TH39345A - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและกรรมวิธีการสร้างของมัน - Google Patents

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและกรรมวิธีการสร้างของมัน

Info

Publication number
TH39345A
TH39345A TH9601002272A TH9601002272A TH39345A TH 39345 A TH39345 A TH 39345A TH 9601002272 A TH9601002272 A TH 9601002272A TH 9601002272 A TH9601002272 A TH 9601002272A TH 39345 A TH39345 A TH 39345A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
less
semiconductor
film
mold fixing
fixing material
Prior art date
Application number
TH9601002272A
Other languages
English (en)
Other versions
TH34596B (th
Inventor
ทาเคดะ นายชินจิ
มาซูโกะ นายทาคาชิ
ยูซา นายมาซามิ
คิคูจิ นายโตโอรุ
มิยาเดรา นายยาซูโอะ
มาเอคาวา นายอิวาโอะ
ยามาซากิ นายมิตโอะ
คาเกยามา นายอากิระ
คาเนดะ นายไอโซอุ
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายวิรัช ศรีเอนกราธา
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายวิรัช ศรีเอนกราธา filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH39345A publication Critical patent/TH39345A/th
Publication of TH34596B publication Critical patent/TH34596B/th

Links

Abstract

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำสามารถสร้างโดยการติดชิพสารกึ่งตัวนำบนชิ้นประกอบรองรับด้วยวัสดุ ยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มสารอินทรีย์ซึ่งมีการดูดซึมน้ำ 1.5 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า, ซึ่งมี การดูดซึมความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า, ซึ่งมีส่วนประกอบตกค้างที่ ระเหยง่ายในปริมาณที่ไม่มากกว่า 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก, ซึ่งมีโมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่าที่อุณหภูมิ 250 ํซ., ซึ่งมีปริมาตรของโพรงอากาศ 10 เปอร์เซ็นต์ หรือน้อย กว่า, ซึ่งมีความต้านทานการลอก 0.5 กก. แรง หรือน้อยกว่าต่อซิพขนาด 5x5 มม. หรือขนาดในแนว ระนาบไม่ใหญ่กว่าขนาดในแนวระนาบของซิพสารกึ่งตัวนำ และการผนึกซิพสารกึ่งตัวนำด้วยเรซิน อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งได้ดังนี้อาจจะปราศจากการเกิดของการแตกเนื่องจากการไหลกลับระหว่าง การบัดกรีแบบไหลกลับในการประกอบอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งน่าจะมีความเชื่อถือได้ที่ดี

