TH41793A3 - โครงสร้างของหัวที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็กที่มีชั้นต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โรที่เป็นฉนวน - Google Patents
โครงสร้างของหัวที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็กที่มีชั้นต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โรที่เป็นฉนวนInfo
- Publication number
- TH41793A3 TH41793A3 TH9901003055A TH9901003055A TH41793A3 TH 41793 A3 TH41793 A3 TH 41793A3 TH 9901003055 A TH9901003055 A TH 9901003055A TH 9901003055 A TH9901003055 A TH 9901003055A TH 41793 A3 TH41793 A3 TH 41793A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- receiver
- mtj
- afm
- Prior art date
Links
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract 44
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
Abstract
DC60 (27/09/42) อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ก (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วย บทสรุปการประดิษฐ์ อุปกรณ์ที่เป็นส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ)สำหรับใช้เป็นตัวรับ สัญญาณสนามแม่เหล็กในอุปกรณ์ขับดัน แผ่นดิสก์ที่เป็นแม่เหล็กหรือใช้เป็นเซลล์หน่วย ความจำในแถว ลำดับ การเข้าถึงแบบสุ่มแม่เหล็ (MRAM) จะมีชั้นต้านสารแม่ เหล็ก เฟอร์โร (AFM) ที่ทำจากวัสดุต้านสารแม่เหล็กเฟอร์โร ที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้า ส่วน เชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก ในตัวรับสัญญาณจะถูกสร้างขึ้นบนเกราะชั้นแรก ซึ่งจะทำ หน้า ที่ลวดนำไฟฟ้าด้วย และจะประกอบไปด้วย ชั้นที่กองซ้อนกันที่ ประกอบกันขึ้น เป็นแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ ชั้นที่อยู่ในชุด กองซ้อนคือ ชั้น AFM, ชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่ถูกตรึงไว้ที่ ถูกถ่วงในลักษณะแลกเปลี่ยนกับชั้น AFM เพื่อให้โม เมนต์แม่เหล็ก ของมัน ไม่สามารถจะหมุนได้เมื่อมีการปรากฏของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรเสรี ซึ่งโมเมนต์แม่เหล็กของมันมีอิสระที่จะหมุนเมื่อมีการปรากฏ ของ สนามแม่เหล็กที่ถูกป้อนเข้ามา และชั้นกั้นที่เป็น อุโมงค์ที่เป็นฉนวนซึ่งถูกวางระหว่างชั้น ที่ถูกตรึงไว้กับ ชั้นเสรี แถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะถูกจัดรูปทรงในลักษณะ ที่ เป็นรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าโดยทั่วไป ซึ่งมีขอบข้างที่ขนานกันและมีขอบหลังและขอบหน้าที่ ผิวหน้ารองรับแบบใช้อากาศ (ABS) ชั้นที่ถูกตรึงไว้จะทอดออกจาก ABS เลยขอบ หลังจากชั้น AFM เพื่อสัมผัสเกราะชั้นแรกซึ่งเป็นการจัดให้มีเส้นทาง สำหรับกระแสตรวจ รู้ให้ไหลอ้อมโดยไม่ให้ผ่านชั้น AFM ที่ เป็นฉนวนทางไฟฟ้าและไหลไปยังชั้นเชื่อมต่อที่ เป็นอุโมงค์ ชั้นที่ทำด้วยวัสดุที่เป็นฉนวนทางไฟฟ้าจะแยกชั้นที่ถูกตรึงไว้และเกราะ ชั้นแรกออก จากเกราะชั้นที่สอง ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นลวดนำไฟฟ้าสำหรับ ตัวรับสัญญาณ MTJ ด้วย
Claims (1)
1. ตัวรับสัญญาณที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็นอุโมงค์แม่เหล็ก(MTJ) ซึ่งมีส่วนประกอบ ดังต่อไปนี้ ซับสเตรต เกราะชั้นแรก (S1) ที่เป็นวัสดุแม่เหล็กเฟอร์โรที่ถูกสร้างขึ้นบน สับสเตรต แถบของตัวรับสัญญาณที่มีส่วนเชื่อมต่อที่เป็น อุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่ถูกสร้าง ขึ้นบนเกราะชั้นแรกดัง กล่าว โดยแถบของตัวรับสัญญาณ MTJ จะเป็นรูปสี่เหลี่ยม ผืน ผ้าโดยทั่วไป และมีขอบด้านข้างที่ตรงข้ามกันสองขอบ, ขอบ หลังและขอบหน้า แถบของตัวรับสัญญา MTJ ดังกล่าวมีส่วนประกอแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH41793A3 true TH41793A3 (th) | 2000-12-12 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY117062A (en) | Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer. | |
| US5216405A (en) | Package for the magnetic field sensitive device | |
| US8792264B2 (en) | Method of switching out-of-plane magnetic tunnel junction cells | |
| JP5247033B2 (ja) | 低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 | |
| US7502253B2 (en) | Spin-transfer based MRAM with reduced critical current density | |
| JP3884312B2 (ja) | 磁気記憶装置 | |
| US20190115060A1 (en) | Perpendicular magnetic memory using spin-orbit torque | |
| US7525862B1 (en) | Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory with domain wall | |
| EP2332145B1 (en) | Symmetric stt-mram bit cell design | |
| TW569442B (en) | Magnetic memory device having magnetic shield layer, and manufacturing method thereof | |
| ES2177227T3 (es) | Magnetorresistencia de efecto tunel y captador magnetico que utiliza dicha magnetorresistencia. | |
| US20020105823A1 (en) | Magnetic spin polarisation and magnetisation rotation device with memory and writing process, using such a device | |
| EP1329895A2 (en) | High-density magnetic random access memory device and method of operating the same | |
| US6661071B2 (en) | Memory having plural magnetic layers and a shielding layer | |
| US9837601B2 (en) | Magnetic shield, semiconductor device, and semiconductor package | |
| EP0913830A3 (en) | Magnetic tunnel junction device with improved ferromagnetic layers | |
| MY117184A (en) | Low moment/high coercivity pinned layer for magnetic tunnel junction sensors | |
| DE502007004584D1 (de) | Resistive supraleitende strombegrenzereinrichtung mit bifilarer spulenwicklung aus hts-bandleitern und windungsabstandshalter | |
| EP1231607A3 (en) | Nonvolatile magnetic storage device | |
| KR20150016162A (ko) | 패키지 구조체를 포함하며 스핀 전달 토크 메모리들에서 사용될 수 있는 자기 접합들을 제공하는 방법 및 시스템 | |
| KR100571437B1 (ko) | 증가된 간섭 저항성을 갖는 자기저항 메모리 | |
| KR20160085219A (ko) | 열적으로 보조되는 스핀 토크 전가 스위칭을 이용한 자기 접합을 제공하는 방법 및 시스템 | |
| US6724027B2 (en) | Magnetic shielding for MRAM devices | |
| Miura et al. | A novel SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for higher immunity to read disturbance and reducing write-current dispersion | |
| KR101266792B1 (ko) | 면내 전류와 전기장을 이용한 수평형 자기메모리 소자 |