TH42759A - วิธีการและอุปกรณ์สำหรับการทำให้บาธชุบโลหะแบบไม่ใช้ไฟฟ้าเกิดขึ้นใหม่โดยการแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้า - Google Patents

Abstract

DC60 (24/10/49) วิธีการและอุปกรณ์สำหรับการทำให้บาธชุบโลหะไม่ใช้ไฟฟ้าซึ่งมีไฮโปฟอสไฟต์ไอออนเกิด ขึ้นใหม่ โดยอย่างที่ควรเลือกใช้แล้วจะเป็นบาธชุบนิกเกิล จะได้รับการบรรยายไว้ ดังที่เปรียบเทียบกับ วิธีการและอุปกรณ์ซึ่งเป็นที่รู้จัก ซึ่งบาธสารสารละลายได้รับการนำผ่านส่วนทำให้เจือจาง Di1a ในหน่วย แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าหน่วยที่หนึ่ง E1 ซึ่งมีแคโทด Ka และแอโนด An โดยส่วนดังกล่าวจะได้รับ การแยกออกจากส่วนทำให้เข้มข้น Ko1a, Ko1b ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่ด้านแคโทดโดย เยื่อแลกเปลี่ยนแคทไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว KS และที่ด้านแอโนดโดยเยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออน A ส่วนทำให้เจือจาง Di1a และส่วนทำให้เข้มข้น Ko1a, Ko1b ได้รับการจัดวางไว้สลับกันแล้ว วิธีการ ที่สอดคล้องกับการประดิษฐ์นี้จะแตกต่างโดยที่บาธสารละลายจะได้รับการนำผ่านส่วนทำให้เจือจาง Di2a, Di2b พร้อมกันในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง E2 ซึ่งมีแคโทด Ka และแอโนด An ซึ่ง ส่วนดังกล่าวจะได้รับการแยกออกจากส่วนทำให้เข้มข้น Ko2a ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่ สอง E2 ที่ด้านแคโทดโดยเยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว AS และที่ด้านแอโนดโดย เยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออน A ส่วนทำให้เจือจาง Di2a, Di2b และส่วนทำให้เข้มข้น Ko2a ในหน่วย แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง E2 จะได้รับการจัดวางไว้สลับกัน วิธีการและอุปกรณ์สำหรับการทำให้บาธชุบโลหะไม่ใช้ไฟฟ้าซึ่งมีไฮโปฟอสไฟต์ไอออนเกิด ขึ้นใหม่ โดยอย่างที่ควรเลือกใช้แล้วจะเป็นบาธชุบนิกเกิล จะได้รับการบรรยายไว้ ดังที่เปรียบเทียบกับ วิธีการและอุปกรณ์ซึ่งเป็นที่รู้จัก ซึ่งบาธสารสารละลายได้รับการนำผ่านส่วนทำให้เจือจาง Di1a ในหน่วย แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าหน่วยที่หนึ่ง E1 ซึ่งมีแคโทด Ka และแอโนด An โดยส่วนดังกล่าวจะได้รับ การแยกออกจากส่วนทำให้เข้มข้น Ko1a, Ko1b ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่ด้านแคโทดโดย เยื่อแลกเปลี่ยนแคทไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว KS และที่ด้านแอโนด โดยเยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออน A ส่วนทำให้เจือจาง Di1a และส่วนทำให้เข้มข้น Ko1a, Ko1b ได้รับการจัดวางไว้สลับกันแล้ว วิธีการ ที่สอดคล้องกับการประดิษฐ์นี้จะแตกต่างโดยที่อ่างสารละลายจะได้รับการนำผ่านส่วนทำให้เจือจาง Di2a, Di2bพร้อมกันในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง E2 ซึ่งมีแคโทด Ka และแอโนด An ซึ่ง ส่วนดังกล่าวจะได้รับการแยกออกจากส่วนทำให้เข้มข้น Ko2a ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่ สอง E2 ที่ด้านแดโทดโดยเยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว AS และที่ด้านแอโนดโดย เยื่อแลกเปลี่ยนแอนไอออน A ส่วนทำให้เจือจาง Di1a, Di2b และส่วนทำให้เข้มข้น Ko2a ในหน่วย แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง E2 จะได้รับการจัดวางไว้สลับกัน

