TH30695A - ระนาบสำหรับกำลัง-กราวด์สำหรับชั้นฐานฟลิป-ชิปแบบซี4 - Google Patents
ระนาบสำหรับกำลัง-กราวด์สำหรับชั้นฐานฟลิป-ชิปแบบซี4Info
- Publication number
- TH30695A TH30695A TH9701002448A TH9701002448A TH30695A TH 30695 A TH30695 A TH 30695A TH 9701002448 A TH9701002448 A TH 9701002448A TH 9701002448 A TH9701002448 A TH 9701002448A TH 30695 A TH30695 A TH 30695A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- plane
- package
- base layer
- clause
- conduction
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (14/11/44) แพกเคจสำหรับวงจรรวมที่จะบรรจุด้วยชุดของช่องว่างไดอิเล็กตริก ที่มีรูปวงกลมขนาดเล็กที่จะทำการแยกจุดต่อออกจากระนาบการนำไฟฟ้าของแพกเคจนั้น แพกเคจ นั้นจะมีระนาบการนำไฟฟ้าภายในที่หนึ่งระนาบการนำไฟฟ้าภายในที่สองและแผ่นรอง การยึดติดหลายๆแผ่นที่ได้รับการกำหนดให้อยู่บนผิวด้านบนของชั้นฐาน ชั้นฐานจะมีจุดต่อ หลายๆจุดที่ขยายผ่านระนาบการนำไฟฟ้าที่หนึ่งเพื่อที่จะต่อระนาบการนำไฟฟ้าที่สองเข้ากับแผ่น รองการยึดติด แพกเคจจะมีช่องว่างไดอิเล็กตริกที่ร่วมจุดศูนย์กลางกันหลายช่องที่จะ แยกจุดต่อออกจากระนาบการนำไฟฟ้าที่หนึ่ง ช่องว่างที่ร่วมจุดศูนย์กลางขนาดเล็กนั้นจะ ทำให้พื้นที่ของระนาบการนำไฟฟ้ามีค่าที่เหมาะสมที่สุด เพื่อที่จะทำให้ค่าความต้านทานมีค่า น้อยที่สุด และทำให้ค่าความจุของตัวถังนั้นมีค่ามากที่สุด แพกเคจสำหรับวงจรรวมที่จะบรรจุด้วยชุดของช่องว่างไดอิเล็กตริก ที่มีรูปวงกลมขนาดเล็กที่จะทำการแยกจุดต่อออกจากระนาบการนำไฟฟ้าของแพกเคจนั้น แพกเคจ นั้นจะมีระนาบการนำไฟฟ้าภายในที่หนึ่งระนาบการนำไฟฟ้าภายในที่สองและแผ่นรอง การยึดติดหลายๆแผ่นที่ได้รับการกำหนดให้อยู่บนผิวด้านบนของชั้นฐาน ชั้นฐานจะมีจุดต่อ หลายๆจุดที่ขยายผ่านระนาบการนำไฟฟ้าที่หนึ่งเพื่อที่จะต่อระนาบการนำไฟฟ้าที่สองเข้ากับแผ่น รองการยึดติด แพกเคจจะมีช่องว่างไดอิเล็กตริกที่ร่วมจุดศูนย์กลางกันหลายช่องที่จะ แยกจุดต่อออกจากระนาบการนำไฟฟ้าที่หนึ่ง ช่องว่างที่ร่วมศูนย์กลางขนาดเล็กนั้นจะ ทำให้พื้นที่ของระนาบการนำไฟฟ้ามีค่าที่เหมาะสมที่สุด เพื่อที่จะทำให้ค่าความต้านทานมีค่า น้อยที่สุด และทำให้ค่าความจุของตัวถังนั้นมีค่ามากที่สุด
Claims (4)
1. แพกเคจดังที่ได้กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่งลายวงจรที่เป็นการกำหนดเส้นทางของ สัญญาณดังกล่าวได้รับการต่อเข้ากับแผ่นรองการยึดติดดังกล่าวโดยจุดต่อดังกล่าว 1
2. แพกเคจดังที่ได้กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ประกอบรวมต่อไปอีกด้วยตัวเก็บประจุที่ได้ รับการติดตั้งเข้ากับพื้นผิวด้านบนสุดดังกล่าวของชั้นฐานดังกล่าวและต่อเข้ากับระนาบการนำไฟฟ้าที่ หนึ่งและที่สองดังกล่าว 1
3. แพกเคจดังที่ได้กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งระนาบการนำไฟฟ้าที่หนึ่งดังกล่าวได้ รับการใช้เฉพาะกับกำลังทางไฟฟ้า และระนาบการนำไฟฟ้าที่สองดังกล่าวได้รับการใช้เฉพาะกับ กราวด์ทางไฟฟ้า 1
4. แพกเคจดังที่ได้กล่าวไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 8 ที่ซึ่งจุดต่อดังกล่าวได้รับการจัดไว้ในแถว ลำดับแบบสองมิติ ของแถวแนวนอนและแถวแนวตั้ง
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH30695A true TH30695A (th) | 1998-10-30 |
| TH13490B TH13490B (th) | 2002-09-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4975761A (en) | High performance plastic encapsulated package for integrated circuit die | |
| US5050039A (en) | Multiple circuit chip mounting and cooling arrangement | |
| US4945399A (en) | Electronic package with integrated distributed decoupling capacitors | |
| KR100252731B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스용 패키지 | |
| US6525942B2 (en) | Heat dissipation ball grid array package | |
| CA1232364A (en) | Wafer-scale-integrated assembly | |
| CA1201820A (en) | Semiconductor integrated circuit including a lead frame chip support | |
| US6501157B1 (en) | Substrate for accepting wire bonded or flip-chip components | |
| US4755866A (en) | Electronic circuit module | |
| JP3758678B2 (ja) | 高性能集積回路パッケージ | |
| US5016087A (en) | Integrated circuit package | |
| US20080067662A1 (en) | Modularized Die Stacking System and Method | |
| KR970030749A (ko) | 집적 회로 패키지 | |
| TW363335B (en) | Structure of a thermally and electrically enhanced plastic ball grid array package | |
| JPH10270592A5 (th) | ||
| WO2004097905A3 (en) | Dc-dc converter implemented in a land grid array package | |
| US5606199A (en) | Resin-molded type semiconductor device with tape carrier connection between chip electrodes and inner leads of lead frame | |
| JPH09167813A5 (th) | ||
| GB2330235A (en) | A power-ground plane for a C4 flip-chip substrate | |
| JP4480818B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US7501313B2 (en) | Method of making semiconductor BGA package having a segmented voltage plane | |
| US5371403A (en) | High performance package using high dielectric constant materials for power/ground and low dielectric constant materials for signal lines | |
| US7057116B2 (en) | Selective reference plane bridge(s) on folded package | |
| TW200518270A (en) | Semiconductor device, and wiring-layout design system for automatically designing wiring-layout in such semiconductor device | |
| EP1041618A4 (en) | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC SYSTEM |