Claims (3)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. วิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ, ซึ่งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ (semiconductor elemant) จะถูกยึดติดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับ, ชิ้นประกอบรองรับดังกล่าวคือ ลีดเฟรม (lead frame) ซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึด ลวด, การยึดติดดังกล่าวถูกดำเนินการโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มซึ่งมีสารอินทรีย์, วัสดุ ดังกล่าวมีการดูดซึมน้ำ 1.5 เปอร์เซ็นต์ โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า และโมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ., และ วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มดังกล่าวประกอบรวมด้วยชั้นเดียว 2. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีส่วนประกอบประกอบตกค้างที่ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า 3. วิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำจะถูกยึดติดเข้ากับ ชิ้นประกอบรองรับ, ชิ้นประกอบรองรับดังกล่าวคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, การยึดติดดังกล่าวถูกดำเนินการโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มซึ่งมีสารอิทรีย์, วัสดุ ดังกล่าวมีส่วนประกอบตกค้างที่ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า และโมดูลัสของ ความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ., และ วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มดังกล่าวประกอบด้วยชั้นเดียว 4. วิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำจะถูกยึดติดเข้ากับ ชิ้นประกอบรองรับ, ชิ้นประกอบรองรับดังกล่าวคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, การยึดติดดังกล่าวถูกดำเนินการโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มซึ่งมีสารอินทรีย์, วัสดุ ดังกล่าวมีความต้านทานการลอกอย่างน้อยที่สุด 0.5 กก. แรง/ของชิพขนาด 5 x 5 มม. หลังจากการยึด ติด, โมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ., และประกอบด้วย ชั้นเเดียว 5. วิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 1-4 ที่ซึ่งวัสดุนั้นประกอบรวมด้วยสารผสม เรซินที่มีคุณสมบัติรองรับตัวเอง 6. วิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 1-5 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีความสามารถในการติด ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ., เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 7. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ที่ซึ่งอุณหภูมิเป็น 150-250 ํซ, เป็นเวลาน้อยกว่า 2 วินาที และ ความดันเป็น 4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 8. วิธีข้อถือสิทธิข้อที่ 7 ที่ซึ่งเวลาเป็น 1.5 วินาที หรือน้อยกว่า และความดันเป็น 0.3-2 กรัม แรง/ตารางมิลลิเมตร 9. วิธีสำหรับการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ซึ่งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำจะถูกยึดติดเข้ากับ ชิ้นประกอบรองรับ, ชิ้นประกอบรองรับดังกล่าวคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, การยึดติดดังกล่าวถูกดำเนินการ โดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มซึ่งมีสารอินทรีย์, วัสดุ ดังกล่าวมีโมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ., และ ประกอบด้วยชั้นเดียว ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การติดตั้งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำบนวัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์ม และ การยึดติดชิ้นส่วนนั้นภายใต้ภาวะที่มีอุณหภูมิ 150-250 ํซ., เป็นเวลา 0.1 ถึงน้อยกว่า 2 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 1 0. วิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 7-9, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การติดตั้งชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำบนวัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มดังกล่าว และ การยึดติดชิ้นส่วนนั้นภายใต้ภาวะที่มีอุณหภูมิ 150-250 ํซ., เป็นเวลา 0.1 ถึงน้อยกว่า 2 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 1 1. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 10 ที่ซึ่งอุณหภูมิเป็น 150-250 ํซ., เป็นเวลาน้อยกว่า 2 วินาที และ ความดันเป็น 4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 1 2. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 11 ที่ซึ่งเวลาเป็น 1.5 วินาที หรือน้อยกว่า และความดันเป็น 0.3-2 กรัมแรง/ตารางมิลิเมตร 1 3. วิธีตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 1-12 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า 1 4. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มสำหรับการยึดติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบ รองรับ, วัสดุนั้นมีความสามารถในการยึดติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่ อุณหภูมิ 100-350 ํซ., เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร ชิ้นประกอบรองรับดังกล่าวคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, วัสดุนั้นมีสารอินทรีย์, วัสดุนั้นมีการดูดซึมน้ำ 1.5 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า และส่วนประกอบตกค้างที่ ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า 1 5. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อที่ 14 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีการดูดซึมความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์ โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า 1 6. วัสดุตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีความต้านทานการลอกอย่างน้อยที่สุด 0.5 กก. แรง/ของชิพขนาด 5 x 5 มม. เมื่อชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับโดยใช้วัสดุ ยึดแม่พิมพ์ 1 7. