TH41793A3 - โครงสร้างของหัวที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็กที่มีชั้นต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โรที่เป็นฉนวน - Google Patents

โครงสร้างของหัวที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็กที่มีชั้นต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โรที่เป็นฉนวน

Info

Publication number
TH41793A3
TH41793A3 TH9901003055A TH9901003055A TH41793A3 TH 41793 A3 TH41793 A3 TH 41793A3 TH 9901003055 A TH9901003055 A TH 9901003055A TH 9901003055 A TH9901003055 A TH 9901003055A TH 41793 A3 TH41793 A3 TH 41793A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
magnetic
receiver
mtj
afm
Prior art date
Application number
TH9901003055A
Other languages
English (en)
Inventor
ชิงห์ กิลล์ นายฮาร์ดายัล
จอห์นสัน เวอร์เนอร์ นายดักลัส
Original Assignee
นายธเนศ เปเรร่า
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางวรนุช เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายธเนศ เปเรร่า, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางวรนุช เปเรร่า filed Critical นายธเนศ เปเรร่า
Publication of TH41793A3 publication Critical patent/TH41793A3/th

Links

Abstract

DC60 (27/09/42) อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ก (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วย บทสรุปการประดิษฐ์ อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ)สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วย

Claims (1)

: DC60 (27/09/42) อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ก (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วย บทสรุปการประดิษฐ์ อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ)สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วยข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ข้อถือสิทธิ
1. ตัวรับสัญญาณที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก(MTJ) ซึ่งมีส่วนประกอบ ดังต่อไปนี้ ซับสเตรต เกราะชั้นแรก (S1) ที่เป็นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรที่ถูกสร้างขึ้นบน สับสเตรต แถบของตัวรับสัญญาณที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็น อุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่ถูกสร้าง ขึ้นบนเกราะชั้นแรกดัง กล่าว โดยแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะเป็นรูปสี่เหลี่ยม ผืน ผ้าโดยทั่วไป และมีขอบด้านข้างที่ตรงข้ามกันสองขอบ, ขอบ หลังและขอบหน้า แถบของตัวรับสัญญา MTJ ดังกล่าวมีส่วนประกอแท็ก :
TH9901003055A 1999-08-16 โครงสร้างของหัวที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็กที่มีชั้นต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โรที่เป็นฉนวน TH41793A3 (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH41793A3 true TH41793A3 (th) 2000-12-12

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY117062A (en) Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer.
US5216405A (en) Package for the magnetic field sensitive device
US8792264B2 (en) Method of switching out-of-plane magnetic tunnel junction cells
JP5247033B2 (ja) 低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子
US7502253B2 (en) Spin-transfer based MRAM with reduced critical current density
JP3884312B2 (ja) 磁気記憶装置
US20190115060A1 (en) Perpendicular magnetic memory using spin-orbit torque
US7525862B1 (en) Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory with domain wall
EP2332145B1 (en) Symmetric stt-mram bit cell design
TW569442B (en) Magnetic memory device having magnetic shield layer, and manufacturing method thereof
ES2177227T3 (es) Magnetorresistencia de efecto tunel y captador magnetico que utiliza dicha magnetorresistencia.
US20020105823A1 (en) Magnetic spin polarisation and magnetisation rotation device with memory and writing process, using such a device
EP1329895A2 (en) High-density magnetic random access memory device and method of operating the same
US6661071B2 (en) Memory having plural magnetic layers and a shielding layer
US9837601B2 (en) Magnetic shield, semiconductor device, and semiconductor package
EP0913830A3 (en) Magnetic tunnel junction device with improved ferromagnetic layers
MY117184A (en) Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors
DE502007004584D1 (de) Resistive supraleitende strombegrenzereinrichtung mit bifilarer spulenwicklung aus hts-bandleitern und windungsabstandshalter
EP1231607A3 (en) Nonvolatile magnetic storage device
KR20150016162A (ko) 패키지 구조체를 포함하며 스핀 전달 토크 메모리들에서 사용될 수 있는 자기 접합들을 제공하는 방법 및 시스템
KR100571437B1 (ko) 증가된 간섭 저항성을 갖는 자기저항 메모리
KR20160085219A (ko) 열적으로 보조되는 스핀 토크 전가 스위칭을 이용한 자기 접합을 제공하는 방법 및 시스템
US6724027B2 (en) Magnetic shielding for MRAM devices
Miura et al. A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for higher immunity to read disturbance and reducing write-current dispersion
KR101266792B1 (ko) 면내 전류와 전기장을 이용한 수평형 자기메모리 소자