Claims (9)
1. สเลอรีสำหรับการขัดถูไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายผิวหน้าในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบ ด้วยกลุ่มก้อนของอนุภาคเบื้องต้น ซึ่งกลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดน้อยกว่า 5 ไมครอน และในที่ ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวมีปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือ ไฮดรอกซิลมากกว่านั้น ต่อ ตาราง นาโนเมตรของพื้นที่ผิว 2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโม ดิฟายกับวัสดุอย่างน้อย 1 ชนิดที่เลือกได้จากหมู่อินทรีย์, หมู่ออร์กาโนเมทัล หรือส่วนผสม ของหมู่เหล่านี้ 3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 2 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูก โมดิฟายกับออร์กาโนไซเลน 4. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 3 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูก โมดิฟายกับไดเมทธิลไดคลอโรไซเลน 5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 1 ไมครอน 6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าว มีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 0.5 ไมครอน 7. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง สเลอรีดังกล่าวมีการกำจัดคอปเปอร์ แทนทาลัมและซิลิกอน ไดออกไซด์จาก ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรตดังกล่าว 8. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 7 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อซิลิกอนไดออกไซด์ มากกว่า 2 9. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 7 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อคอปเปอร์ออกน้อย กว่า 1 1 0. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ตก ตะกอน 1 1. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 10 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ตกตะกอนดังกล่าว ประกอบด้วยกลุ่มก้อนซึ่ง สามารถถูกทำให้ลดลงจนได้ขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 5 ไมครอน 1 2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 11 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวสามารถถูกทำให้ลดลงจนได้ขนาดกลุ่ม ก้อนดังกล่าวโดยกระบวนการโม่แบบเปียก 1 3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาดัง กล่าวและวัสดุอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ยึดติดเป็นพันธะโควาเลนท์กับซิลิกาดังกล่าว 1 4. สเลอรีสำหรับกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและซิลิกอนไดออกไซด์จากไมโครอิเล็กทรอนิก ซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าและในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูก โมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวยังประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้นต่อตารางนาโนเมตรของพื้นที่ผิว 1 5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยกลุ่มก้อนของอนุภาค เบื้องต้น 1 6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 5 ไมครอน 1 7. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 1 ไมครอน 1 8. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 15 ในที่ซึ่ง กลุ่มก้อนดังกล่าวมีขนาดกลุ่มก้อนน้อยกว่า 0.5 ไมครอน 1 9. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 16 ในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 10 หมู่ หรือ ไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้นต่อตารางนาโนเมตรของพื้นที่ผิว 2 0. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับวัสดุที่ถูกเลือกจากหมู่อินทรีย์, หมู่ออร์กาโนเมทัลหรือส่วนผสมของหมู่เหล่านี้ 21.Slippers for micro-electronic substrates Which the slurry contains silica that Surface modified in which the modified silica contains Composite silica With a group of elementary particles Which is less than 5 microns in size and where the silica contains 7 groups of hydroxyl or more hydroxyl per square nanometer of surface area. Right 1 where the modified surface contains silica. Diff with at least one material of choice from organic group, organometallic group or a mixture of these groups 3. Slurry of claim 2 where the surface modified silica It consists of modified silica and organosilane 4. Slurry of claim 3 where the modified surface consists of modified silica with dimethyl. Aldichlorosilane 5. Slery of claim 1 where the clot is less than 1 micron in size 6. Slery of claim 1 where the clot Clump size is less than 0.5 microns. 7. Slery of claim 1 where the slury is eliminated. Tantalum and silicon dioxide from the aforementioned microelectronic substrates 8. Slery of claim 7 where the rate of tantalum removal to silicon dioxide is greater than 2 9. Slurry of claim 7 where the tantalum removal rate per copper is less than 1 1 0. Slurry of claim 1 where the surface modified silica contains silica that Sediment 1 1. Slurry of claim 10 where the precipitated silica Consisting of clusters which Can be reduced to a clot size less than 5 microns 1 2. Slings of claim 11 where the clot can be reduced to a clot size. The lump by wet milling process 1 3. Slurry of claim 1 where the surface modified silica contains such silica and at least one material bonded to a covalent bond. 1 4. Slurry for removing copper, tantalum and silicon dioxide from microelectronic substrates, which contains surface modified silica. And where the corrosive silica The surface mod also contains Silica containing 7 groups of hydroxyls, or more hydroxyls per square nanometer of surface area 1 5. Slurry of claim 14, where such silica also contains clumps of particles. Preliminary 1 6. Clump of claim 15 where the clot is less than 5 microns in size 1 7. Slery of claim 15 where the clot is a minority. More than 1 micron 1 8. Slurry of claim 15 where the clot is less than 0.5 micron 1 9. Slurry of claim 16 where the silica still contains high 10 groups of droxyls or more hydroxyls per square nanometer of surface area 2 0. Slurry of claim 14 where the surface modified silica contains silica that Modified with materials selected from organic groups, organometals or mixtures of these 2 groups.
1. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับออร์กาโนไซเลน 21. Slurry of claim 14 where the surface modified silica contains silica modified with organosylane 2.
2. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายกับไดเมธิลไดคลอโรไซเลน 22. Slurry of claim 14 where the modified silica contains silica modified with dimethyl dichlorosilane 2.
3. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง สเลอรีดังกล่าวจะมีการกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและ ซิลิคอนไดออกไซด์ออกจาก ไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรตดังกล่าว 23. Slurry of claim 14 where the slury will remove copper, tantalum and silicon dioxide from Such microelectronic substrates 2
4. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 23 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมออกต่อการเอาซิลิคอน ไดออกไซด์จะมากกว่า 2 24. Slurry of claim 23 where the rate of tantalum removal versus silicon removal Dioxide is greater than 2 2
5. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 23 ในที่ซึ่ง อัตราของการกำจัดแทนทาลัมต่อคอปเปอร์จะ น้อยกว่า 1 25. Slery of claim 23 where the rate of tantalum removal to copper is less than 1 2.
6. สเลอรีของข้อถือสิทธิ 14 ในที่ซึ่ง ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ตกตะกอน 26. Slery of claim 14 where the surface modified silica contains precipitated silica 2.
7. สเลอรีสำหรับการกำจัดคอปเปอร์, แทนทาลัมและซิลิคอนไดออกไซด์จากไมโคร อิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้า ในที่ซึ่ง อัตราการกำจัดของแทนทาลัมเพิ่มขึ้นโดยเฉพาะที่ไม่เป็นแนวตรงเนื่องจากความดันการ ขัดเพิ่มขึ้นที่ความเร็วที่คงที่อย่างเป็นสำคัญและในที่ซึ่ง ซิลิกาโมดิฟายผิวหน้าดังกล่าวยัง ประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั่น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว 27. Slurry for removal of copper, tantalum and silicon dioxide from micro Electronic substrate Which the aforementioned slurry consists of Surface modified silica where tantalum removal rate increases, especially due to the Polishing increased at a significantly constant speed and where Modified silica also contains silica containing seven hydroxyl groups, or greater hydroxyl content. Per square nanometer of surface 2
8. สเลอรีสำหรับการกำจัดวัสดุอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่ถูกเลือกจากคอปเปอร์, แทนทาลัมและ ซิลิคอนไดออกไซด์จากไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต ซึ่งสเลอรีดังกล่าวประกอบด้วยซิลิกาที่ ถูกโมดิฟายโดยโมอีตี้ของสารเคมีเพื่อที่จะทำให้เกิดอัตราการกำจัดที่ไม่ใช่แบบเพรสโต เนียน และในที่ซึ่งซิลิกาดังกล่าวยังประกอบด้วยปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิที่ มากกว่านั้น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว 28. Slurry for the removal of one or more selected materials from copper, tantalum and silicon dioxide from microelectronic substrates. Which the slurry contains silica that Modified by chemical moity in order to produce nonpresonian removal rates and where the silica also contains 7 hydroxyl groups, or greater hydroxyls. Per square nanometer of surface 2
9. กระบวนการสำหรับการขัดถูไมโครอิเล็กทรอนิกซับเสตรตที่ประกอบด้วยการนำลงไปยัง ซับสเตรตดังกล่าว ซึ่งสเลอรีประกอบด้วยซิลิกาที่ถูกโมดิฟายผิวหน้า ในที่ซึ่งซิลิกาที่ถูกโมดิ ฟายผิวหน้าดังกล่าวประกอบด้วย ซิลิกาที่ประกอบกลุ่มก้อนของอนุภาคเบื้องต้น ซึ่งกลุ่มก้อน ดังกล่าวมีขนาดน้อยกว่า 5 ไมครอน และในที่ซึ่ง ซิลิกาดังกล่าวมีปริมาณไฮดรอกซิล 7 หมู่ หรือไฮดรอกซิลที่มากกว่านั้น ต่อตารางนาโนเมตรของพื้นผิว9. A process for abrasion of microelectronic substrates consisting of applying to Such a substrate The slurry contains silica that has been modified to the surface. Where the modi Such facial skin contains Primary silica Clump It is less than 5 microns in size and where the silica contains 7 hydroxyl groups or more hydroxyls. Per square nanometer of surface