TH3336A - เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง - Google Patents

เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง

Info

Publication number
TH3336A
TH3336A TH8501000154A TH8501000154A TH3336A TH 3336 A TH3336 A TH 3336A TH 8501000154 A TH8501000154 A TH 8501000154A TH 8501000154 A TH8501000154 A TH 8501000154A TH 3336 A TH3336 A TH 3336A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
groove
solar cell
grooves
conducting
layer
Prior art date
Application number
TH8501000154A
Other languages
English (en)
Other versions
TH5326B (th
Inventor
แอนดรูว์ กรีน นายมาร์ติน
รอสส์ เวนแฮม นายสจ๊วต
Original Assignee
นายดำเนิน การเด่น
ยูนิเซิร์ช ลิมิเต็ด
Filing date
Publication date
Application filed by นายดำเนิน การเด่น, ยูนิเซิร์ช ลิมิเต็ด filed Critical นายดำเนิน การเด่น
Publication of TH3336A publication Critical patent/TH3336A/th
Publication of TH5326B publication Critical patent/TH5326B/th

Links

Abstract

ส่วนสัมผัสทางไฟฟ้าที่ทำขึ้นในร่องในผิวของสารกึ่งตัวนำช่วยให้การสัมผัสที่ดีกับวัสดุที่มีพื้นที่ภาคตัดขวางของการสัมผัสของส่วนสัมผัสที่กำหนดเมื่อเปรียบ เทียบกับส่วนสัมผัสที่มีพื้นที่ภาคตัดขวางเท่ากันที่ทำขึ้นบนผิวของวัสดุ ส่วนสัมผัสที่ เป็นร่องจะลดเซดดิงของผิวของวัสดุกึ่งตัวนำได้อย่างมีนัยสำคัญเมื่อเปรียบเทียบกับผิวสัมผัสที่เทียบเท่า

Claims (19)

1. เซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกิ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบโดยมีการสัมผัสเชิงไฟฟ้ากับวัสดุที่มีสภาพนำอย่างน้อยหนึ่งแบบที่ทำให้เกิดขึ้นโดยวัสดุตัวนำที่ให้มีอยู่ในร่องอย่างน้อยหนึ่งร่องที่ทำไว้ให้ผิวของเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าว ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางมากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง และที่ซึ่งที่ตั้งและรูปร่างของวัสดุตัวนำดังกล่าวจะถูกกำหนดโดยที่ตั้งและรูปร่างของร่องดังกล่าวแต่ละร่องและที่ซึ่งนอกจาก นี้แล้ววัสดุตัวนำจะถูกกักและบรรจุอยู่ในร่องดังกล่าวแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่แบบที่ว่า วัสดุตัวนำจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง
2. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนของความกว้างต่อความลึกของร่องดังกล่าวจะอยู่ในพิสัย 1:2 ถึง 1:7
3. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ภาคตัดขวางของร่องดังกล่าวเป็นรูปตัว U
4. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ภาคตัดขวางของร่องดังกล่าวเป็นรูปตัว V
5. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ที่ซึ่งรูปแบบของวัสดุตัวนำบนเซลล์จะหาได้โดยร่องดังกล่าวจำนวนหนึ่งที่ทำขึ้นไว้ในผิวของเซลล์ก่อนหน้าที่จะทำให้เกิดมีการสัมผัสขึ้น
6. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสง อาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางมากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่องและการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าเข้าไปแบบที่ว่าวัสดุตัวนำดังกล่าวจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องแต่ละร่องและบรรจุอยู่ในร่องดังกล่าวแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่จนมีความสูงอยู่เหนือส่วนก้นของร่องดังกล่าวอย่างน้อยก็มีความสูงขนาดความกว้างของร่องดังกล่าว ที่รวมถึงการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าในรูปที่เป็นแป้งเปียกที่ให้ลงบนผิวเซลล์โดยจังหวะกวาดของลูกกลิ้งยาวหรือไม้ปาด
7. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการใส่ชั้นฉนวนให้ผิวเซลล์ การทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ผ่านชั้นฉนวน ที่ซึ่งร่องดัง กล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง และการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าแบบที่ว่าวัสดุตัวนำดังกล่าวจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องแต่ละร่องและบรรจุอยู่ในแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่จนสูงกว่าส่วนก้นของร่องดังกล่าวอย่างน้อยก็สูงเท่าความกว้างของร่อง ร่องดังกล่าวแต่ละร่องถูกปิดคลุมด้วยโลหะเป็นส่วนใหญ่โดยการเลือกชุบร่องแต่ละร่องด้วยโลหะแบบใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส
8. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าขึ้นในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่สภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการให้ชั้นฉนวนแก่ผิวเซลล์ การทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ผ่านชั้นฉนวน ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มาก กว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง ร่องดังกล่าวแต่ละร่องถูกชุบด้วยโลหะในลำดับต่อมาโดยการเลือกชุบร่องแต่ละร่องด้วยโลหะแบบใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส ในลำดับต่อมาร่องแต่ละร่องถูกบรรจุจนมีความลึกพอๆ กับความกว้าง ของร่องหรือมากกว่าโดยการจุ่มเซลล์ดังกล่าวไว้ในโลหะที่หลอมเหลว โลหะที่หลอม เหลวดังกล่าวโดยเหมาะแล้วจะเกาะกับร่องที่ได้ชุดด้วยโลหะด้วยแล้วแต่ละร่อง
9. วิธีการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วย วัสดุกึ่งตัวนำที่สภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนการทำชั้นกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำแบบแรกไว้บนผิวของซับสเตรทตัวนำที่มีสภาพนำแบบตรงข้าม การทำชั้นฉนวนไว้บนชั้นดังกล่าวที่มีสภาพนำแบบแรก การทำร่องผ่านชั้นฉนวนดังกล่าวและชั้นดังกล่าวที่ มีสภาพแบบแรกเข้าไปในซับสเตรทดังกล่าว ที่ซึ่งร่องแต่ละร่องดังกล่าวยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง การใส่สารไม่บริสุทธิ์ที่มีสภาพนำแบบแรกเข้าไปในบริเวณซับสเตรทของร่องดังกล่าวโดยใช้ชั้นฉนวนดังกล่าวป้องกันมิให้มีการใส่สารไม่บริสุทธิ์เข้าไปในบริเวณที่ไม่ได้ทำเป็นร่องและลำดับต่อมาเลือกชุบผิวในร่องดังกล่าวด้วยโลหะแบบที่จะบรรจุร่องดังกล่าวจนมีความสูงพอๆ กับความกว้างของร่องเป็นอย่างน้อย
10. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ซึ่งลำดับต่อมาโลหะจะถูกเลือกชุบลงในร่องดังกล่าวโดยการชุบด้วยไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส การชุบผิวดัง กล่าวจะดำเนินต่อไปเพื่อทำให้ร่องเต็ม
11. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่รวมถึงเลือกให้โลหะจับเกาะภายในร่องดังกล่าวโดยการใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส ตามด้วยการทำให้ร่องเต็มโดยการจุ่มลงในโลหะหลอมเหลวซึ่งจะเลือกเกาะลงบนร่องที่ได้ชุบผิวไว้ก่อนหน้า แล้ว
12. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ถึง 11 ที่ซึ่งร่องถูกทำขึ้นโดยการเซาะด้วยเลเซอร์
13. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ถึง 11 ที่ซึ่งร่องถูกทำขึ้นโดยการกัดกร่อนเชิงกล
14. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ที่ซึ่งสารแป้งเปียกที่เป็นตัวนำประกอบด้วยเงิน
15. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นนิเกิล
16. วิธีดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นชั้นนิเกิลตามด้วยชั้นทองแดง
17. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นชั้นนิเกิลตามด้วยชั้นทองแดง และชั้นต่อมาเป็นนิเกิล หรือ ดีบุก หรือเงิน
18. เซลล์แสงอาทิตย์ที่เป็นตามที่ได้กล่าวไว้ข้างต้นโดยอ้างอิงกับรูปเขียนที่แนบมา
19. วิธีการทำให้การสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์เป็นตามที่ได้บรรยายไว้ข้างต้นโดยอ้างอิงกับรูปเขียนที่แนบมา
TH8501000154A 1985-03-26 เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง TH5326B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH3336A true TH3336A (th) 1986-06-02
TH5326B TH5326B (th) 1996-03-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR850006781A (ko) 기판상에 전기 접촉부를 형성시키는 방법
Peled The electrochemical behavior of alkali and alkaline earth metals in nonaqueous battery systems—the solid electrolyte interphase model
KR101764684B1 (ko) 개선된 션트 저항을 갖는 후면 접촉 광전지
US6210555B1 (en) Electrodeposition of metals in small recesses for manufacture of high density interconnects using reverse pulse plating
US4571664A (en) Solid electrolyte capacitor for surface mounting
US4571662A (en) Leadless capacitors
US4488204A (en) Device for use in making encapsulated chip capacitor assemblies
MXPA00005871A (es) ELECTRODEPOSICION DE METALES EN RECESOS PEQUEnOS USANDO CAMPOS ELECTRICOS MODULADOS.
EP1122989A3 (en) Method of plating for filling via holes
DE69919888D1 (de) Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise
KR930701837A (ko) 태양전지접점구성 및 태양전지연결방법
US4209358A (en) Method of fabricating a microelectronic device utilizing unfilled epoxy adhesive
DE10152203A1 (de) Elektrolytkondensator und Herstellung desselben
US2671950A (en) Method of constructing thermopiles
KR970700924A (ko) 고체전해콘덴서 및 그 제조방법
EP0219815B1 (en) Coaxial interconnection boards and process for making same
KR940016630A (ko) 반도체 장치 및 제조방법
US4188706A (en) Method for making a plurality of solid electrolyte capacitors and capacitors made thereby
TH5326B (th) เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง
CN1822407A (zh) 热电组件及其制造方法
US3646404A (en) Solid-state electrolytic capacitor and method of making same
CA2771013A1 (en) Method for producing an emitter electrode for a crystalline silicon solar cell, and corresponding silicon solar cell
US20040094321A1 (en) Capacitor element with thick cathode layer
US3956676A (en) Electrical device having anode riser assembly with polymeric film means
GB1559247A (en) Photovoltaic cell array