TH44110A - ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ คลื่นความถี่วิทยุ (rfid) และวิธีการ - Google Patents

ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ คลื่นความถี่วิทยุ (rfid) และวิธีการ

Info

Publication number
TH44110A
TH44110A TH9901004815A TH9901004815A TH44110A TH 44110 A TH44110 A TH 44110A TH 9901004815 A TH9901004815 A TH 9901004815A TH 9901004815 A TH9901004815 A TH 9901004815A TH 44110 A TH44110 A TH 44110A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
circuit
terminal
coupled
bias
rfid
Prior art date
Application number
TH9901004815A
Other languages
English (en)
Other versions
TH44110A3 (th
Inventor
สมิต นายวิลอิม
Original Assignee
ไมโครชิพ เทคโนโลยี อินคอร์ปอเรเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by ไมโครชิพ เทคโนโลยี อินคอร์ปอเรเต็ด filed Critical ไมโครชิพ เทคโนโลยี อินคอร์ปอเรเต็ด
Publication of TH44110A3 publication Critical patent/TH44110A3/th
Publication of TH44110A publication Critical patent/TH44110A/th

Links

Abstract

DC60 (07/08/43) ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่มขนาดคลื่น แม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุมปฏิบัติ การของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูกประกบอยู่ ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดังกล่าวสำหรับ รับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และสำหรับ ให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่ง ส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ดัง กล่าวจะใช้ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่มขนาดคลื่น แม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุมปฏิบัติ การของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูกประกบอยู่ ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดังกล่าวสำหรับ รับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และสำหรับ ให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่ง ส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ดัง กล่าวจะใช้ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว

Claims (20)

1. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่มขนาด คลื่นแม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุม ปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูก ประกบอยู่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดัง กล่าวสำหรับรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และสำหรับให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดัง กล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ ดังกล่าวจะใช้ ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว
2. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง วงจรขยายดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแส และ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับ แหล่งกำเนิดกระแสดังกล่าว มีขั้นต่อที่สองที่ถูกประกบกับวง จรเรโซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สามที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อลงดิน
3. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 2 ซึ่งวง จรขยายดังกล่าว ยังคงประกอบด้วย องค์ประกอบสำหรับขยายที่ ปรับได้ ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับขั้วต่อที่สาม ดังกล่าว ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีขั้วต่อที่ สองที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน และ วงจรควบคุมอัตราขยาย อัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้า ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และส่วน สัญญาณออก ที่ถูกประกบกับองค์ ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดัง กล่าว
4. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่ง องค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าวจะ เป็นตัวต้านทาน ที่ควบคุมโดยกระแส
5. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่ง องค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าวจะ เป็นตัวต้านทาน ที่ควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้า
6. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งวง จรไบแอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ ทรานซิสเตอร์ที่สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบ กับแหล่งกำเนิดกระแสไบแอส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สองที่ถูก ประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อที่หนึ่ง ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน
7. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งวง จรเรโซแนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วย องค์ประกอบที่เหนี่ยวนำ และ องค์ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ประกอบที่ เหนี่ยวนำดังกล่าว
8. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง ยังคงประกอบด้วย ตัวต้านทานที่ถูกประกบกับ 9. วงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าวสำหรับ เพิ่มพิสัยพลวัต ของภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดย ไม่มีอิทธิพลต่อการไบแอส DC ของวงจร ขยายดังกล่าว
9. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่ม ขนาด คลื่นแม่เหล็กของสัญญาณเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุม ปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูก ประกบอยู่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดัง กล่าวเพื่อรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และเพื่อให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ ดังกล่าวจะถูกใช้ใน การไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว ซึ่งวงจรขยายดังกล่าวจะ ประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแส และ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิดกระแสดัง กล่าว มี ขั้วต่อที่สองที่ถูกประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อลงดิน ซึ่งวงจรไบ แอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ ทรานซิสเตอร์ที่สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับ แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สอง ที่ถูก ประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อที่หนึ่ง ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน
10. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วย องค์ประกอบที่ เหนี่ยวนำ และ องค์ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ ประกอบที่เหนี่ยวนำดังกล่าว
11. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งวงจรขยายดังกล่าว ยังคงประกอบด้วย องค์ประกอบสำหรับ ขยายที่ปรับได้ ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อที่สาม ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมี ขั้วต่อที่สองที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน และ วงจรควบคุม อัตราขยายอัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้าที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าว ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีส่วนสัญญาณออกที่ถูกประกบกับ องค์ประกอบสำหรับขยายที่ ปรับได้ดังกล่าว
12. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าว จะ เป็นตัวต้าน ทานที่ควบคุมโดยกระแส
13. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าว จะ เป็นตัวต้าน ทานที่ควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้า
14. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ตัวต้านทาน ที่ถูกประกบกับ วงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว สำหรับเพิ่มพิสัยพล วัตของภาคนำ เข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดยไม่มีอิทธิพล ต่อการไบแอส DC ของวงจรขยายดังกล่าว
15. วิธีการจัดให้มีภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับ เครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ความถี่วิทยุ (RFID)ที่ ประกอบด้วย ขั้นตอน ต่อไปนี้ : จัดให้มีวงจรขยายสำหรับ เพิ่มขนาดคลื่นแม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า จัดให้มีวงจรไบแอส DC สำหรับควบคุมปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ จัดให้มี วงจรเรโซแนนต์ที่ถูกประกบอยุ่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรไบ แอส DC ดังกล่าว เพื่อรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดย สนามแม่เหล็กไฟฟ้า และเพื่อให้ กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไป ยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซ แนนต์ ดังกล่าวจะถูกใช้ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว
16. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรขยาย ดังกล่าว ยังคงประกอบด้วยขั้นตอน ต่อ ไปนี้ จัดให้มีแหล่งกำเนิดกระแส และ จัดให้มีทรานซิสเตอร์ ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิด กระแส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สอง ที่ถูกประกบกับวงจรเร โซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูก ประกบกับ ขั้ว ต่อลงดิน
17. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 16 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรขยาย ดังกล่าว ยังคงประกอบด้วยขั้นตอน ต่อ ไปนี้ จัดให้มีองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ ซึ่งมีขั้ว ต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อ ที่สามดังกล่าวของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สองที่ถูก ประกบกับขั้วต่อลง ดิน และ จัดให้มีวงจรควบคุมอัตราขยาย อัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้า ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีส่วน สัญญาณออก ที่ถูก ประกบกับองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ ดังกล่าว
18. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรไบแอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอนการ จัดให้มีแหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ จัดให้มีทรานซิสเตอร์ที่ สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิด กระแส ไบแอสดังกล่าว, ขั้วต่อที่สอง ที่ถูกประกบกับวงจรเร โซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อ ที่หนึ่งดังกล่าวของ ทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูก ประกบกับขั้วต่อลง ดิน
19. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรเรโซ แนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอน ต่อไปนี้ จัดให้มีองค์ประกอบที่เหนี่ยวนำ และ จัดให้มีองค์ ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ประกอบที่เหนี่ยว นำ ดังกล่าว
20. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ขั้นตอนการจัดให้มีตัว ต้านทานที่ถูกประกบกับวงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว สำหรับ เพิ่มพิสัยพลวัต ของภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดยไม่มีอิทธิพลต่อ การไบแอส DC ของวงจรขยายดังกล่าว
TH9901004815A 1999-12-21 ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ คลื่นความถี่วิทยุ (rfid) และวิธีการ TH44110A (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH44110A3 TH44110A3 (th) 2001-04-02
TH44110A true TH44110A (th) 2001-04-02

