TH3336A - เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง - Google Patents
เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝังInfo
- Publication number
- TH3336A TH3336A TH8501000154A TH8501000154A TH3336A TH 3336 A TH3336 A TH 3336A TH 8501000154 A TH8501000154 A TH 8501000154A TH 8501000154 A TH8501000154 A TH 8501000154A TH 3336 A TH3336 A TH 3336A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- groove
- solar cell
- grooves
- conducting
- layer
- Prior art date
Links
Abstract
ส่วนสัมผัสทางไฟฟ้าที่ทำขึ้นในร่องในผิวของสารกึ่งตัวนำช่วยให้การสัมผัสที่ดีกับวัสดุที่มีพื้นที่ภาคตัดขวางของการสัมผัสของส่วนสัมผัสที่กำหนดเมื่อเปรียบ เทียบกับส่วนสัมผัสที่มีพื้นที่ภาคตัดขวางเท่ากันที่ทำขึ้นบนผิวของวัสดุ ส่วนสัมผัสที่ เป็นร่องจะลดเซดดิงของผิวของวัสดุกึ่งตัวนำได้อย่างมีนัยสำคัญเมื่อเปรียบเทียบกับผิวสัมผัสที่เทียบเท่า
Claims (19)
1. เซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกิ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบโดยมีการสัมผัสเชิงไฟฟ้ากับวัสดุที่มีสภาพนำอย่างน้อยหนึ่งแบบที่ทำให้เกิดขึ้นโดยวัสดุตัวนำที่ให้มีอยู่ในร่องอย่างน้อยหนึ่งร่องที่ทำไว้ให้ผิวของเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าว ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางมากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง และที่ซึ่งที่ตั้งและรูปร่างของวัสดุตัวนำดังกล่าวจะถูกกำหนดโดยที่ตั้งและรูปร่างของร่องดังกล่าวแต่ละร่องและที่ซึ่งนอกจาก นี้แล้ววัสดุตัวนำจะถูกกักและบรรจุอยู่ในร่องดังกล่าวแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่แบบที่ว่า วัสดุตัวนำจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง
2. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนของความกว้างต่อความลึกของร่องดังกล่าวจะอยู่ในพิสัย 1:2 ถึง 1:7
3. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ภาคตัดขวางของร่องดังกล่าวเป็นรูปตัว U
4. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง ภาคตัดขวางของร่องดังกล่าวเป็นรูปตัว V
5. เซลล์แสงอาทิตย์ดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิก่อนหน้านี้ที่ซึ่งรูปแบบของวัสดุตัวนำบนเซลล์จะหาได้โดยร่องดังกล่าวจำนวนหนึ่งที่ทำขึ้นไว้ในผิวของเซลล์ก่อนหน้าที่จะทำให้เกิดมีการสัมผัสขึ้น
6. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสง อาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางมากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่องและการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าเข้าไปแบบที่ว่าวัสดุตัวนำดังกล่าวจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องแต่ละร่องและบรรจุอยู่ในร่องดังกล่าวแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่จนมีความสูงอยู่เหนือส่วนก้นของร่องดังกล่าวอย่างน้อยก็มีความสูงขนาดความกว้างของร่องดังกล่าว ที่รวมถึงการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าในรูปที่เป็นแป้งเปียกที่ให้ลงบนผิวเซลล์โดยจังหวะกวาดของลูกกลิ้งยาวหรือไม้ปาด
7. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการใส่ชั้นฉนวนให้ผิวเซลล์ การทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ผ่านชั้นฉนวน ที่ซึ่งร่องดัง กล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง และการใส่วัสดุตัวนำเชิงไฟฟ้าแบบที่ว่าวัสดุตัวนำดังกล่าวจะสัมผัสแนบสนิทกับผนังของร่องแต่ละร่องและบรรจุอยู่ในแต่ละร่องเป็นส่วนใหญ่จนสูงกว่าส่วนก้นของร่องดังกล่าวอย่างน้อยก็สูงเท่าความกว้างของร่อง ร่องดังกล่าวแต่ละร่องถูกปิดคลุมด้วยโลหะเป็นส่วนใหญ่โดยการเลือกชุบร่องแต่ละร่องด้วยโลหะแบบใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส
8. วิธีการทำให้เกิดการสัมผัสเชิงไฟฟ้าขึ้นในเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำที่สภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยการให้ชั้นฉนวนแก่ผิวเซลล์ การทำให้เกิดร่องขึ้นอย่างน้อยหนึ่งร่องในผิวเซลล์ผ่านชั้นฉนวน ที่ซึ่งร่องดังกล่าวแต่ละร่องยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มาก กว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง ร่องดังกล่าวแต่ละร่องถูกชุบด้วยโลหะในลำดับต่อมาโดยการเลือกชุบร่องแต่ละร่องด้วยโลหะแบบใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส ในลำดับต่อมาร่องแต่ละร่องถูกบรรจุจนมีความลึกพอๆ กับความกว้าง ของร่องหรือมากกว่าโดยการจุ่มเซลล์ดังกล่าวไว้ในโลหะที่หลอมเหลว โลหะที่หลอม เหลวดังกล่าวโดยเหมาะแล้วจะเกาะกับร่องที่ได้ชุดด้วยโลหะด้วยแล้วแต่ละร่อง
9. วิธีการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่ประกอบด้วย วัสดุกึ่งตัวนำที่สภาพนำสองแบบ วิธีดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนการทำชั้นกึ่งตัวนำที่มีสภาพนำแบบแรกไว้บนผิวของซับสเตรทตัวนำที่มีสภาพนำแบบตรงข้าม การทำชั้นฉนวนไว้บนชั้นดังกล่าวที่มีสภาพนำแบบแรก การทำร่องผ่านชั้นฉนวนดังกล่าวและชั้นดังกล่าวที่ มีสภาพแบบแรกเข้าไปในซับสเตรทดังกล่าว ที่ซึ่งร่องแต่ละร่องดังกล่าวยื่นเข้าไปในเซลล์แสงอาทิตย์ดังกล่าวเป็นระยะทางที่มากกว่าความกว้างเฉลี่ยของร่องที่เกี่ยวข้องแต่ละร่อง การใส่สารไม่บริสุทธิ์ที่มีสภาพนำแบบแรกเข้าไปในบริเวณซับสเตรทของร่องดังกล่าวโดยใช้ชั้นฉนวนดังกล่าวป้องกันมิให้มีการใส่สารไม่บริสุทธิ์เข้าไปในบริเวณที่ไม่ได้ทำเป็นร่องและลำดับต่อมาเลือกชุบผิวในร่องดังกล่าวด้วยโลหะแบบที่จะบรรจุร่องดังกล่าวจนมีความสูงพอๆ กับความกว้างของร่องเป็นอย่างน้อย
10. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่ซึ่งลำดับต่อมาโลหะจะถูกเลือกชุบลงในร่องดังกล่าวโดยการชุบด้วยไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส การชุบผิวดัง กล่าวจะดำเนินต่อไปเพื่อทำให้ร่องเต็ม
11. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ที่รวมถึงเลือกให้โลหะจับเกาะภายในร่องดังกล่าวโดยการใช้ไฟฟ้าหรือแบบไร้กระแส ตามด้วยการทำให้ร่องเต็มโดยการจุ่มลงในโลหะหลอมเหลวซึ่งจะเลือกเกาะลงบนร่องที่ได้ชุบผิวไว้ก่อนหน้า แล้ว
12. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ถึง 11 ที่ซึ่งร่องถูกทำขึ้นโดยการเซาะด้วยเลเซอร์
13. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ถึง 11 ที่ซึ่งร่องถูกทำขึ้นโดยการกัดกร่อนเชิงกล
14. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ที่ซึ่งสารแป้งเปียกที่เป็นตัวนำประกอบด้วยเงิน
15. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นนิเกิล
16. วิธีดังที่ได้ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นชั้นนิเกิลตามด้วยชั้นทองแดง
17. วิธีดังที่ได้ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 7 หรือ 10 ที่ซึ่งโลหะที่ชุบเป็นชั้นนิเกิลตามด้วยชั้นทองแดง และชั้นต่อมาเป็นนิเกิล หรือ ดีบุก หรือเงิน
18. เซลล์แสงอาทิตย์ที่เป็นตามที่ได้กล่าวไว้ข้างต้นโดยอ้างอิงกับรูปเขียนที่แนบมา
19. วิธีการทำให้การสัมผัสเชิงไฟฟ้าในเซลล์แสงอาทิตย์เป็นตามที่ได้บรรยายไว้ข้างต้นโดยอ้างอิงกับรูปเขียนที่แนบมา
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH3336A true TH3336A (th) | 1986-06-02 |
| TH5326B TH5326B (th) | 1996-03-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850006781A (ko) | 기판상에 전기 접촉부를 형성시키는 방법 | |
| Peled | The electrochemical behavior of alkali and alkaline earth metals in nonaqueous battery systems—the solid electrolyte interphase model | |
| KR101764684B1 (ko) | 개선된 션트 저항을 갖는 후면 접촉 광전지 | |
| US6210555B1 (en) | Electrodeposition of metals in small recesses for manufacture of high density interconnects using reverse pulse plating | |
| US4571664A (en) | Solid electrolyte capacitor for surface mounting | |
| US4571662A (en) | Leadless capacitors | |
| US4488204A (en) | Device for use in making encapsulated chip capacitor assemblies | |
| MXPA00005871A (es) | ELECTRODEPOSICION DE METALES EN RECESOS PEQUEnOS USANDO CAMPOS ELECTRICOS MODULADOS. | |
| EP1122989A3 (en) | Method of plating for filling via holes | |
| DE69919888D1 (de) | Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise | |
| KR930701837A (ko) | 태양전지접점구성 및 태양전지연결방법 | |
| US4209358A (en) | Method of fabricating a microelectronic device utilizing unfilled epoxy adhesive | |
| DE10152203A1 (de) | Elektrolytkondensator und Herstellung desselben | |
| US2671950A (en) | Method of constructing thermopiles | |
| KR970700924A (ko) | 고체전해콘덴서 및 그 제조방법 | |
| EP0219815B1 (en) | Coaxial interconnection boards and process for making same | |
| KR940016630A (ko) | 반도체 장치 및 제조방법 | |
| US4188706A (en) | Method for making a plurality of solid electrolyte capacitors and capacitors made thereby | |
| TH5326B (th) | เซลล์แสงอาทิตย์แบบส่วนสัมผัสชนิดฝัง | |
| CN1822407A (zh) | 热电组件及其制造方法 | |
| US3646404A (en) | Solid-state electrolytic capacitor and method of making same | |
| CA2771013A1 (en) | Method for producing an emitter electrode for a crystalline silicon solar cell, and corresponding silicon solar cell | |
| US20040094321A1 (en) | Capacitor element with thick cathode layer | |
| US3956676A (en) | Electrical device having anode riser assembly with polymeric film means | |
| GB1559247A (en) | Photovoltaic cell array |