Claims (20)
1. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่มขนาด คลื่นแม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุม ปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูก ประกบอยู่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดัง กล่าวสำหรับรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และสำหรับให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดัง กล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ ดังกล่าวจะใช้ ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว1. High-gain input section for Radio Frequency Identification (RFID) repeater, consisting of the following components in a hybrid configuration: an amplifier circuit to increase the amplitude of the input signal's electromagnetic field; a DC bias circuit to control the operation of the amplifier; and a resonant circuit sandwiched between the amplifier and the DC bias circuit to receive the signal generated by the electromagnetic field and to generate the input signal for the amplifier. The inductive portion of the resonant circuit is used for DC biasing the amplifier.
2. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง วงจรขยายดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแส และ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับ แหล่งกำเนิดกระแสดังกล่าว มีขั้นต่อที่สองที่ถูกประกบกับวง จรเรโซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สามที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อลงดิน2. High-gain input for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater as per claim 1, whereby the amplification circuit shall consist of a current source and a first transistor whose first junction is coupled to the current source, a second junction coupled to the resonant circuit, and a third junction coupled to the ground.
3. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 2 ซึ่งวง จรขยายดังกล่าว ยังคงประกอบด้วย องค์ประกอบสำหรับขยายที่ ปรับได้ ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับขั้วต่อที่สาม ดังกล่าว ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีขั้วต่อที่ สองที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน และ วงจรควบคุมอัตราขยาย อัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้า ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และส่วน สัญญาณออก ที่ถูกประกบกับองค์ ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดัง กล่าว3. A high-gain input section for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater as per claim 2, whereby such amplification circuit shall still consist of an adjustable amplification element whose first terminal is coupled to the aforementioned third terminal of the first transistor and whose second terminal is coupled to the ground terminal, and an auto-gain control circuit whose input section is coupled to the aforementioned adjustable amplification element.
4. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่ง องค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าวจะ เป็นตัวต้านทาน ที่ควบคุมโดยกระแส4. High-gain input for Radio Frequency Identification (RFID) repeaters under Claim 3, where the adjustable amplification element shall be a current-controlled resistor.
5. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 3 ซึ่ง องค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าวจะ เป็นตัวต้านทาน ที่ควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้า5. High-gain input for Radio Frequency Identification (RFID) repeaters under Claim 3, whereby the adjustable amplification element shall be a voltage-controlled resistor.
6. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงสำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งวง จรไบแอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ ทรานซิสเตอร์ที่สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบ กับแหล่งกำเนิดกระแสไบแอส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สองที่ถูก ประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อที่หนึ่ง ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน6. A high-gain input for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater under Claim 1, where the DC bias circuit shall consist of a bias current source and a second transistor whose first terminal is coupled to the said bias current source, whose second terminal is coupled to the said resonant circuit and to the said first terminal of the said second transistor, and whose third terminal is coupled to the ground terminal.
7. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งวง จรเรโซแนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วย องค์ประกอบที่เหนี่ยวนำ และ องค์ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ประกอบที่ เหนี่ยวนำดังกล่าว7. A high-gain input for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater under Claim 1, in which such resonant circuit shall consist of an inductive element and a capacitive element connected in parallel with the inductive element.
8. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง ยังคงประกอบด้วย ตัวต้านทานที่ถูกประกบกับ 9. วงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าวสำหรับ เพิ่มพิสัยพลวัต ของภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดย ไม่มีอิทธิพลต่อการไบแอส DC ของวงจร ขยายดังกล่าว8. A high-gain input for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater under claim 1, which still includes a resistor coupled with 9. the aforementioned DC bias circuit and the aforementioned resonant circuit to increase the dynamic range of the high-gain input without affecting the DC bias of the amplifier circuit.
9. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อ ไปนี้ ในลักษณะที่เป็นลูกผสม วงจรขยาย สำหรับเพิ่ม ขนาด คลื่นแม่เหล็กของสัญญาณเข้า วงจรไบแอส DCสำหรับควบคุม ปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรเรโซแนนต์ที่ถูก ประกบอยู่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และวงจรไบแอส DC ดัง กล่าวเพื่อรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดยสนามแม่เหล็กไฟฟ้า และเพื่อให้กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไปยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซแนนต์ ดังกล่าวจะถูกใช้ใน การไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว ซึ่งวงจรขยายดังกล่าวจะ ประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแส และ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิดกระแสดัง กล่าว มี ขั้วต่อที่สองที่ถูกประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อลงดิน ซึ่งวงจรไบ แอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วย แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ ทรานซิสเตอร์ที่สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับ แหล่งกำเนิดกระแสไบแอส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สอง ที่ถูก ประกบกับวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อที่หนึ่ง ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน9. High-gain input section for Radio Frequency Identification (RFID) repeater, consisting of the following components in a hybrid configuration: an amplifier circuit to increase the amplitude of the input electromagnetic field; a DC bias circuit to control the operation of the amplifier; and a resonant circuit sandwiched between the amplifier and the DC bias circuit to receive the signal generated by the electromagnetic field and to generate the input signal for the amplifier. The inductive portion of the resonant circuit is used for DC biasing the amplifier. The amplifier consists of a current source and a first transistor, with its first terminal sandwiched to the current source, its second terminal sandwiched to the resonant circuit, and its third terminal sandwiched to ground. The DC bias circuit consists of a bias current source and a second transistor, with its first terminal sandwiched to the bias current source, its second terminal sandwiched to the resonant circuit and its first terminal, and its third terminal sandwiched to ground.
10. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วย องค์ประกอบที่ เหนี่ยวนำ และ องค์ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ ประกอบที่เหนี่ยวนำดังกล่าว10. High-gain input for radio frequency identification (RFID) repeaters under claim 9, where the resonant circuit consists of an inductive element and a capacitive element connected in parallel with the inductive element.
11. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งวงจรขยายดังกล่าว ยังคงประกอบด้วย องค์ประกอบสำหรับ ขยายที่ปรับได้ ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับขั้ว ต่อที่สาม ดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมี ขั้วต่อที่สองที่ถูกประกบกับขั้วต่อลงดิน และ วงจรควบคุม อัตราขยายอัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้าที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าว ของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีส่วนสัญญาณออกที่ถูกประกบกับ องค์ประกอบสำหรับขยายที่ ปรับได้ดังกล่าว11. High-gain input section for radio frequency identification (RFID) repeater as per claim 9, which includes an adjustable amplification element whose first terminal is coupled to the third terminal of the first transistor and whose second terminal is coupled to the ground terminal, and an auto-gain control circuit whose input section is coupled to the first terminal of the first transistor and whose output section is coupled to the adjustable amplification element.
12. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าว จะ เป็นตัวต้าน ทานที่ควบคุมโดยกระแส12. High-gain input for radio frequency identification (RFID) repeaters under claim 11, whereby such adjustable amplification component shall be a current-controlled resistor.
13. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ดังกล่าว จะ เป็นตัวต้าน ทานที่ควบคุมโดยแรงดันไฟฟ้า13. High-gain input for radio frequency identification (RFID) repeaters under claim 11, whereby such adjustable amplification component shall be a voltage-controlled resistor.
14. ภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับเครื่องทวนสัญญาณ การแสดงเอกลักษณ์ ความถี่วิทยุ (RFID) ตามข้อถือสิทธิ 9 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ตัวต้านทาน ที่ถูกประกบกับ วงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว สำหรับเพิ่มพิสัยพล วัตของภาคนำ เข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดยไม่มีอิทธิพล ต่อการไบแอส DC ของวงจรขยายดังกล่าว14. A high-gain input section for a radio frequency identification (RFID) repeater under claim 9, which still includes a resistor coupled to the aforementioned DC bias circuit and resonant circuit to increase the dynamic range of the high-gain input section without influencing the DC bias of the amplifier circuit.
15. วิธีการจัดให้มีภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูง สำหรับ เครื่องทวนสัญญาณการ แสดงเอกลักษณ์ความถี่วิทยุ (RFID)ที่ ประกอบด้วย ขั้นตอน ต่อไปนี้ : จัดให้มีวงจรขยายสำหรับ เพิ่มขนาดคลื่นแม่เหล็กของสัญญาณนำเข้า จัดให้มีวงจรไบแอส DC สำหรับควบคุมปฏิบัติการของวงจรขยายดังกล่าว และ จัดให้มี วงจรเรโซแนนต์ที่ถูกประกบอยุ่ระหว่างวงจรขยายดังกล่าว และ วงจรไบ แอส DC ดังกล่าว เพื่อรับสัญญาณที่ถูกให้กำเนิดโดย สนามแม่เหล็กไฟฟ้า และเพื่อให้ กำเนิด สัญญาณเข้าดังกล่าวไป ยังวงจรขยายดังกล่าว ซึ่งส่วนที่เหนี่ยวนำของวงจรเรโซ แนนต์ ดังกล่าวจะถูกใช้ในการไบแอส DC วงจรขยายดังกล่าว15. A method for providing a high-gain input for a Radio Frequency Identification (RFID) repeater consists of the following steps: An amplification circuit is provided to increase the magnetic field amplitude of the input signal. A DC bias circuit is provided to control the operation of the amplification circuit. A resonant circuit is sandwiched between the amplification circuit and the DC bias circuit to receive the signal generated by the electromagnetic field and to generate the input signal for the amplification circuit. The inductive portion of the resonant circuit is used to DC bias the amplification circuit.
16. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรขยาย ดังกล่าว ยังคงประกอบด้วยขั้นตอน ต่อ ไปนี้ จัดให้มีแหล่งกำเนิดกระแส และ จัดให้มีทรานซิสเตอร์ ที่หนึ่ง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่งที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิด กระแส ดังกล่าว มีขั้วต่อที่สอง ที่ถูกประกบกับวงจรเร โซแนนต์ดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูก ประกบกับ ขั้ว ต่อลงดิน16. The method as specified in Claim 15, in which the procedure for providing the aforementioned amplification circuit is provided, still consists of the following steps: providing a current source and providing a first transistor with its first terminal connected to the current source, its second terminal connected to the resonant circuit, and its third terminal connected to the ground.
17. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 16 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรขยาย ดังกล่าว ยังคงประกอบด้วยขั้นตอน ต่อ ไปนี้ จัดให้มีองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ ซึ่งมีขั้ว ต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อ ที่สามดังกล่าวของ ทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สองที่ถูก ประกบกับขั้วต่อลง ดิน และ จัดให้มีวงจรควบคุมอัตราขยาย อัตโนมัติ ซึ่งมีส่วนสัญญาณเข้า ที่ถูกประกบกับ ขั้วต่อที่ หนึ่งดังกล่าวของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งดังกล่าว และมีส่วน สัญญาณออก ที่ถูก ประกบกับองค์ประกอบสำหรับขยายที่ปรับได้ ดังกล่าว17. The method specified in claim 16, in which the procedure for providing the said amplification circuit still consists of the following steps: providing an adjustable amplification element whose first terminal is coupled to the aforementioned third terminal of the first transistor and whose second terminal is coupled to the ground terminal; and providing an automatic gain control circuit whose input signal portion is coupled to the aforementioned first terminal of the first transistor and whose output signal portion is coupled to the said adjustable amplification element.
18. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรไบแอส DC ดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอนการ จัดให้มีแหล่งกำเนิดกระแสไบแอส และ จัดให้มีทรานซิสเตอร์ที่ สอง ซึ่งมีขั้วต่อที่หนึ่ง ที่ถูกประกบกับแหล่งกำเนิด กระแส ไบแอสดังกล่าว, ขั้วต่อที่สอง ที่ถูกประกบกับวงจรเร โซแนนต์ดังกล่าว และประกบกับขั้วต่อ ที่หนึ่งดังกล่าวของ ทรานซิสเตอร์ที่สองดังกล่าว และมีขั้วต่อที่สาม ที่ถูก ประกบกับขั้วต่อลง ดิน18. The method as specified in Claim 15, which involves providing the aforementioned DC bias circuit, shall consist of providing a bias current source and having a second transistor with its first terminal connected to the bias current source, its second terminal connected to the resonant circuit, and its first terminal connected to the second transistor, and its third terminal connected to ground.
19. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งขั้นตอนดังกล่าว ในการจัดให้มีวงจรเรโซ แนนต์ดังกล่าวจะประกอบด้วยขั้นตอน ต่อไปนี้ จัดให้มีองค์ประกอบที่เหนี่ยวนำ และ จัดให้มีองค์ ประกอบเชิงความจุที่ถูกต่อโดยขนานกับองค์ประกอบที่เหนี่ยว นำ ดังกล่าว19. The method, as specified in Claim 15, for the provision of such resonant circuit shall consist of the following steps: providing an inductive element and providing a capacitive element connected in parallel with the inductive element.
20. วิธีการ ดังระบุในข้อถือสิทธิ 15 ซึ่งยังคงประกอบด้วย ขั้นตอนการจัดให้มีตัว ต้านทานที่ถูกประกบกับวงจรไบแอส DC ดังกล่าว และวงจรเรโซแนนต์ดังกล่าว สำหรับ เพิ่มพิสัยพลวัต ของภาคนำเข้าที่มีอัตราขยายสูงดังกล่าว โดยไม่มีอิทธิพลต่อ การไบแอส DC ของวงจรขยายดังกล่าว20. The method, as specified in claim 15, still comprises a procedure for providing a resistor coupled to the aforementioned DC bias circuit and resonant circuit to increase the dynamic range of the high-gain input without influencing the DC bias of the amplifier circuit.