TH27295B - วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต - Google Patents

วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต

Info

Publication number
TH27295B
TH27295B TH1001129A TH0001001129A TH27295B TH 27295 B TH27295 B TH 27295B TH 1001129 A TH1001129 A TH 1001129A TH 0001001129 A TH0001001129 A TH 0001001129A TH 27295 B TH27295 B TH 27295B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
chamber
getter device
millibars
pressure
getter
Prior art date
Application number
TH1001129A
Other languages
English (en)
Other versions
TH43030A (th
Inventor
มาซซา นายฟรานเซสโก
โมราจา นายมาร์โก
คอนเต นายแอนเดรีย
Original Assignee
แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ
Publication of TH43030A publication Critical patent/TH43030A/th
Publication of TH27295B publication Critical patent/TH27295B/th

Links

Abstract

DC60 ได้มีการอธิบายถึงวิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต โดยการทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่ผ่าน การทำให้เริ่มทำงานแล้ว มาสัมผัสกับบรรยากาศของห้อง สำหรับ กระบวนการเมื่อกำลังไม่มีการนำซับสเตรตมาผ่านกระบวนการอยู่ และเมื่อความดันของแก๊ส ไวปฏิกิริยาในห้องดังกล่าว ต่ำกว่าประมาณ 10-3 มิลลิบาร์, โดยการใช้ขั้นตอนการทำงานและ อุปกรณ์ที่มี อยู่แล้วในห้องที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายและให้ความร้อน ซับสเตรตที่ผลิต โดยเฉพาะวิธี นี้จะเป็นประโยชน์เมื่อนำมา ใช้เป็นลำดับของการทำงาน (1; 2; 3; 4) ที่ประกอบรวมด้วยระหว่าง การเปิดห้องสำหรับกระบวนการ และเมื่อเริ่มกระบวนการผลิต นอก จากนี้ยังได้มีการอธิบายถึง อุปกรณ์เก็ตเตอร์ (50; 60 ; 70) ซึ่งเหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวิธีดังกล่าวนี้ ได้มีการอธิบายถึงวิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต โดยการทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่ผ่าน การทำให้เริ่มทำงานแล้ว มาสัมผัสกับบรรยากาศของห้อง สำหรับ กระบวนการเมื่อกำลังไม่มีการนำซับสเตรตมาผ่านกระบวนการอยู่ และเมื่อความดันของแก๊ส ไวปฏิกิริยาในห้องดังกล่าว ต่ำกว่าประมาณ 10-3 มิลลิบาร์ โดยการใช้ขั้นตอนการทำงานและ อุปกรณ์ที่มี อยู่แล้วในห้องที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายและให้ความร้อน ซับสเตรตที่ผลิต โดยเฉพาะวิธี นี้จะเป็นประโยชน์เมื่อนำมา ใช้เป็นลำดับของการทำงาน (1; 2; 3; 4) ที่ประกอบรวมด้วยระหว่าง การเปิดห้องสำหรับกระบวนการ และเมื่อเริ่มกระบวนการผลิต นอก จากนี้ยังได้มีการอธิบายถึง อุปกรณ์เก็ตเตอร์ (50; 60 ; 70) ซึ่งเหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวิธีดังกล่าวนี้

Claims (11)

1. วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตของกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต, ประกอบรวมด้วย การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบที่ทำให้เริ่มทำงาน สัมผัสกับรรยากาศการ ทำงานภายในห้องกระบวนการ เมื่อผลรวมของความดันย่อยของแก๊สไวปฏิกิริยาในห้องต่ำกว่า ประมาณ 10-3 มิลลิบาร์ และเมื่อไม่มีซับสเตรตของการผลิตที่แท้จริงได้รับการดำเนินงาน, โดยใช้ อุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในขั้นตอนการผลิตอย่างน้อยที่สุด สำหรับการนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ออกจากห้องกระบวนการ ในขณะที่อุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการคง รักษาอยู่ภายใต้สุญญากาศ หรือที่ความดันที่ต้องการสำหรับกระบวนการดังกล่าวของการพอกพูน
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งเก็ตเตอร์ได้รับการเปิดสู่บรรยากาศของห้องกระบวน การ เมื่อความดันรวมในห้องดังกล่าวสุงกว่า 10-3 มิลลิบาร์ และบรรยากาศดังกล่าวประกอบรวม ด้วย แก๊สมีสกุลอย่างเป็นหลัก
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 2, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออกของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันถึงค่าประมาณ 10-3 หรือต่ำกว่านั้น, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบ ก่อนเริ่มทำงานเข้ามาในห้องหรือ, ในทางเลือกอื่น, การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่นำเข้ามาในห้อง ก่อนหน้านี้ เริ่มทำงานด้วยความร้อน; - การชะล้างห้องด้วยแก๊สมีสกุลชนิดเดียวกันที่จะใช้งานเป็นบรรยากาศของกระบวนการ; - เมื่อระดับของสารปนเปี้อนในบรรยากาศของกระบวนการต่ำกว่าค่าที่กำหนด, การเริ่ม ขั้นตอนทำงานของการพอกพูน
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งอุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการนำเข้าไปใหม่ในห้องกระบวน การ และได้รับการทำให้ปฏิบัติหน้าที่เก็ตเตอร์ที่เวลาคงที่ในระหว่างการปฏิบัติกระบวนการ
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 4, ที่ซึ่งอุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการนำเข้าไปใหม่ในห้องกระบวน การ ภายหลังจากซับสเตรตทั้งหมดในกล่องได้รับการดำเนินการ และก่อนเริ่มการดำเนินการ ซับสเตรตของกล่องใหม่
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์เข้าไปในห้องกระบวนการ (2; 6; 8) ภายหลังจากการเปิด ห้อง, ก่อนหน้าหรือในระหว่างการดูดอากาศออก (1; 5; 9), ในขณะที่ทำงานในลักษณะที่อุปกรณ์ เก็ตเตอร์จะอยู่ในรูปแบบที่ทำให้เริ่มทำงานอยู่ในห้อง เมื่อความดันภายในถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือ น้อยกว่าเพียงเท่านั้น; - การดำเนินการดูดอากาศออกในห้องดังกล่าวต่อเนื่องไป, ในขณะที่ยังคงรักษาอุปกรณ์ เก็ตเตอร์ที่ทำให้เริ่มทำงานอยู่ภายใน; และ - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์ เก็ตเตอร์ออกจากห้องดังกล่าว (4; 7; 11) โดยใช้อุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในขั้นตอนการผลิต
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออก (1) ของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การนำ (2)อุปกรณ์ เก็ตเตอร์ในรูปแบบยังไม่เริ่มทำงานเข้ามา โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในห้องดังกล่าวเริ่มทำงาน (3) โดยอาศัยอุปกรณ์และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้สำหรับการทำให้ซับสเตรตร้อนในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้อง (4) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออก (5) ของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การนำอุปกรณ์ เก็ตเตอร์, ในรูปแบบก่อนเริ่มทำงานอยู่ในห้องที่แตกต่างกันของระบบ, เข้าไปในห้องดังกล่าว (6), โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้าย ซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้องดังกล่าว (7) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การนำ (8) อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบยังไม่เริ่มทำงานเข้าไปในห้องกระบวนการ; - การเริ่มการดูดอากาศออก (9) ของห้องดังกล่าว; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การทำให้อุปกรณ์เก็ต เตอร์เริ่มทำงานด้วยความร้อน (10) ด้วยวิถีทางและขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในระหว่างการผลิต สำหรับการทำให้ซับสเตรตร้อน; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้อง (11) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
10. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่ง, เมื่อถึงความดัน 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, อุปกรณ์ เก็ตเตอร์ได้รับการนำออกจากห้องดังกล่าว (13) ภายหลังจากการปฏิบัติขั้นตอนเบี้องต้นของการ พอกพูนชั้นบางเพียงเท่านั้น (12)
11. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 10, ที่ซึ่ง กระบวนการพอกพูนสำหรับชั้นบางเป็นชนิด PVD และขั้นตอนเบื้องต้นดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการทำความสะอาดเป้าหมาย
TH1001129A 2000-04-05 วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต TH27295B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH43030A TH43030A (th) 2001-02-09
TH27295B true TH27295B (th) 2010-01-19

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6926798B2 (en) Apparatus for supercritical processing of a workpiece
US6736149B2 (en) Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
CN201121208Y (zh) 真空设备的抽气装置
WO2004079031A3 (en) Chemical vapor deposition of silicon on to substrates
WO2006055460A3 (en) Post-etch treatment to remove residues
EP1916703A3 (en) Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates by thermal process
DE3650127D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum entfernen von schichten von substraten.
CA2365902A1 (en) Method for increasing the yield in processes of deposition of thin layers onto a substrate
JP2003124612A5 (th)
EP1455233A3 (en) Processing method and system
EP0841689A3 (en) Method of processing semiconductor substrate
US5114316A (en) Method of regenerating a vacuum pumping device
CA2324644A1 (en) Process for improved surface properties incorporating compressive heating of reactive gases
TH43030A (th) วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต
JP3005792B2 (ja) 減圧洗浄乾燥装置
CN101451235A (zh) 一种改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法
WO2004092439A3 (de) Verfahren zur herstellung von metall-polymer-nanokompositen
CA2332900A1 (en) Apparatus and method for producing plane-parallel flakes
JP2000160322A (ja) スパッタリング方法及び装置
JP2002313869A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
WO2002026357A3 (en) Apparatus and process for hydrogen sulfide removal
US5733485A (en) Elimination of surface irregularities on the wraparound window of a torpedo nose array
JPS6067664A (ja) 真空成膜装置
MY123684A (en) Method for increasing the yield in processes of deposition of thin layers onto a substrate and getter devices for carrying out this method.
TW202620553A (zh) 晶圓處理工具以及處理晶圓的方法