TH30235B - An alkaline mixture containing silicate for cleaning microelectronic substrates. - Google Patents

An alkaline mixture containing silicate for cleaning microelectronic substrates.

Info

Publication number
TH30235B
TH30235B TH9601003521A TH9601003521A TH30235B TH 30235 B TH30235 B TH 30235B TH 9601003521 A TH9601003521 A TH 9601003521A TH 9601003521 A TH9601003521 A TH 9601003521A TH 30235 B TH30235 B TH 30235B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
percent
mixture
weight
pursuant
Prior art date
Application number
TH9601003521A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH30235A (en
TH37725A (en
TH16388B (en
Inventor
ฟู เยห์ เทียน
ซี สกี นายเดวิด
Original Assignee
เทียนฟู เยห์
อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์
Filing date
Publication date
Publication of TH30235A publication Critical patent/TH30235A/en
Application filed by เทียนฟู เยห์, อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์ filed Critical เทียนฟู เยห์
Publication of TH37725A publication Critical patent/TH37725A/en
Publication of TH16388B publication Critical patent/TH16388B/en
Publication of TH30235B publication Critical patent/TH30235B/en

Links

Abstract

DC60 (11/01/51) การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์ สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักDC60 (11/01/51) This invention provides an aqueous alkaline solution mixture with industrial and microelectronic uses for stripping or cleaning wafer and semiconductor substrates by removing photosensitive residue or other unwanted contaminants. This mixture typically consists of (a) one or more metal-ionized deionized bases in sufficient quantities to achieve a pH of approximately 11 or greater; (b) approximately 0.01 percent to approximately 5 percent by weight of water-soluble and metal-ionized deionized silicates (expressed as a percentage of SiO2); and (c) may contain one or more chelating agents from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight (d) may contain a water-soluble organic solvent from approximately 0.01 percent to approximately 80 percent by weight (e) may contain a titanium residue removal enhancer from approximately 1 percent to approximately 50 percent by weight and (f) may contain a water-soluble surfactant from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight. This invention provides an aqueous alkaline solution mixture that is useful in the microelectronics industry for stripping or cleaning semiconductor wafer substrates by removing photosensitive residue or other unwanted contaminants. The mixture typically consists of (a) one or more deionized metal bases in sufficient quantities to achieve a pH of approximately 11 or greater; (b) approximately 0.01 percent to approximately 5 percent by weight of water-soluble and deionized metal silicates (expressed as a percentage of SiO2); (c) may contain one or more chelating agents from approximately (d) may contain water-soluble organic solvents from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight; (e) may contain titanium residue removal enhancers from approximately 1 percent to approximately 50 percent by weight; and (f) may contain water-soluble surfactants from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight.

Claims (48)

1. สารผสมสำหรับการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นแผงวงจรรวมซึ่ง ประกอบรวมด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอมีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด1. A mixture for stripping or cleaning integrated circuit substrates, consisting of (a) one or more deionized metal bases; (b) one or more water-soluble, deionized metal silicates; (c) one or more chelating agents; and (d) water, where the chelating agent is selected from the group consisting of (ethylenedinitrilo)tetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropane-n,n,n',n'-tetraacetic acid, n,n,n',n'-ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid) and (1,2-cyclohexylenedinitrilo)-tetraacetic acid. 2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งมีเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะในปริมาณ เพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอชจากประมาณ 11 ถึงประมาณ 132. A mixture according to claim 1 in which a metal-free base is present in sufficient quantity to achieve a pH of approximately 11 to approximately 13. 3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ และ ปราศจากไอออนของโลหะคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม3. Mixtures pursuant to claim 1 where the concentration of water-soluble, metal-ion-free silicate is from approximately 0.01 percent to approximately 5 percent by weight (in the form of SiO2) of the mixture. 4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม4. A mixture pursuant to claim 1 where the concentration of the chelating agent is from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight of the mixture. 5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า5. A mixture as per claim 1, which also contains one or more water-soluble organic solvents. 6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม6. Mixtures pursuant to claim paragraph 5 where the concentration of the water-soluble organic solvent is approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by weight of the mixture. 7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ดังกล่าว เลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และสารประกอบ โพลีไฮดรอกซี7. The mixtures under claim 5, where the water-soluble co-organic solvent is selected from a group containing 1-hydroxyalkyl-2-pyrrolidinone, alcohols and polyhydroxy compounds. 8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า8. A mixture as per claim 1, which also contains one or more titanium dioxide removal additives. 9. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมคือจากประมาณจาก 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม9. Mixtures pursuant to claim paragraph 8 where the concentration of the titanium dioxide removal additive is from approximately 1 percent to approximately 50 percent by weight of the mixture. 10. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออไรด์10. The mixture pursuant to claim 1 in which the titanium residue removal additive is selected from a group consisting of hydroxylamine, hydroxylamine salts, peroxide, ozone, and fluoride. 11. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือมากกว่า11. A mixture according to claim 1 which also contains one or more water-soluble surfactants. 12. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำ ได้คือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม12. Mixtures pursuant to claim 11 where the concentration of the water-soluble surfactant is from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture. 13. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซด์และเอมีนอินทรีย์13. A mixture according to claim 1 in which the base is selected from groups consisting of hydroxides and organic amines. 14. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเอมีนอินทรีย์14. A mixture pursuant to claim 13 in which the base is selected from a group consisting of quaternary ammonium hydroxide, ammonium hydroxide and organic amines. 15. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งเบสนั้นเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์,เมทิลไตรเอทานอล แอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์15. A mixture pursuant to claim 1 in which the base is selected from a group consisting of choline, tetrabutyl ammonium hydroxide, tetramethyl ammonium hydroxide, methyl triethanol ammonium hydroxide and methyl triethyl ammonium hydroxide. 16. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกตและควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต16. A mixture pursuant to claim 1 in which a water-soluble, deionized metal silicate is selected from a group consisting of ammonium silicate and quaternary ammonium silicate. 17. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะนั้นคือ เททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต17. The mixture according to claim 1 in which the water-soluble, deionized metal silicate is tetramethylammonium silicate. 18. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์จาก ประมาณ 0.1-2 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกตประมาณ 0.01-1เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม18. A mixture according to claim 1, containing approximately 0.1-2 percent by weight of tetramethylammonium hydroxide and approximately 0.01-1 percent by weight of tetramethylammonium silicate. 19. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งยังมี ทรานส์-(1,2-ไซโครเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติกแอซิค จากประมาณ 0.01-1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม19. A mixture pursuant to claim 18 which also contains trans-(1,2-cyclohexylene dinitrilo)tetraacetic acid from approximately 0.01-1 percent by weight of the mixture. 20. สารผสมทางเคมีซึ่งเกิดจากการผสม (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) ตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ ในตัวซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติกแอซิด, 1,3-ไดอะมิโน- 2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น' -เททระอะซิติก แอซิด, เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอลีน เททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดโนติโล)-เททระอะซิติก แอซิด20. A chemical mixture formed by the combination of (a) one or more deionized metal bases; (b) one or more water-soluble, deionized metal silicates; (c) one or more chelating agents; and (d) water in which the chelating agent is selected from the group consisting of (ethylenedinitrilo)tetraacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, triethylenetetraminehexaacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropane-n,n,n',n'-tetraacetic acid, n,n,n',n'-ethylenedieleentetra(methylenephosphonic acid) and (1,2-cyclohexylenedinotilo)-tetraacetic acid. 21. สารผสมสำหรับกวาดหรือทำความสะอาดสับสเตรตในวงจรกันซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะ; (c) สารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมชนิดหนึ่งหรือมากกว่า; และ (d) น้ำ21. A mixture for sweeping or cleaning substrates in a circuit consisting of: (a) one or more deionized metal bases; (b) water-soluble and deionized metal silicates; (c) one or more titanium sludge removal enhancers; and (d) water. 22. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของสารเพิ่มการกำจัดกาก ไทเทเนียมดังกล่าวคือจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม22. The mixtures under claim 21 where the concentration of the titanium sludge removal additive is from approximately 1 percent to approximately 50 percent by weight of the mixture. 23. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการจำกัดกากไทเทเนียมเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกซิลามีน, เกลือของไฮดรอกซิลามีน, เปอร์ออกไซค์, โอโซน และ ฟลูออโรด์23. Mixtures pursuant to claim 22 where titanium residue limiting agents are selected from a group consisting of hydroxylamine, hydroxylamine salts, peroxide, ozone, and fluoride. 24. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่ง หรือมากกว่าจะมีอยู่ในปริมาณที่เพียงพอที่จะให้ pH ของสารผสมจากประมาณ 11 ถึง ประมาณ 1324. A mixture pursuant to claim 23 where one or more ionized metal bases are present in sufficient quantities to give the pH of the mixture from approximately 11 to approximately 13. 25. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และ ปราศจากไอออนคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (ในรูป SiO2) ของสารผสม25. A mixture pursuant to claim 23 where the concentration of water-soluble and deionized silicate is from approximately 0.01 percent to approximately 5 percent by weight (in the form of SiO2) of the mixture. 26. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวคีเลตชนิดหนึ่งหรือมากกว่า26. A mixture pursuant to claim clause 23 which contains one or more chelating agents. 27. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวคีเลตคือจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม27. The mixture pursuant to claim 26 in which the concentration of the chelate is from approximately 0.01 percent to approximately 10 percent by weight of the mixture. 28. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตคือกรดอะมิโนคาร์บอกซิลิก28. A mixture pursuant to claim 27 where the chelating agent is an amino carboxylic acid. 29. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ในที่ซึ่งตัวคีเลตเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย (เอทิลีนไดไนตริโล)เททระอะซิติก แอซิด, ไดเอทิลีนไตรเอมีนเพนตะอะซิติก แอซิด, ไตรเอทิลีนเททระมีนเฮกซะอะซิติด แอซิด, 1,3-ไดอะมิโน-2-ไฮดรอกซีโพรเพน-เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'- เททระอะซิติก แอซิด,เอ็น,เอ็น,เอ็น',เอ็น'-เอทิลีนไดเอมีนเททระ(เมทิลีนฟอสโฟนิกแอซิด) และ (1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล)-เททระอะซิติก แอซิด29. A mixture pursuant to claim 27 in which the chelating agent is selected from a group consisting of (ethylene dinitrilo)tetraacetic acid, diethylene triamine pentaacetic acid, triethylene tetramine hexaacetic acid, 1,3-diamino-2-hydroxypropane-N,N,N',N'-tetraacetic acid, N,N,N',N'-ethylene diamine tetra(methylene phosphonic acid) and (1,2-cyclohexylene dinitrilo)-tetraacetic acid. 30. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ชนิด หนึ่งหรือมากกว่า30. A mixture as per claim 23 which also contains one or more water-soluble organic solvents. 31. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งความเข้มข้นของตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ ละลายน้ำได้คือจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม31. Mixtures pursuant to claim 30 where the concentration of the water-soluble organic solvent is from approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by weight of the mixture. 32. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ ดังกล่าวเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วย 1-ไฮดรอกซีอัลคิล-2-ไพร์โรลิดิโนน, แอลกอฮอล์ และ วารประกอบโพลีไฮดรอกซี32. The mixtures under claim 30, where the water-soluble organic solvent is selected from a group consisting of 1-hydroxyalkyl-2-pyrrolidinone, alcohols and polyhydroxy compounds. 33. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งยังมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้ชนิดหนึ่งหรือ มากกว่า33. A mixture under claim 23 which also contains one or more water-soluble surfactants. 34. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 33 ในที่ซึ่งสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้คือสารลดแรง ตึงผิวนอนไอออนิก เอธอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออล34. Mixtures pursuant to claim 33 where the water-soluble surfactants are non-ionic, ethoxylated, acetyleneic, diol surfactants. 35. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมาจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไฮดรอกไซค์และเอมีนอินทรีย์35. A mixture pursuant to claim 23 in which a metal-ion-free base is selected from a group consisting of hydroxides and organic amines. 36. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 35 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยควอเทอร์นารีแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, แอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และ เอมีนอินทรีย์36. A mixture pursuant to claim 35 in which a metal-ion-free base is selected from a group consisting of quaternary ammonium hydroxide, ammonium hydroxide and organic amines. 37. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะเลือกมา จากกลุ่มที่ประกอบด้วยโคลีน, เททระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์, เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, เมทิลไตรเอทานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์ และเมทิลไตรเอทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์37. A mixture pursuant to claim paragraph 23 in which a metal-deionized base is selected from a group consisting of choline, tetrabutylammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, methyltriethanolammonium hydroxide and methyltriethylammonium hydroxide. 38. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะเลือกมาจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแอมโมเนียมซิลิเกต และควอเทอร์นารีแอมโมเนียมซิลิเกต38. A mixture pursuant to claim paragraph 23 in which water-soluble and deionized metal silicates are selected from a group consisting of ammonium silicate and quaternary ammonium silicate. 39. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ในที่ซึ่งซิลิเกตที่ละลายที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออน ของโลหะคือเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต39. A mixture according to claim 23 in which the dissolved, water-soluble, and metal-ion-free silicate is tetramethylammonium silicate. 40. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 23 ซึ่งมีเททระเมทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซค์จาก ประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 3 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และเททระเมทิลแอมโมเนียมซิลิเกต จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักเทียบจากน้ำหนักของสารผสม40. A mixture according to claim 23 containing tetramethylammonium hydroxide from approximately 0.1 percent to approximately 3 percent by weight and tetramethylammonium silicate from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight relative to the weight of the mixture. 41. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งยังมีทรานส์(1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติก แอซิด จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ สารผสม41. A mixture pursuant to claim 40 which also contains trans(1,2-cyclohexylene dinitrilo)tetraacetic acid from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture. 42. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียม คือ ไฮดรอกซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ มีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม42. Mixtures pursuant to claim 34 where the titanium residue removal additive is hydroxyamine in an amount from approximately 1 percent to approximately 30 percent by weight, and there is a nonionic ethoxylated acetylenenic diol surfactant in an amount from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture. 43. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 42 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะ คือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะคือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ซิลิเกต43. A mixture pursuant to claim 42 in which the metal-ion-free base is tetramethylammonium hydroxide, and the water-soluble, metal-ion-free silicate is tetramethylammonium silicate. 44. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมคือ ไฮดรอก ซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และ สารผสมยังมีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจาก ประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักของสารผสม44. The mixture pursuant to claim 40 in which the titanium residue removal additive is hydroxyamine in an amount from approximately 1 percent to approximately 30 percent by weight of the mixture, and the mixture also contains the nonionic ethoxylated acetylenenic diol surfactant in an amount from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture. 45. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ คือ กลีเซอรอล45. The mixture pursuant to claim paragraph 6, where the water-soluble co-solvent is glycerol. 46. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 45 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม46. Mixtures pursuant to claim 45 where the mixture also contains nonionic ethoxylated acetyleneic diol surfactants in amounts from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture. 47. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งสารผสมยังมีกลีเซอรอลในรูปตัวทำละลาย อินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ในปริมาณจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดย น้ำหนักของสารผสม47. Mixtures pursuant to claim 19 where the mixture also contains glycerol as a water-soluble organic solvent in an amount ranging from approximately 0.1 percent to approximately 80 percent by weight of the mixture. 48. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม48. Mixtures pursuant to claim 47 where the mixture also contains nonionic ethoxylated acetyleneic diol surfactants in amounts from approximately 0.01 percent to approximately 1 percent by weight of the mixture.
TH9601003521A 1999-05-17 An alkaline mixture containing silicate for cleaning microelectronic substrates. TH30235B (en)

