรวมเข้าไว้ด้วยสารที่ เป็นโลหะที่รวมเข้าไว้ ด้วยโลหะบริสุทธิ์ที่มีหรือไม่มี สารเคลือบที่เป็นโลหะ สารที่เป็นโลหะอาจรวมเข้าไว้ ด้วยสารต่างๆ อย่างเช่น เหล็กกล้าไร้สนิม, อลูมินัม, ไททาเนียม, ทองแดง, ทองแดงเคลือบด้วยนิกเกิลและ ทองแดงที่ เคลือบด้วยโครม ระดับชั้นที่เป็นแร่จะรวมเข้า ไว้ด้วยสารประกอบทางเคมีที่ได้มาจากแร่ ตัวอย่างเช่น ซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) ที่ได้มาจากควอตซ์ บรรดา สารประกอบทางเคมีเช่นนี้อาจรวมเข้าไว้ด้วย สารต่างๆ อย่างเช่น ซิลิคอนไดออกไซด์, ซิลิคอนไนไตรด์และ ซิลิคอนคาร์ไบด์ สารประกอบทางเคมี อาจปรากฏอยู่ใน รูปที่เป็นผลึกหรือไม่มีรูปทรงที่แน่นอน ตัวช่วยส่งเสริม การยึดติดอาจรวมเข้าไว้ด้วย สารเคมีต่างๆ อย่างเช่น ไซเลน, ไททาเนต, เซอร์โคเนตและอลูมิเนต โครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ที่สามารถประสานเข้ากับชุดประกอบสำเร็จของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ อย่าง เช่น ชิปได้ โครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวอาจได้รับการ เชื่อมต่อเข้ากับชุดประกอบสำเร็จ ของชิ้นส่วนทาง อิเล็กทรอนิกส์ อย่างเช่น ชิปโดยการใช้สารยึดติด โครงสร้างที่เป็นอีพอกซี โครงสร้าง ทางอิเล็กทรอนิกส์ ดังกล่าวจะรวมเข้าไว้ด้วยระดับชั้นที่เป็นแร่บนแผ่น เพลตโลหะและตัวช่วยส่งเสริม การยึดติดบนระดับชั้นที่ เป็นแร่ แผ่นเพลตโลหะดังกล่าวรวมเข้าไว้ด้วยสารที่ เป็นโลหะที่รวมเข้าไว้ ด้วยโลหะบริสุทธิ์ที่มีหรือไม่มี สารเคลือบที่เป็นโลหะ สารที่เป็นโลหะอาจรวมเข้าไว้ ด้วยสารต่างๆ อย่างเช่น เหล็กกล้าไร้สนิม,อลูมินัม, ไททาเนียม,ทองแดง,ทองแดงเคลือบด้วยนิกเกิลและ ทองแดงที่ เคลือบด้วยโครม ระดับชั้นที่เป็นแร่จะรวมเข้า ไว้ด้วยสารประกอบทางเคมีที่ได้มาจากแร่ ตัวอย่างเช่น ซิลิคอนไดออกไซด์(SIO2)ที่ได้มาจากควอตซ์ บรรดา สารประกอบทางเคมีเช่นนี้อาจรวมเข้าไว้ด้วย สารต่างๆ อย่างเช่น ซิลิคอนไดออกไซด์, ซิลิคอนไนไตรด์และ ซิลิคอนคาร์ไบด์ สารประกอบทางเคมี อาจปรากฎอยู่ใน รูปที่เป็นผลึกหรือไม่มีรูปทรงที่แน่นอน ตัวช่วยส่งเสริม การยึดติดอาจรวมเข้าไว้ด้วย สารเคมีต่างๆ อย่างเช่น ไซเลน,ไททาเลต,เซอร์โคเนตและอลูมิเนต
Claims (3)
1. โครงสร้างทางอิเล็กทรอนิกส์ที่ประกอบด้วย -แผ่นเพลตโลหะ, -ระดับที่เป็นแร่ที่ถูกประสานเข้ากับ แผ่นเพลตโลหะและ -ระดับของตัวช่วยส่งเสริมการยึดติดที่ถูกประสานเข้า กับระดับชั้นที่เป็นแร่ดังกล่าว
2. โครงสร้างของข้อถือสิทธิที่ 1 โดยทีระดับชั้นทีเป็นแร่ รวมเข้าไว้ด้วยแร่ที่ถูกเลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอลด้วย ซิลิคอนไดออกไซด์,ซิลิคอนไนไตรด์และซิลิคอนคาร์ไบด์
3. โครงสร้างของข้อถือสิทแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH47571A true TH47571A (th) | 2001-10-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2775696B1 (fr) | Substrat a revetement photocatalytique | |
| DE60236241D1 (de) | Karbidoberflächenbeschichtete Metallegierung für Schneidwerkzeug | |
| EP0906965A3 (en) | Silicon nitride from bis (tertiarybutylamino) silane | |
| EP2278612A3 (en) | Material composed of organosilane or organosiloxane compound for insulating film, its production method and semiconductor device | |
| ATE456985T1 (de) | Korrosionsbeständiges bauteil für anlage zur behandlung von halbleitern und verfahren zu seiner herstellung | |
| BR0318290A (pt) | proteção de corrosão sobre metais | |
| WO2005050714A3 (en) | High temperature electronic devices | |
| AU2002337310A1 (en) | Improved precursors for chemical vapour deposition | |
| DE502007005172D1 (de) | Nitridhalbleiter-bauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
| TW516141B (en) | Semiconductor device | |
| ES2010234A6 (es) | Revestimientos ceramicos, procedimiento para su produccion y dispositivos electronicos asi revestidos. | |
| TW200507193A (en) | Adhesive sheet for dicing and die bonding and method of manufacturing semiconductor device | |
| EP1677346A3 (en) | Machining substrates, particularly semiconductor wafers | |
| EP1445860A3 (en) | Piezoelectric devices mounted on integrated circuit chip | |
| ID24485A (id) | Komposisi lapisan berdasarkan silana mengandung gugus epoksi | |
| EP1491655A3 (en) | Stabilizers to inhibit the polymerization of substituted cyclotetrasiloxane | |
| WO2002095815A3 (en) | Time-based semiconductor material attachment | |
| EP1237397A3 (en) | Insulating substrate boards for semiconductor and power modules | |
| CA2416093A1 (en) | Vapour deposition | |
| TH47571A (th) | การปรับเปลี่ยนพื้นผิวสำหรับติดฝาครอบเพื่อการยึดติดที่ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น | |
| ID24302A (id) | Komposisi pelapis berdasarkan pada silan mengandung-gugus epoksi | |
| JPH10270540A (ja) | 静電チャックデバイスおよび静電チャック用基台 | |
| WO2004023529A3 (de) | Vorrichtung und verfahren zum thermischen behandeln von halbleiterwafern | |
| AU2003217412A8 (en) | Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide | |
| SG103264A1 (en) | Cap attach surface modification for improved adhesion |