TH40222A3 - วิธีแก้ปัญหาการไม่สงบของประตูผ่าน soi - Google Patents
วิธีแก้ปัญหาการไม่สงบของประตูผ่าน soiInfo
- Publication number
- TH40222A3 TH40222A3 TH9901002960A TH9901002960A TH40222A3 TH 40222 A3 TH40222 A3 TH 40222A3 TH 9901002960 A TH9901002960 A TH 9901002960A TH 9901002960 A TH9901002960 A TH 9901002960A TH 40222 A3 TH40222 A3 TH 40222A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- transistor
- gate
- charge
- body core
- unrest
- Prior art date
Links
- 206010038743 Restlessness Diseases 0.000 title abstract 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (02/11/42) วิธีแก้ปัญหาการไม่สงบของประตูผ่าน SOI ที่อยู่ในรูปทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด N จะ เชื่อมต่อตัวความต้านทานไว้ระหว่างประตูและแกนร่างของทรานซิสเตอร์ FET เพื่อขจัดสภาวะไม่ สงบ จะมีการทำทรานซิสเตอร์ FET ในชั้นรองซึ่งมีขั้วจ่าย ขั้วระบาย และขั้วประตู โดยที่แกนร่างของ ทรานซิสเตอร์อิทธิพลของสนามจะลอยตัวทางไฟฟ้าและทรานซิสเตอร์จะแยกออกจากชั้นรองโดย พื้นฐาน และจะมีการจัดทำเส้นทางความต้านทานสูงสำหรับเชื่อมต่อประตูเข้ากับแกนร่างที่ลอยตัว ทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์ FET ทำให้แกนร่างปล่อยประจุและเข้าสู่สถานะต่ำก่อนที่จะเกิดการอัด ประจุความร้อนอย่างมีนัยสำคัญเมื่อประตูมีค่าต่ำ การนี้จะป้องกันไม่ให้แกนร่างสะสมประจุในขณะ ที่ทรานซิสเตอร์ปิด เส้นทางความต้านทานสูงควรจะมีความต้านทานประมาณ 10ยกกำลัง10 โอห์ม-ไมครอน หารด้วยความกว้างของประตูผ่าน วิธีแก้ปัญหาการไม่สงบของประตูผ่าน SOI ที่อยู่ในรูปทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด N จะ เชื่อมต่อตัวความต้านทานไว้ ระหว่างประตูและแกนร่างของทรานซิสเตอร์ FET เพื่อขจัดสภาวะ ไม่ สงบ จะมีการทำทรานซิสเตอร์ FET ในชั้นรองซึ่งมีขั้วจ่าย ขั้วระบาย และขั้วประตู โดยที่แกนร่างของ ทรานซิสเตอร์อิทธิ พลของสนามจะลอยตัวทางไฟฟ้าและทรานซิสเตอร์จะแยกออกจากชั้น รองโดย พื้นฐาน และจะมีการจัดทำเส้นทางความต้านทานสูงสำหรับ เชื่อมต่อประตูเข้ากับแกนร่างที่ลอยตัว ทางไฟฟ้าของ ทรานซิสเตอร์ FET ทำให้แกนร่างปล่อยประจุและเข้าสู่สถานะ ต่ำก่อนที่จะเกิดกากรอัด ประจุความร้อนอย่างมีนัยสำคัญเมื่อ ประตูมีค่าต่ำ การนี้จะป้องกันไม่ให้แกนร่างสะสมประจุ ในขณะ ที่ทรานซิสเตอร์ปิด เส้นทางความต้านทานสูงควรจะมีความ ต้านทานประมาณ 10 10 โอห์ม-ไมครอน หารด้วยความกว้างของ ประตูผ่าน
Claims (1)
1. ทรานซิสเตอร์อิทธิพลของสนามซึ่งทำไว้ในชั้นรองและมีขั้วจ่าย ขั้วระบาย และขั้วประตู โดยที่แกนร่างของ ทรานซิสเตอร์อิทธิพลของสนามลอยตัวทางไฟฟ้าและทรานซิสเตอร์ แยก ออกจากชั้นรองทางไฟฟ้าโดยพื้นฐาน ทรานซิสเตอร์ดังกล่าว มีการปรับปรุงคือประกอบด้วย เส้นทางความต้านสูง ซึ่งเชื่อม ต่อประตูของทรานซิสเตอร์อิทธิพลของสนามเข้ากับแกนร่างที่ ลอยตัวทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์อิทธิพลของสนาม เพื่อให้แกน ร่างปล่อยประจุและเข้าสู่ สถานะต่ำกแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH40222A3 true TH40222A3 (th) | 2000-09-14 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100308708B1 (ko) | 기생 바이폴라 전류 감소 방법 및 장치 | |
| MY124337A (en) | Soi pass-gate disturb solution | |
| WO2005001899A3 (en) | Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same | |
| KR970067910A (ko) | 실리콘 온 인슐레이터(soi)구조를 갖는 입력/출력 보호회로 | |
| KR910010723A (ko) | 소메모리셀 면적에서 고안정성을 갖는 반도체기억장치 | |
| JPS5493981A (en) | Semiconductor device | |
| CN202602609U (zh) | 一种直流固态继电器 | |
| EP1184900A3 (en) | Battery management circuit with power mosfets and manufacturing method thereof | |
| CN107800281A (zh) | 用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路 | |
| DE69938776D1 (de) | Rf-mos-transistor | |
| TH40222A3 (th) | วิธีแก้ปัญหาการไม่สงบของประตูผ่าน soi | |
| CN201478415U (zh) | 防水手机电池 | |
| CN114667656A (zh) | 混合断路器、混合断路系统及断路方法 | |
| KR910001775A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| JPS5745975A (en) | Input protecting device for semiconductor device | |
| JPS6436060A (en) | Static electricity protective device of mis integrated circuit | |
| JPH01265569A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6441319A (en) | Semiconductor relay | |
| ATE429044T1 (de) | Hochfrequenzschalter und damit versehenes elektronisches gerät | |
| TW200416510A (en) | Switching circuit | |
| CN219833969U (zh) | 一种降低p沟道场效应管驱动功耗的电路 | |
| CN206226268U (zh) | 一种开关电路 | |
| CN208112921U (zh) | 一种爆破音消除装置 | |
| CN205882737U (zh) | 一种直流充放电电路和蓄电池 | |
| CN207910741U (zh) | 一种w波段大功率开关及限幅器 |