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มสำหรับการยึดติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบ รองรับ, วัสดุนั้นมีความสามารถในการติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ, เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร ชิ้นประกอบรองรับคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นพิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, และ วัสดุนั้นมีสารอินทรีย์ วัสดุนั้นมีการดูดซึมความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า และ ส่วนประกอบตกค้างที่ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า 1 8. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มสำหรับการยึดติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบ รองรับ, วัสดุนั้นมีความสามารถในการติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ, เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร ชิ้นประกอบรองคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, และ วัสดุนั้นมีสารอินทรีย์, วัสดุนั้นมีส่วนประกอบตกค้างที่ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า และมี ความต้านทานการลอกอย่างน้อยที่สุด 0.5 กก. แรง/ของชิพขนาด 5 x 5 มม. เมื่อชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์ 1 9. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14-18 ซึ่งมีสารอินทรีย์ ซึ่งมีคุณสมบัติรองรับตัวเอง 2 0. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14-19 ซึ่งประกอบรวม ด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบที่เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยอีพอกซีเรซิน, ซิลิโคนเรซิน, อะคริลิกเรซิน และโพลีอิไมด์เรซิน 2 1. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 ที่ซึ่งส่วนประกอบนั้นรวมถึงโพลีอิไมด์ เรซิน 2 2. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 20 หรือ 21 ที่ซึ่งส่วนประกอบนั้นจะ ประกอบรวมด้วยอีพอกซีเรซิน, อีพอกซีเรซินคือ อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไกลซิดิลอีเทอร์อีพอกซีเรซิน, ไกลซิดิลเอมีนอีพอกซีเรซิน, ไกลซิดิลเอสเทอร์อีพอกซี เรซิน และอีพอกซีเรซินชนิดไม่เป็นวงแหวน (alicyclic) 2 3. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14-22 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย ตัวเติม (filler) 2 4. วิธีการติด (adhesion method) ซึ่งประกอบรวมด้วยการติดชิ้นประกอบรองรับเข้ากับ ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14-23 2 5. วิธีการติดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 24 ที่ซึ่งการติดจะถูกดำเนินการที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ., เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 2 6. วิธีการติดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 25 ที่ซึ่งอุณหภูมิอยู่ในพิสัยของ 150-250 ํซ., เป็นเวลา น้อยกว่า 2 วินาที และความดัน 4 กรัมแรง/ตารางมิลิเมตร หรือน้อยกว่า 2 7. วิธีการติดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 26 ที่ซึ่งเวลาในการติด 1.5 วินาที หรือน้อยกว่า, ความดัน 0.3-2 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 2 8. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14, 17 หรือ 18 ที่ซึ่ง อุณหภูมิอยู่ในพิสัยของ 150-250 ํซ, เป็นเวลาน้อยกว่า 2 วินาที, ความดัน 4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 2 9. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 28 ที่ซึ่งเป็นเวลาน้อยกว่า 1.5 วินาที หรือ น้อยกว่า, ความดัน 0.3-2 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 3 0. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 14-23, 28 หรือ 29 ซึ่ง ประกอบด้วยชั้นเดียว 3 1. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มสำหรับการยึดติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบ รองรับ ชิ้นประกอบรองรับคือ ลีดเฟรมซึ่งมีแผ่นแม่พิมพ์ หรือแผ่นฐานแบบยึดลวด, วัสดุนั้นมีโมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ. และ มีการดูดซึมน้ำ 1.5 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า วัสดุนั้นประกอบด้วยชั้นเดียวซึ่งมีสารอินทรีย์ 3 2. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 31 ซึ่งประกอบรวมด้วยสารผสมเรซิน ซึ่งมีคุณสมบัติรองรับตัวเอง 3 3. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 31 หรือ 32 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมีความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า 3 4. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-33 ที่ซึ่งวัสดุนั้นมี ส่วนประกอบตกค้างที่ระเหยง่าย 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก หรือน้อยกว่า 3 5. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-34 ที่ซึ่งวัสดุนั้น มีความต้านทานการลอกอย่างน้อยที่สุด 0.5 กก. แรง/ของชิพขนาด 5 x 5 มม. เมื่อชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำ ได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์ 3 6. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-35 ซึ่งประกอบรวม ด้วยอย่างน้อยที่สุดหนึ่งส่วนประกอบที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยอีพอกซีเรซิน, ซิลิโคนเรซิน, อะคริลิกเรซิน และโพลีไมด์เรซิน 3 7. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 36 ที่ซึ่งส่วนประกอบนั้นประกอบรวมด้วย โพลีอิไมด์เรซิน 3 8. