TH23124B

TH23124B - สเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน

Info

Publication number: TH23124B
Application number: TH201002136A
Authority: TH
Inventors: เคเลเฮอ เจสัน; พี แมคแคนน์ คอลลิน; เอฟ เคห์ล ชาร์ลส; หลี่ ยูเฉา; ดี เฮลล์ริง สจ็วต
Original assignee: นางสาวมณฑนา สีตสุวรรณ; นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์; นายสัตยะพล สัจจเดชะ; นายสัตยะพล สัจจเดชะ นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์ นางสาวมณฑนา สีตสุวรรณ
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2008-01-18

Abstract

DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมสเลอรี และวิธีสำหรับการเตรียมของมัน โดยเฉพาะสารผสมสเลอรีของการประดิษฐ์นี้ รวมถึงซิลิกาในที่ซึ่งซิลิกาประกอบด้วยการทำ โมดิฟิเคชันผิวหน้า สเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานของการประดิษฐ์นี้เหมาะสำหรับการขัดถู วัตถุ และมีประโยชน์โดยเฉพาะสำหรับการทำระนาบในทางเคมี-เชิงกล (CMP) ของสารกึ่ง ตัวนำและไมโครอิเลคโทรนิคอื่น ๆ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมสเลอรี และวิธีสำหรับการเตรียมของมัน โดยเฉพาะสารผสมสเลอรีของการประดิษฐ์นี้ รวมถึงซิลิกาในที่ซึ่งซิลิกาประกอบด้วยการทำ โมดิฟิเคชันผิวหน้า สเลอรีที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานของการประดิษฐ์นี้เหมาะสำหรับการขัดถู วัตถุ และมีประโยชน์โดยเฉพาะสำหรับการทำระนาบในทางเคมี-เชิงกล (CMP) ของสารกึ่ง ตัวนำและไมโครอิเลคโทรนิคอื่น ๆ

Claims

1. สเลอรีสำหรับการขัดถูไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายผิวหน้าในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบ ด้วยกลุ่มก้อนของอนุภาคเบื้องต้น ซึ่งกลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดน้อยกว่า 5 ไมครอน และในที่ ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวมีปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือ ไฮดรอกซิลมากกว่านั้น ต่อ ตาราง นาโนเมตรของพื้นที่ผิว 2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโม ดิฟายกับวัสดุอย่างน้อย 1 ชนิดที่เลือกได้จากหมู่อินทรีย์, หมู่ออร์กาโนเมทัล หรือส่วนผสม ของหมู่เหล่านี้ 3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 2 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูก โมดิฟายกับออร์กาโนไซเลน 4. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูก โมดิฟายกับไดเมทธิลไดคลอโรไซเลน 5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 1 ไมครอน 6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าว มีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 0.5 ไมครอน 7. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง สเลอรีดังกล่าวมีการกำจัดคอปเปอร์ แทนทาลัมและซิลิกอน ไดออกไซด์จาก ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรตดังกล่าว 8. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 7 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อซิลิกอนไดออกไซด์ มากกว่า 2 9. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 7 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อคอปเปอร์ออกน้อย กว่า 1 1 0. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ตก ตะกอน 1 1. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 10 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ตกตะกอนดังกล่าว ประกอบด้วยกลุ่มก้อนซึ่ง สามารถถูกทำให้ลดลงจนได้ขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 5 ไมครอน 1 2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 11 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวสามารถถูกทำให้ลดลงจนได้ขนาดกลุ่ม ก้อนดังกล่าวโดยกระบวนการโม่แบบเปียก 1 3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาดัง กล่าวและวัสดุอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ยึดติดเป็นพันธะโควาเลนท์กับซิลิกาดังกล่าว 1 4. สเลอรีสำหรับกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและซิลิกอนไดออกไซด์จากไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าและในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูก โมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวยังประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้นต่อตารางนาโนเมตรของพื้นที่ผิว 1 5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยกลุ่มก้อนของอนุภาค เบื้องต้น 1 6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 5 ไมครอน 1 7. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 1 ไมครอน 1 8. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 0.5 ไมครอน 1 9. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 16 ในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 10 หมู่ หรือ ไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้นต่อตารางนาโนเมตรของพื้นที่ผิว 2 0. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับวัสดุที่ถูกเลือกจากหมู่อินทรีย์, หมู่ออร์กาโนเมทัลหรือส่วนผสมของหมู่เหล่านี้ 2

1. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับออร์กาโนไซเลน 2

2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับไดเมธิลไดคลอโรไซเลน 2

3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง สเลอรีดังกล่าวจะมีการกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและ ซิลิคอนไดออกไซด์ออกจาก ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรตดังกล่าว 2

4. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 23 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมออกต่อการเอาซิลิคอน ไดออกไซด์จะมากกว่า 2 2

5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 23 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อคอปเปอร์จะ น้อยกว่า 1 2

6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ตกตะกอน 2

7. สเลอรีสำหรับการกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและซิลิคอนไดออกไซด์จากไมโคร อิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้า ในที่ซึ่ง อัตราการกำจัดของแทนทาลัมเพิ่มขึ้นโดยเฉพาะที่ไม่เป็นแนวตรงเนื่องจากความดันการ ขัดเพิ่มขึ้นที่ความเร็วที่คงที่อย่างเป็นสำคัญและในที่ซึ่ง ซิลิกาโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวยัง ประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั่น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว 2

8. สเลอรีสำหรับการกำจัดวัสดุอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ถูกเลือกจากคอปเปอร์, แทนทาลัมและ ซิลิคอนไดออกไซด์จากไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายโดยโมอีตี้ของสารเคมีเพื่อที่จะทำให้เกิดอัตราการกำจัดที่ไม่ใช่แบบเพรสโต เนียน และในที่ซึ่งซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิที่ มากกว่านั้น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว 2

9. กระบวนการสำหรับการขัดถูไมโครอิเล็กทรอนิกซับเสตรตที่ประกอบด้วยการนำลงไปยัง ซับสเตรตดังกล่าว ซึ่งสเลอรีประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้า ในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิ ฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบกลุ่มก้อนของอนุภาคเบื้องต้น ซึ่งกลุ่มก้อน ดังกล่าวมีขนาดน้อยกว่า 5 ไมครอน และในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวมีปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว