TH30235B - สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต - Google Patents
สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรตInfo
- Publication number
- TH30235B TH30235B TH9601003521A TH9601003521A TH30235B TH 30235 B TH30235 B TH 30235B TH 9601003521 A TH9601003521 A TH 9601003521A TH 9601003521 A TH9601003521 A TH 9601003521A TH 30235 B TH30235 B TH 30235B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- percent
- mixture
- weight
- pursuant
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (11/01/51) การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์ สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก
Claims (48)
1. สารผสมสำหรับการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นแผงวงจรรวมซึ่ง ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอมีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด
2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งมีเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะในปริมาณ เพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอชจากประมาณ 11 ถึงประมาณ 13
3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ และ ปราศจากไอออนของโลหะคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม
4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า
6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ดังกล่าว เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และสารประกอบ โพลีไฮดรอกซี
8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า
9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมคือจากประมาณจาก 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
10. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออไรด์
11. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า
12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำ ได้คือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์และเอมีนอินทรีย์
14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเอมีนอินทรีย์
15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์,เมทิลไตรเอทานอล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์
16. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกตและควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต
17. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะนั้นคือ เททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต
18. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์จาก ประมาณ 0.1-2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกตประมาณ 0.01-1เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
19. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งยังมี ทรานส์-(1,2-ไซโครเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติกแอซิค จากประมาณ 0.01-1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
20. สารผสมทางเคมีซึ่งเกิดจากการผสม (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในตัวซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น' -เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอลีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนติโล)-เททระอะซิติก แอซิด
21. สารผสมสำหรับกวาดหรือทำความสะอาดสับสเตรตในวงจรกันซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) สารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ
22. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมดังกล่าวคือจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
23. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการจำกัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออโรด์
24. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่ง หรือมากกว่าจะมีอยู่ในปริมาณที่เพียงพอที่จะให้ pH ของสารผสมจากประมาณ 11 ถึง ประมาณ 13
25. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และ ปราศจากไอออนคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม
26. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า
27. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
28. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตคือกรดอะมิโนคาร์บอกซิลิก
29. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติด แอซิด, 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'- เททระอะซิติก แอซิด,เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอมีนเททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด
30. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า
31. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
32. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ ดังกล่าวเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และ วารประกอบโพลีไฮดรอกซี
33. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือ มากกว่า
34. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 33 ในที่ซึ่งสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้คือสารลดแรง ตึงผิวนอนไอออนิก เอธอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออล
35. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซค์และเอมีนอินทรีย์
36. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 35 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และ เอมีนอินทรีย์
37. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, เมทิลไตรเอทานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์
38. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกต และควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต
39. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะคือเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต
40. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์จาก ประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 3 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักเทียบจากน้ำหนักของสารผสม
41. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งยังมีทรานส์(1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติก แอซิด จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ สารผสม
42. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียม คือ ไฮดรอกซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ มีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
43. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 42 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะ คือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะคือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ซิลิเกต
44. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมคือ ไฮดรอก ซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และ สารผสมยังมีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจาก ประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักของสารผสม
45. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ คือ กลีเซอรอล
46. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 45 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
47. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งสารผสมยังมีกลีเซอรอลในรูปตัวทำละลาย อินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ในปริมาณจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดย น้ำหนักของสารผสม
48. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH30235A TH30235A (th) | 1998-09-30 |
| TH37725A TH37725A (th) | 2000-03-20 |
| TH16388B TH16388B (th) | 2004-03-10 |
| TH30235B true TH30235B (th) | 2011-07-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2330747A1 (en) | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
| US5977041A (en) | Aqueous rinsing composition | |
| KR100764888B1 (ko) | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 식각된 잔사의 세척을위한 조성물 | |
| EP1576072B1 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| JP4147320B2 (ja) | プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
| US6191086B1 (en) | Cleaning composition and method for removing residues | |
| KR100746056B1 (ko) | 기판표면 세정액 및 세정방법 | |
| US20090120457A1 (en) | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices | |
| KR101056544B1 (ko) | 마이크로전자 기판용 박리 및 세정 조성물 | |
| US11124740B2 (en) | Post chemical mechanical polishing cleaning compositions | |
| WO2020046539A1 (en) | Post cmp cleaning compositions for ceria particles | |
| JP2021192429A (ja) | セリア粒子を表面から除去するための組成物及び方法 | |
| US20020077259A1 (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microlelectronic substrates | |
| WO2002094462A1 (fr) | Procede de nettoyage de la surface d'un substrat | |
| CA2544198A1 (en) | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors | |
| JP2008198994A (ja) | 半導体基材用洗浄剤 | |
| JPWO2009072529A1 (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄方法及び洗浄液 | |
| KR20040041019A (ko) | 반도체 기판용 세정액 | |
| US8614175B2 (en) | Cleaning solution composition for a solar cell | |
| CN101223265A (zh) | 剥离剂组合物 | |
| JP2003068696A (ja) | 基板表面洗浄方法 | |
| JP2003228180A (ja) | 銅配線基板向け洗浄液およびこれを使用したレジスト剥離方法 | |
| JP2003088817A (ja) | 基板表面洗浄方法 | |
| TH37725A (th) | สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต | |
| WO1999051796A1 (en) | Method for removing photoresist and plasma etch residues |