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 36 หรือ 37 ที่ซึ่งส่วนประกอบนั้นประกอบ รวมด้วยอีพอกซีเรซิน และอีพอกซีเรซินคือ อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบ ด้วยไกลซิดิลอีเทอร์อีพอกเรซิน, ไกลซิดิลเอมีนอีพอกซีเรซิน, ไกลซิดิลเอสเทอร์อีพอกซีเรซิน และ อีพอกซีเรซินชนิดไม่เป็นวงแหวน 3 9. วัสดุยึดแม่พิมพ์ตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-38 ซึ่งประกอบรวมต่อไปด้วย ตัวเติม 4 0. วิธีการติดซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการติดชิ้นประกอบรองรับเข้ากับชิ้นส่วน สารกึ่งตัวนำโดยใช้วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-39 4 1. วิธีการติดตามข้อถือสิทธิข้อที่ 40 ที่ซึ่งการติดจะถูกดำเนินการที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ., เป็นเวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 4 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 41 ที่ซึ่งการติดจะถูกดำเนินการที่อุณหภูมิ 150-250 ํซ., เป็นเวลาน้อยกว่า 2 วินาที, ภายใต้ความดัน 4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 4 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 42 ที่ซึ่งการติดจะถูกดำเนินการเป็นเวลา 1.5 วินาที หรือ น้อยกว่า, ภายใต้ความดัน 0.3-2 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 4 4. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 31-39 ซึ่งจะมี ความสามารถในการติดชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่อุณหภูมิ 100-350 ํซ., เป็น เวลา 0.1-20 วินาที, ภายใต้ความดัน 0.1-30 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร 4 5. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 44 ซึ่งมีความสามารถในการติดชิ้นส่วน สารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับที่อุณหภูมิ 150-250 ํซ, เป็นเวลาน้อยกว่า 2 วินาที, ภายใต้ความ ดัน 4 กรัมแรง/ตารางมิลลิเมตร หรือน้อยกว่า 4 6. วัสดุยึดแม่พิมพ์แบบฟิล์มตามข้อถือสิทธิข้อที่ 35 ซึ่งมีความสามารถในการติดชิ้นส่วน สารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับเป็นเวลา 1.5 วินาที หรือน้อยกว่า, ภายใต้ความดัน 0.3-2 กรัม แรง/ตารางมิลลิเมตร 4 7. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบรวมด้วยชิ้นประกอบรองรับ, ชิพสารกึ่งตัวนำ, วัสดุยึด แม่พิมพ์สำหรับการยึดติดชิพสารกึ่งตัวนำเข้ากับชิ้นประกอบรองรับ และชิ้นประกอบห่อหุ้มที่เป็น เรซินสำหรับการห่อหุ้มชิพสารกึ่งตัวนำ, ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวคือ ฟิล์มซึ่งมีสารอินทรีย์; ฟิล์มดังกล่าวมีการดูดซึมน้ำ 1.5 เปอร์เซ็นต์ โดยปริมาตร หรือน้อยกว่า และโมดูลัสของความยืดหยุ่น 10 เมกะพาสคาล หรือน้อยกว่า ที่อุณหภูมิ 250 ํซ. 4 8. อุปกรณ์ซึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 47 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีส่วนประกอบตกค้างที่ระเหยง่ายในปริมาณไม่มากกว่า 3.0 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก 4 9. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 47 หรือ 48 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีความต้านทานการลอก 0.5 กก. แรง/ของชิพขนาด 5 x 5 มม. หรือ มากกว่า ที่ขั้นตอนที่ชิพสารกึ่งตัวนำได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับ 5 0. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 48 หรือ 49 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีการดูดซึมความชื้นที่อิ่มตัว 1.0 เปอร์เซ็นต์โดยปริมาตร หรือ น้อยกว่า 5
1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 47-50 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีปริมาตรของโพรงอากาศ 10 เปอร์เซ็นต์ หรือน้อยกว่า ในเชิงของ โพรงอากาศที่ปรากฎในวัสดุยึดแม่พิมพ์ และที่รอยต่อระหว่างวัสดุยึดแม่พิมพ์ และชิ้นประกอบ รองรับที่ขั้นตอนที่ชิพสารกึ่งตัวนำได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับ 5
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 44-51 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีพื้นผิวด้านบนและด้านล่าง, ซึ่งแต่ละพื้นที่จะเท่ากับหรือเล็กกว่า พื้นที่ที่ถูกยึดของชิพสารกึ่งตัวนำ และไม่ยื่นออกด้านนอกจากรอยต่อระหว่างชิพสารกึ่งตัวนำ และ ชิ้นประกอบรองรับที่ขั้นตอนที่ชิพสารกึ่งตัวนำได้ถูกยึดเข้ากับชิ้นประกอบรองรับ 5
3. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อที่ 51 ที่ซึ่ง: วัสดุยึดแม่พิมพ์ดังกล่าวมีพื้นผิวด้านบนและด้านล่าง, ซึ่งแต่ละพื้นที่จะเล็กกว่าพื้นที่ที่ถูกยึด ของชิพสารกึ่งตัวนำ
TH9601002272A 1996-07-05 อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและกรรมวิธีการสร้างของมัน TH34596B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH39345A true TH39345A (th) 2000-07-14
TH34596B TH34596B (th) 2012-12-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5855821A (en) Materials for semiconductor device assemblies
US6689638B2 (en) Substrate-on-chip packaging process
US7868113B2 (en) Low shrinkage polyester thermosetting resins
US8021925B2 (en) Thermal paste containment for semiconductor modules
US20090221114A1 (en) Packaging an integrated circuit die using compression molding
US20030101583A1 (en) Method for assembling die package
CN1246963A (zh) 树脂封装型半导体装置及其制造方法
KR20180004746A (ko) 소결성 필름 및 페이스트, 및 그의 사용 방법
US20030153121A1 (en) Semiconductor package production method and semiconductor package
JP5035580B2 (ja) 弾性表面波デバイスおよびその製法
US6410642B1 (en) Adhesive and semiconductor devices
US20110049712A1 (en) Wafer Level Stacked Die Packaging
TH39345A (th) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและกรรมวิธีการสร้างของมัน
US6562663B2 (en) Microelectronic assembly with die support and method
TH34596B (th) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและกรรมวิธีการสร้างของมัน
JP4049452B2 (ja) 半導体素子用接着シートおよびそれを用いた半導体装置
CN210272318U (zh) 一种芯片的注塑灌封支架结构
KR20100090654A (ko) 접착제 조성물, 접착용 시트, 다이싱ㆍ다이 어태치 필름 및 반도체 장치
NO326807B1 (no) Fuktighetsbarriere for lederramme for elektronikkinnkapslinger av stopt plast
CN1229856C (zh) 将集成电路连接到基片上的方法及相应电路配置
JP2834841B2 (ja) 高耐熱性樹脂封止型半導体装置
KR960035935A (ko) 반도체 소자의 다이 본딩 방법
KR100981394B1 (ko) 반도체 소자 제조용 접착 페이스트 조성물
WO2007066401A1 (ja) 電子部品の製造方法および熱伝導部材の製造方法並びに電子部品用熱伝導部材の実装方法
KR100826420B1 (ko) 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 접착 필름