Claims (13)

1. วิธีการทำให้บาธในการจับเกาะของโลหะแบบไม่มีกระแสเกิดขึ้นใหม่โดยการแยก สังเคราะห์ด้วยไฟฟ้า โดยมีไฮโปฟอสไฟล์ไอออนเป็นตัวกระทำรีดิวซ์ ซึ่งของเหลวของบาธนั้นจะได้ รับการนำผ่านห้องทำให้เจือจาง (Dila, Dilb, ..., Dilx) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) ซึ่งมีแคโทด (Ka) และแอโนค (An) ซึ่งห้องนั้นจะได้รับการแยกจากส่วนทำให้เข้มข้น (Kola, Ko1b, ..., Ko1x) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้า (E1) ที่ด้านแคโทคโดยเยื่อแลกเปลี่ยน แคทไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว (KS) และที่ด้านแอโนด โดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A), ห้องทำให้เจือจาง (Dila, Dilb, ..., Dilx) และห้องทำให้เข้มข้น(Kola, Kolb, ..., Klox) จะได้รับ การจัดวางไว้สลับกัน โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่ง ของเหลวของบาธจะได้รับการนำผ่านห้องทำให้เจือจาง (Di2a, Di2b, ..., Di2x) พร้อมกัน ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) ซึ่งมีแคโทล (Ka) และแอโนด (An, An2) ซึ่งห้องดังกล่าวจะได้รับการแยกจากห้องทำให้เข้มข้น (K02a, Ko2b, ..., Ko2x) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) ที่ด้านแคโทด ด้วยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยน แอนไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว (AS) และที่ด้านแอโนด โดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A), ห้องทำให้เจือจาง (Di2a, .Di2b, ....,Di2K0 และห้องทำให้เข้มข้น (Ko2a, Ko2b, ..., Ko2x) ในหน่วย แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้รับการจัดวางไว้สลับกัน

2. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่งสารละลายเข้มข้นจะ ได้รับการนำผ่านส่วนทำให้เข้มข้น (Ko2a, Ko2b, ..., Ko2x) พร้อมๆ กัน

3. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่ง หน่วยสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้รับ การรวมกันในชุดสำรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และได้รับการจัดวางไว้โดยที่แคโทด (Ka) จะได้รับการจัดวางไว้เฉพาะที่ผิวหน้าที่ปลายด้านหนึ่งของชุดสำรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และแอโนด (An) จะได้รับการจัดวางไว้เฉพาะที่ผิวหน้าที่ปลายอีกด้านหนึ่ง

4. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1 และ 2 โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่งหน่วยแยก สังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้รับการรวมไว้ ในชุดสำรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และจะได้รับการจัดวางไว้ในลักษณะที่ a. แคโทดร่วมกัน (Ka) จะได้รับการจัดวางไว้ระหว่างหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าสอง หน่วย (E1, E2) นั้น และมีแอโนด (An1, An2) ตามลำดับจะได้รับการจัดวางไว้ ที่แต่ละ ผิวหน้าที่ปลายสองด้านของชุดสำรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน (E1, E2)หรือ b. แอโนดร่วมกัน (An) จะได้รับการจัดวางไว้ระหว่างหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าสอง หน่วย (E1,E2) และแคโทด (Ka) ตามลำดับจะได้รับการจัดวางไว้ที่แต่ละผิวหน้าที่ปลาย สองด้านของชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน (E1,E2)

