TH36550C3

TH36550C3 - แผงวงจร

Info

Publication number: TH36550C3
Application number: TH9901000442A
Authority: TH
Inventors: โอโมเตะ นายโตชิฮิโกะ; โอห์วากิ นายยาชูฮิโตะ; อิโตะ นายเคนอิชิโร
Original assignee: นายดำเนิน การเด่น; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก; นายวิรัช ศรีเอนกราธา; นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Filing date: 1999-02-16
Publication date: 2013-08-14

Abstract

DC60 (13/05/42) ในแผงวงจรที่มีวงจรของตัวนำถูกสร้างขึ้นบนชั้นคั่นฉนวน, ฝาครอบจะถูกสร้างขึ้นบนวงจร ของตัวนำ และขั้วต่อจะถูกเชื่อม ต่อกับวงจรของตัวนำโดยทะลุผ่านฝาครอบ เพื่อให้มีความแน่นอน สูง ในด้านการเชื่อมต่อระหว่างขั้วต่อของส่วนประกอบ อิเล็กทรอนิกส์ ที่ถูกสวมบนแผงวงจรและขั้วต่อ ของแผงวงจร จะมีความแตกต่างของระดับที่เท่ากับ 3 (สูตร) หรือน้อยกว่า นั้นระหว่างผิวหน้าของ ฝาครอบ และผิวหน้าของขั้วต่อ ในแผงวงจรที่มีวงจรของตัวนำถูกสร้างขึ้นบนชั้นคั่นฉนวน,ฝาครอบจะถูกสร้างขึ้นบนวงจรของตัวนำ และขั้วต่อจะถูกเชื่อม ต่อกับวงจรของตัวนำโดยทะลุผ่านฝาครอบ เพื่อให้มีความแน่นอน สูง ในด้านการเชื่อมต่อระหว่างขั้วต่อของส่วนประกอบ อิเล็กทรอนิกส์ ที่ถูกสวมบนแผงวงจร และขั้วต่อของแผงวงจร จะมีความแตกต่างของระดับที่เท่ากับ (สูตร) หรือน้อยกว่า นั้นระหว่างผิวหน้าของฝาครอบ และผิวหน้าของขั้วต่อ

Claims

1. แผงวงจร ซึ่งมีส่วนประกอบดังต่อไปนี้ชั้นคั่นฉนวน วงจรของตัวนำที่ถูกสร้างขึ้นบนชั้นคั่นฉนวนดังกล่าว ฝาครอบที่ถูกสร้างขึ้นบนวงจรของตัวนำดังกล่าว และ ขั้วต่อที่ถูกเชื่อมต่อกับวงจรของตัวนำดังกล่าว โดยทะลุ ผ่านฝาครอบดังกล่าว ซึ่งความแตกต่างของระดับระหว่างผิวหน้าของฝาครอบดังกล่าว และผิวหน้าของขั้วต่อดังกล่าว จะเท่ากับ (สูตร) หรือน้อย กว่านั้น 2. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งนอกจากนี้ยังประกอบด้วย รูทะลุที่ถูกสร้างขึ้นในฝาครอบดังกล่าว และขั้วต่อดังกล่าว จะถูกสร้างขึ้นในรูทะลุดังกล่าว และจะถูกเชื่อมต่อกับส่วน ที่เปิดรับแสงของวงจรของตัวนำดังกล่าว ซึ่งโผล่ขึ้นมาจากรู ทะลุดังกล่าว 3. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งฝาครอบดังกล่าว จะคลุม ผิวหนังด้านบน และผิวหนังด้านข้างของวงจรของตัวนำดังกล่าว 4. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งขั้วต่อดังกล่าวจะถูก สร้างขึ้นบนวงจรของตัวนำดังกล่าว โดยการชุบโลหะแบบอิเล็ก โตรลิติก 5. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งวงจรของตัวนำดังกล่าวจะ ประกอบด้วย ชิ้นประกอบอย่างน้อยหนึ่งชิ้นที่ถูกเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย ทองแดง, อะลูมินั่ม และทังสเตท 6. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งความหนาของวงจรของตัวนำ ดังกล่าว จะเท่ากับ 1 ถึง (สูตร) 7. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งชั้นคั่นฉนวนดังกล่าวจะ ประกอบด้วย ชิ้นประกอบอย่างน้อยหนึ่งชิ้น ที่ถูกเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย โพลีไอไมด์เรซิน, โพลีเอสเตอร์เรซิน และอีพอกซีเรซิน 8. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งความหนาของชั้นคั่นฉนวน ดังกล่าว จะเท่ากับ 3 ถึง (สูตร) 9. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งฝาครอบดังกล่าวจะประกอบ ด้วย ชิ้นประกอบอย่างน้อยหนึ่งชิ้นที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วย โพลีไอไมด์เรซิน, โพลีเอสเตอร์เรซิน และอีพอก ซีเรซิน 1 0. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งความหนาของฝาครอบดัง กล่าว จะเท่ากับ 1 ถึง (สูตร) 1

1. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งยังคงประกอบด้วย สับสเตรตที่เป็นโลหะที่ถูกติดตั้งไว้ใต้ชั้นคั่นฉนวนดัง กล่าว 1

2. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งสับสเตรตที่เป็นโลหะ ดังกล่าว จะประกอบด้วยชิ้นประกอบอย่างน้อยหนึ่งชิ้นที่ถูก เลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย เหล็กกล้าไร้สนิม, บรอนซ์ที่ เป็นฟอสฟอรัส และทองแดง 1

3. แผนวงจร ตามข้อถือสิทธิ 11 ซึ่งความหนาของสับสเตรตที่ เป็นโลหะดังกล่าว จะเท่ากับ 5 ถึง (สูตร) (ข้อถือสิทธิ 13 ข้อ, 2 หน้า, 14 รูป)