TH21822B

TH21822B - ซิลิคาตกตะกอนที่โดปแล้ว

Info

Publication number: TH21822B
Application number: TH101003302A
Authority: TH
Inventors: มีลเลอร์ นายแอสทริด; ลินด์เนอร์ นายก๊อตเลี๊ยบจอร์จ
Original assignee: นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์; นางสาวสนธยา สังขพงศ์; นางสาวสุคนธ์ทิพย์ จิตมงคลทอง
Filing date: 2001-08-17
Publication date: 2007-05-04

Abstract

DC60 (06/11/44) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิคาที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่าง ที่มีพื้นที่ผิว BET มากกว่า 300 ตารางเมตร/กรัม และมีความเข้มข้นของอะตอมที่แตกต่างที่ผิวสูงสุดเท่ากับ 0.05 มิลลิโมล/ตารางเมตร, กระบวนการสำหรับเตรียมซิลิคาเหล่านี้ และการใช้ซิลิคาตกตะกอนที่ได้ใน การทำกระดาษ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิคาที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่าง ที่มีพื้นผิว BET มากกว่า 300 ตารางเมตร/กรัม และมีความเข้มข้นของอะตอมที่แตกต่างที่ผิวสูงสุดเท่ากับ 0.05 มิลลิโมล/ตารางเมตร, กระบวนการสำหรับเตรีวมซิลิคาเหล่านี้ และการใช้ซิลิกาตกตะกอนที่ได้ใน การทำกระดาษ

Claims

1.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างที่มีพื้นที่ผิว BET มากกว่า 300 ตารางเมตร/กรัม และความเข้มข้นของอะตอมที่แตกต่างที่ผิวสูงสุดอยู่ระหว่าง 1x10-5 ถึง 0.05 มิลมิโมล/ตารางเมตร ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, Cu และการรวมกันของอะตอมเหล่านี้ และ ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวอยู่บนผิวของซิลิคาพร้อมกับถูกรวมกันเข้าไปในโครงสร้าง ภายในของซิลิคาตกตะกอน 2.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งความเข้มข้นของ อะตอมที่แตกต่างที่ผิวอยู่ระหว่าง 1x10-4 ถึง 1x10-3 มิลลิโมล/ตารางเมตร 3.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งความเข้มข้นของ อะตอมที่แตกต่างที่ผิวอยู่ระหว่าง 1x10-4 ถึง 1x10-3 มิลลิโมล/ตารางเมตร 4.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งพื้นที่ผิว BET อยู่ ระหว่าง 350 ถึง 800 ตารางเมตร/กรัม 5.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งพื้นที่ผิว BET อยู่ ระหว่าง 350 ถึง 800 ตาราเมตร/กรัม 6.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยตะกอนที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งพื้นที่ผิว BET อยู่ ระหว่าง 350 ถึง 800 ตารางเมตร/กรัม 7.ซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 3 ซึ่งพื้นที่ผิว BET อยู่ ระหว่าง 350 ถึง 800 ตารางเมตร/กรัม 8.กระบวนการสำหรับการเตรียมซิลิคาตกตะกอนที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างที่มีพื้นที่ผิว BET มากกว่า 300 ตารางเมตร/กรัม และความเข้มข้นของอะตอมที่แตกต่างที่ผิวสูงสุดอยู่ระหว่าง 1x10-5 ถึง 0.05 มิลลิโมล/ตารางเมตร ซึ่งประกอบด้วยการเติมสารละลายของอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลือ อินทรีย์ หรือ เกลืออนินทรีย์ลงไปยังสารละลายโซเดียมซิลิเคทในน้ำในระหว่างการเติมกรดกำมะถันลง ไปยังสารละลายโซเดียมซิลิเคทในน้ำดังกล่าว ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, Cu และการรวมกันของอะตอมเหล่านี้ และ ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวอยู่บนผิวของซิลิคาพร้อมกับถูกรวมกันเข้าไปในโครงสร้าง ภายในของซิลิคาตกตะกอน 9.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลืออินทรีย์ หรือ เกลือ อนินทรีย์ของอะตอมเหล่านี้ถูกละลายในกรดกำมะถันที่จะถูกเติมลงไปยังสารละลายโซเดียมซิลิเคท แล้วจึงเติม 1 0.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งการเติมอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลืออินทรีย์ หรือ เกลืออนินทรีย์ของอะตอมเหล่านี้เกิดขึ้นตลอดช่วงเวลาเดียวกันกับการเติมกรดกำมะถัน 1

1.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 9 ซึ่งการเติมอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลืออินทรีย์ หรือ เกลืออนินทรีย์ของอะตอมเหล่านี้เกิดขึ้นตลอดช่วงเวลาเดียวกันกับการเติมกรดกำมะถัน 1

2.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งการเติมอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลืออินทรีย์ หรือ เกลืออนินทรีย์ของอะตอมเหล่านี้เกิดขึ้นภายในช่วงหลังของช่วงเวลาของการเติมกรดกำมะถัน 1

3.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 9 ซึ่งการเติมอะตอมที่แตกต่างในรูปของเกลืออินทรีย์ หรือ เกลืออนินทรีย์ของอะตอมเหล่านี้เกิดขึ้นภายในช่วงหลังของช่วงเวลาของการเติมกรดกำมะถัน 1

4.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวอยู่ในรูปของคลอไรด์, ไน เตรท, คาร์บอเนท, ออกไซด์, ไฮดรอกไซด์, ออกซีคลอไรด์, ฟอสเฟต, ออกซีไฮดรอกไซด์, ออกไซด์ ซัลเฟต, โพลีคาร์บอเนท และ/หรือ ซัลเฟต 1

5.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 9 ซึ่งอะตอมที่แตกต่างดังกล่าวอยู่ในรูปของคลอไรด์, ไน เตรท, คาร์บอเนท, ออกไซด์, ไฮดรอกไซด์, ออกซีคลอไรด์, ฟอสเฟต, ออกซีไฮดรอกไซด์, ออกไซด์ ซัลเฟต, โพลีคาร์บอเนท และ/หรือ ซัลเฟต 1

6.กระบวนการของข้อถือสิทธิที่ 8 ซึ่งสารละลายโซเดียมซิลิเคทถูกเติมพร้อมกับกรด กำมะถัน และกับสารละลายของอะตอมที่แตกต่าง 1

7.ในวิธีการของการทำกระดาษ การปรับปรุงที่ประกอบด้วยการเติมซิลิคาที่โดปด้วยอะตอม ที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 1

8.ในวิธีการของการทำสิ่งทอที่พิมพ์ได้ หรือ ตัวกลางที่พิมพ์ได้ การปรับปรุงที่ประกอบด้วย การเติมซิลิคาที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1 1

9.ในวิธีการของการทำสารเคลือบกระดาษ หรือ ฟิล์มสำหรับการฉายภาพเหนือศรีษะ การ ปรับปรุงที่ประกอบด้วยการเติมซิลิคาที่โดปด้วยอะตอมที่แตกต่างของข้อถือสิทธิที่ 1