5. วิธีการที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่ง ของเหลวของบาธที่ใช้ในการแยกนั้นจะได้รับการนำไปผ่านห้องทำให้เจือจาง (Dila, Dilb,....,Dilx, Di2a,Di2b,...,Di2x) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่งและที่สอง (E1,E2) ในวงจรที่หนึ่ง ผ่านทางภาชนะบรรจุทำให้เจือจาง (VD) และของเหลวที่บรรจุอยู่ในภาชนะบรรจุทำให้เจือจาง (VD) จะได้รับการนำไปในวงจรที่สอง, การไหลเชิงปริมาตรในวงจรที่สองจะมากกว่าการไหลเชิงปริมาตร ในวงจรที่หนึ่งอย่างน้อยหนึ่งระดับขนาด โดยที่ควรใช้คืออย่างน้อยสองระดับขนาด

6. วิธีการทำให้บาธในการแยกนิเกิลแบบไม่มีกระแสเกิดขึ้นใหม่โดยการแยก สังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าซึ่งมีไฮโปฟอสไฟต์ไอออนเป็นตัวกระทำรีดิวซ์ โดยสอดคล้องกับข้อถือสิทธิ ก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง

7. อุปกรณ์สำหรับการทำให้บาธในการแยกโลหะแบบไม่มีกระแสเกิดขึ้นใหม่โดยการ แยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้า ซึ่งมีไฮโปฟอสไฟต์ไอออนเป็นตัวกระทำรีดิวซ์ ซึ่งอุปกรณ์ดังกล่าวจะรวม ถึง a. หน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) ที่มีห้องทำให้เข้มข้นสองห้อง (Kola,Kolb) และห้องทำให้เจือจาง (Dila) หนึ่งห้อง ซึ่งได้รับการจัดวางไว้ระหว่างห้องทำให้เจือจาง (Dila) จะได้รับการแยกออกจากห้องทำให้เข้มข้น (Kolb) หนึ่งห้องโดยเป็นห้อง อิเล็คโตรไลด์ที่ด้านแคโทด โดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแคทไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว (KS) และได้รับการแยกออกจากห้องทำให้เข้มข้นอีกส่วนหนึ่ง (Kola) ที่ด้านแอโนดโดย ไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A) b. มีแคโทด (Ka) อย่างน้อยหนึ่งตัว และแอโนด (An) อย่างน้อยหนึ่งตัวในหน่วยแยก สังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และ c. แหล่งจ่ายกำลัง (S) สำหรับแคโทด (Ka) และแอโนด (An, An1) โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่ง d. หน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) ที่มีห้องทำให้เจือจางสองห้อง (Di2,Di2b) และห้องทำให้เข้มข้นห้อง (Ko2a) ได้รับการจัดวางไว้ระหว่างห้องทำให้เข้มข้น (Ko2a) จะได้รับการแยกออกจากห้องทำให้เจือจาง (Di2a) หนึ่งห้องโดยเป็นห้อง อิเล็กโตรไลต์ ที่ด้านแคโทดโดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A) และได้รับการ แยกออกจากห้องทำให้เจือจางอีกห้องหนึ่ง (Di2b) ที่ด้านแอโนดโดยไดอะแฟรมแลก เปลี่ยนแอนไอออนแบบเลือกสารเดี่ยว (AS) เช่นเดียวกับแคโทด (Ka) อย่างน้อยหนึ่ง ตัว และแอโนด (An, An2) อย่างน้อยหนึ่งตัว และแหล่งจ่ายกำลัง (S) สำหรับแคโทดและ แอโนด

8. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่งจะมีการจัดวางห้อง ทำให้เจือจาง (Dila,Dilb) ไว้อย่างน้อยสองห้อง และห้องทำให้เข้มข้น (Kola,Kolb,Kolc) ไว้อย่าง น้อยสามห้องสลับกันตามลำดับ ในหน่วยแยกสังเคราะห์ไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) นั้นและจะมีการจัดวาง ห้องทำให้เข้มข้น (Ko2a,Ko2b) ไว้อย่างน้อยสองห้อง และห้องทำให้เจือจาง (Di2a,Di2b,Di2c) ไว้ อย่างน้องสามห้องสลับกันตามลำดับในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) นั้น

9. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 หรือ 8 โดยมีลักษณะเฉพาะซึ่งห้องทำให้ เข้มข้น (Kola,Kolb,...,Kolx) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) จะได้รับการจำกัดไว้ ที่ด้านแคโทดโดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A) และที่ด้านแอโนดโดยไดอะแฟรม แลกเปลี่ยนแคทไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว (KS) โดยมีเงื่อนไขว่าห้องอีเล็กโตรไลต์ (KR1, AR1) ซึ่ง สัมผัสกับแคโทด (Ka) หรือ แอโนด (An, An1) จะได้รับการแยกออกจากห้องอิเล็กโตรไลต์ที่อยู่ติดกับ ห้องอิเล็กโตรไลต์ (KR1, AR1) ดังกล่าวโดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแคทไอออน (K)

10. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 ถึงข้อ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมัลักษณะเฉพาะ ซึ่งห้องทำให้เข้มข้น (Ko2a,Ko2b,...,Ko2x) ในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้รับ การกำจัดไว้ที่ด้านแคโทดโดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออน (A) และที่ด้านแอโนดโดย ไดอะแฟรมแลกเปลี่ยนแอนไอออนแบบเลือกสรรเดี่ยว (AS) โดยมีเงื่อนไขว่าห้องอิเล็กโตรไลต์ (KR2, AR2) ซึ่งสัมผัสกับแคโทด (Ka) หรือแอโนด (An, An2) จะได้รับแยกออกจากห้อง อิเล็กโตรไลต์ที่ติดกับห้องอิเล็กโตรไลต์ (KR2, AR2) ดังกล่าว โดยไดอะแฟรมแลกเปลี่ยน แคทไอออน (K)

11. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 ถึงข้อ 10 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมีลักษณะเฉพาะ ซึ่งวิถีทางนำของเหลวที่หนึ่ง (R1,R2) จะได้รับการจัดเตรียมไว้ โดยการใช้ของเหลวของบาธอาจได้รับ การนำไปในวงจรที่หนึ่งได้ผ่านภาชนะบรรจุทำให้เจือจาง (VD) และมีวิถีทางนำของเหลวที่สอง (R3,R4) จะได้รับการจัดเตรียมไว้โดยการใช้ของเหลวในภาชนะบรรจุทำให้เจืออจาง (VD) อาจได้รับ การนำไปในวงจรที่สองได้จากภาชนะบรรจุทำให้เจือจาง (VD) ผ่านห้องทำให้เจือจาง (Di1,Di2) ใน หน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และในหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) และ จากนั้นกลับไปอีกครั้ง

12. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 ถึงข้อ 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมีลักษณะเฉพาะ ซึ่งหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้ รับการรวมกันไว้ในชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และจะได้รับการจัดวางไว้ในลักษณะที่ ว่า แคโทด (Ka) จะได้รับการจัดวางไว้เฉพาะที่ผิวหน้าที่ปลายด้านหนึ่งของชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และมีแอโนด (An) จะได้รับการจัดวางไว้เฉพาะที่ผิวหน้าที่ปลายอีกด้านหนึ่ง

13. อุปกรณ์ที่สอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 7 ถึงข้อ 11 ข้อใดข้อหนึ่ง โดยมีลักษณะเฉพาะ ซึ่งหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่หนึ่ง (E1) และหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าที่สอง (E2) จะได้ รับการรวมไว้ในชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน และได้รับการจัดวางไว้ในลักษณะที่ว่า a. แคโทดร่วมกัน (Ka) จะได้รับการจัดวางไว้ระหว่างหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าสอง หน่วย และแอโนดตามลำดับ (An1, An2) จะได้รับการจัดวางไว้ที่แต่ละผิวหน้าที่ปลาย สองด้านของชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน หรือ b. แอโนดร่วมกัน (An) จะได้รับการจัดวางไว้ระหว่างหน่วยแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าสอง หน่วยและแคโทดร่วมกัน (Ka) จะได้รับการจัดวางไว้ที่แต่ละผิวหน้าที่ปลายสองด้านของ ชุดสำหรับแยกสังเคราะห์ด้วยไฟฟ้าร่วมกัน