TH27295B - วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต - Google Patents
วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรตInfo
- Publication number
- TH27295B TH27295B TH1001129A TH0001001129A TH27295B TH 27295 B TH27295 B TH 27295B TH 1001129 A TH1001129 A TH 1001129A TH 0001001129 A TH0001001129 A TH 0001001129A TH 27295 B TH27295 B TH 27295B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- chamber
- getter device
- millibars
- pressure
- getter
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 ได้มีการอธิบายถึงวิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต โดยการทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่ผ่าน การทำให้เริ่มทำงานแล้ว มาสัมผัสกับบรรยากาศของห้อง สำหรับ กระบวนการเมื่อกำลังไม่มีการนำซับสเตรตมาผ่านกระบวนการอยู่ และเมื่อความดันของแก๊ส ไวปฏิกิริยาในห้องดังกล่าว ต่ำกว่าประมาณ 10-3 มิลลิบาร์, โดยการใช้ขั้นตอนการทำงานและ อุปกรณ์ที่มี อยู่แล้วในห้องที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายและให้ความร้อน ซับสเตรตที่ผลิต โดยเฉพาะวิธี นี้จะเป็นประโยชน์เมื่อนำมา ใช้เป็นลำดับของการทำงาน (1; 2; 3; 4) ที่ประกอบรวมด้วยระหว่าง การเปิดห้องสำหรับกระบวนการ และเมื่อเริ่มกระบวนการผลิต นอก จากนี้ยังได้มีการอธิบายถึง อุปกรณ์เก็ตเตอร์ (50; 60 ; 70) ซึ่งเหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวิธีดังกล่าวนี้ ได้มีการอธิบายถึงวิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต โดยการทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่ผ่าน การทำให้เริ่มทำงานแล้ว มาสัมผัสกับบรรยากาศของห้อง สำหรับ กระบวนการเมื่อกำลังไม่มีการนำซับสเตรตมาผ่านกระบวนการอยู่ และเมื่อความดันของแก๊ส ไวปฏิกิริยาในห้องดังกล่าว ต่ำกว่าประมาณ 10-3 มิลลิบาร์ โดยการใช้ขั้นตอนการทำงานและ อุปกรณ์ที่มี อยู่แล้วในห้องที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายและให้ความร้อน ซับสเตรตที่ผลิต โดยเฉพาะวิธี นี้จะเป็นประโยชน์เมื่อนำมา ใช้เป็นลำดับของการทำงาน (1; 2; 3; 4) ที่ประกอบรวมด้วยระหว่าง การเปิดห้องสำหรับกระบวนการ และเมื่อเริ่มกระบวนการผลิต นอก จากนี้ยังได้มีการอธิบายถึง อุปกรณ์เก็ตเตอร์ (50; 60 ; 70) ซึ่งเหมาะสมที่จะนำมาใช้ในวิธีดังกล่าวนี้
Claims (11)
1. วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตของกระบวนการพอกพูนชั้นบางลงบนซับสเตรต, ประกอบรวมด้วย การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบที่ทำให้เริ่มทำงาน สัมผัสกับรรยากาศการ ทำงานภายในห้องกระบวนการ เมื่อผลรวมของความดันย่อยของแก๊สไวปฏิกิริยาในห้องต่ำกว่า ประมาณ 10-3 มิลลิบาร์ และเมื่อไม่มีซับสเตรตของการผลิตที่แท้จริงได้รับการดำเนินงาน, โดยใช้ อุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในขั้นตอนการผลิตอย่างน้อยที่สุด สำหรับการนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ออกจากห้องกระบวนการ ในขณะที่อุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการคง รักษาอยู่ภายใต้สุญญากาศ หรือที่ความดันที่ต้องการสำหรับกระบวนการดังกล่าวของการพอกพูน
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งเก็ตเตอร์ได้รับการเปิดสู่บรรยากาศของห้องกระบวน การ เมื่อความดันรวมในห้องดังกล่าวสุงกว่า 10-3 มิลลิบาร์ และบรรยากาศดังกล่าวประกอบรวม ด้วย แก๊สมีสกุลอย่างเป็นหลัก
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 2, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออกของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันถึงค่าประมาณ 10-3 หรือต่ำกว่านั้น, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบ ก่อนเริ่มทำงานเข้ามาในห้องหรือ, ในทางเลือกอื่น, การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ที่นำเข้ามาในห้อง ก่อนหน้านี้ เริ่มทำงานด้วยความร้อน; - การชะล้างห้องด้วยแก๊สมีสกุลชนิดเดียวกันที่จะใช้งานเป็นบรรยากาศของกระบวนการ; - เมื่อระดับของสารปนเปี้อนในบรรยากาศของกระบวนการต่ำกว่าค่าที่กำหนด, การเริ่ม ขั้นตอนทำงานของการพอกพูน
4. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งอุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการนำเข้าไปใหม่ในห้องกระบวน การ และได้รับการทำให้ปฏิบัติหน้าที่เก็ตเตอร์ที่เวลาคงที่ในระหว่างการปฏิบัติกระบวนการ
5. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 4, ที่ซึ่งอุปกรณ์เก็ตเตอร์ได้รับการนำเข้าไปใหม่ในห้องกระบวน การ ภายหลังจากซับสเตรตทั้งหมดในกล่องได้รับการดำเนินการ และก่อนเริ่มการดำเนินการ ซับสเตรตของกล่องใหม่
6. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์เข้าไปในห้องกระบวนการ (2; 6; 8) ภายหลังจากการเปิด ห้อง, ก่อนหน้าหรือในระหว่างการดูดอากาศออก (1; 5; 9), ในขณะที่ทำงานในลักษณะที่อุปกรณ์ เก็ตเตอร์จะอยู่ในรูปแบบที่ทำให้เริ่มทำงานอยู่ในห้อง เมื่อความดันภายในถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือ น้อยกว่าเพียงเท่านั้น; - การดำเนินการดูดอากาศออกในห้องดังกล่าวต่อเนื่องไป, ในขณะที่ยังคงรักษาอุปกรณ์ เก็ตเตอร์ที่ทำให้เริ่มทำงานอยู่ภายใน; และ - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์ เก็ตเตอร์ออกจากห้องดังกล่าว (4; 7; 11) โดยใช้อุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในขั้นตอนการผลิต
7. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออก (1) ของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การนำ (2)อุปกรณ์ เก็ตเตอร์ในรูปแบบยังไม่เริ่มทำงานเข้ามา โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - การทำให้อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในห้องดังกล่าวเริ่มทำงาน (3) โดยอาศัยอุปกรณ์และ ขั้นตอนการทำงานที่ใช้สำหรับการทำให้ซับสเตรตร้อนในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้อง (4) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
8. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การเริ่มการดูดอากาศออก (5) ของห้องกระบวนการ; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การนำอุปกรณ์ เก็ตเตอร์, ในรูปแบบก่อนเริ่มทำงานอยู่ในห้องที่แตกต่างกันของระบบ, เข้าไปในห้องดังกล่าว (6), โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้สำหรับการเคลื่อนย้าย ซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้องดังกล่าว (7) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ ใช้สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
9. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6, ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ: - การนำ (8) อุปกรณ์เก็ตเตอร์ในรูปแบบยังไม่เริ่มทำงานเข้าไปในห้องกระบวนการ; - การเริ่มการดูดอากาศออก (9) ของห้องดังกล่าว; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-3 มิลลิบาร์ หรือน้อยกว่า, การทำให้อุปกรณ์เก็ต เตอร์เริ่มทำงานด้วยความร้อน (10) ด้วยวิถีทางและขั้นตอนการทำงานที่ใช้ในระหว่างการผลิต สำหรับการทำให้ซับสเตรตร้อน; - เมื่อความดันในห้องดังกล่าวถึงค่า 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, การนำอุปกรณ์เก็ตเตอร์ ออกจากห้อง (11) โดยอาศัยอุปกรณ์เคลื่อนย้ายซับสเตรตอัตโนมัติ และขั้นตอนการทำงานที่ใช้ สำหรับการเคลื่อนย้ายซับสเตรตในระหว่างขั้นตอนการผลิต
10. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 6 ที่ซึ่ง, เมื่อถึงความดัน 10-7 มิลลิบาร์ หรือต่ำกว่า, อุปกรณ์ เก็ตเตอร์ได้รับการนำออกจากห้องดังกล่าว (13) ภายหลังจากการปฏิบัติขั้นตอนเบี้องต้นของการ พอกพูนชั้นบางเพียงเท่านั้น (12)
11. วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 10, ที่ซึ่ง กระบวนการพอกพูนสำหรับชั้นบางเป็นชนิด PVD และขั้นตอนเบื้องต้นดังกล่าวประกอบรวมด้วยขั้นตอนของการทำความสะอาดเป้าหมาย
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH43030A TH43030A (th) | 2001-02-09 |
| TH27295B true TH27295B (th) | 2010-01-19 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6926798B2 (en) | Apparatus for supercritical processing of a workpiece | |
| US6736149B2 (en) | Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces | |
| CN201121208Y (zh) | 真空设备的抽气装置 | |
| WO2004079031A3 (en) | Chemical vapor deposition of silicon on to substrates | |
| WO2006055460A3 (en) | Post-etch treatment to remove residues | |
| EP1916703A3 (en) | Integrated method for removal of halogen residues from etched substrates by thermal process | |
| DE3650127D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum entfernen von schichten von substraten. | |
| CA2365902A1 (en) | Method for increasing the yield in processes of deposition of thin layers onto a substrate | |
| JP2003124612A5 (th) | ||
| EP1455233A3 (en) | Processing method and system | |
| EP0841689A3 (en) | Method of processing semiconductor substrate | |
| US5114316A (en) | Method of regenerating a vacuum pumping device | |
| CA2324644A1 (en) | Process for improved surface properties incorporating compressive heating of reactive gases | |
| TH43030A (th) | วิธีสำหรับการเพิ่มผลผลิตในกระบวนการพอกพูนชั้นบางบนซับสเตรต | |
| JP3005792B2 (ja) | 減圧洗浄乾燥装置 | |
| CN101451235A (zh) | 一种改善低压化学气相沉积设备中粒子污染的方法 | |
| WO2004092439A3 (de) | Verfahren zur herstellung von metall-polymer-nanokompositen | |
| CA2332900A1 (en) | Apparatus and method for producing plane-parallel flakes | |
| JP2000160322A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
| JP2002313869A (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| WO2002026357A3 (en) | Apparatus and process for hydrogen sulfide removal | |
| US5733485A (en) | Elimination of surface irregularities on the wraparound window of a torpedo nose array | |
| JPS6067664A (ja) | 真空成膜装置 | |
| MY123684A (en) | Method for increasing the yield in processes of deposition of thin layers onto a substrate and getter devices for carrying out this method. | |
| TW202620553A (zh) | 晶圓處理工具以及處理晶圓的方法 |