Publications (4)

Publication Number Publication Date
TH30235A TH30235A (en) 1998-09-30
TH37725A TH37725A (en) 2000-03-20
TH16388B TH16388B (en) 2004-03-10
TH30235B true TH30235B (en) 2011-07-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2330747A1 (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US5977041A (en) Aqueous rinsing composition
KR100764888B1 (en) Compositions for Cleaning Organic and Plasma Etched Residues for Semiconductor Devices
EP1576072B1 (en) Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
JP4147320B2 (en) Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US6191086B1 (en) Cleaning composition and method for removing residues
KR100746056B1 (en) Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
US20090120457A1 (en) Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices
KR101056544B1 (en) Peeling and Cleaning Compositions for Microelectronic Substrates
US11124740B2 (en) Post chemical mechanical polishing cleaning compositions
WO2020046539A1 (en) Post cmp cleaning compositions for ceria particles
JP2021192429A (en) Composition and method for removing ceria particle from surface
US20020077259A1 (en) Stabilized alkaline compositions for cleaning microlelectronic substrates
WO2002094462A1 (en) Method for cleaning surface of substrate
CA2544198A1 (en) Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors
JP2008198994A (en) Cleaning agent for semiconductor substrate
JPWO2009072529A1 (en) Semiconductor device substrate cleaning method and cleaning liquid
KR20040041019A (en) Washing liquid for semiconductor substrate
US8614175B2 (en) Cleaning solution composition for a solar cell
CN101223265A (en) Stripping agent composition
JP2003068696A (en) Substrate surface cleaning method
JP2003228180A (en) Cleaning solution for copper wiring board and resist stripping method using the same
JP2003088817A (en) Substrate surface cleaning method
TH37725A (en) An alkaline mixture containing silicate for cleaning microelectronic substrates.
WO1999051796A1 (en) Method for removing photoresist and plasma etch residues