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20010045867A1 (en) Microwave amplifier
WO2002031969A3 (en) Linear power amplifier bias circuit
EP1191683A3 (en) High frequency power amplifier module and wireless communication apparatus
ATE468658T1 (de) Hochfrequenzverstärkerschaltung mit unabhängiger steuerung von ruhestrom und vorspannungsimpedanz
US7710197B2 (en) Low offset envelope detector and method of use
CA2069990A1 (en) Rf power amplifier
BR0115061A (pt) Circuito para linearizar dispositivos eletrônicos
KR101768361B1 (ko) 트랜스포머를 이용하여 이득을 증가시키는 rf 증폭기
DE60037625D1 (de) Eine integrierte Schaltung mit selbstpolarisierendem HF-Signalanschluss
US7274206B2 (en) Output power detection circuit
GB2631363A8 (en) Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers
ATE292857T1 (de) Hochfrequenzverstärkerschaltung mit annulierung einer negativen impedanz
CN109391236B (zh) 一种信号放大电路及毫米波信号放大电路
Memioglu et al. A high linearity broadband gain block/lna mmic with diode predistortion in gaas phemt technology
Colangeli et al. Three‐stage GaN‐on‐SiC medium‐power LNA exploiting a current‐reuse architecture
US6714082B2 (en) Semiconductor amplifier circuit
EP0282350A3 (en) High frequency power amplifier having heterojunction bipolar transistor
KR100789375B1 (ko) 초광대역 저잡음 증폭 장치
KR910015107A (ko) 증폭동작이 안정한 고주파 증폭기
KR880010560A (ko) 증폭기
KR100392208B1 (ko) 무선 주파수 전력 증폭기용 바이어싱 회로
JPH0236142Y2 (th)
JPS5640309A (en) Extra-high frequency transistor amplifying unit
WO2012075047A1 (en) Bias point setting for third order linearity optimization of class a amplifier
JPS5546672A (en) Transistor amplifier circuit