TH2101007887A - ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง - Google Patents
ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้องInfo
- Publication number
- TH2101007887A TH2101007887A TH2101007887A TH2101007887A TH2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- dielectric material
- periodic
- radiation
- optical
- base layer
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract 24
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 20
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000001152 differential interference contrast microscopy Methods 0.000 abstract 1
Abstract
จะมีการบรรยายถึงชุดเครื่องและวิธีการที่เกี่ยวข้องกับโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกโครงสร้างนาโนทางแสงดังกล่าวอาจแสดงช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกต้องห้ามหรือแถบพลังงานโฟโตนิกยินยอมและอาจถูกใช้เพื่อปฏิเสธ(เช่นปิดกั้นหรือลดทอน)การแผ่รังสีที่ความยาวคลื่นที่หนึ่งในขณะที่ยอมให้มีการส่งผ่านการแผ่รังสีที่ความยาวคลื่นที่สองตัวอย่างของโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกจะรวมถึงโครงสร้างตามคาบและเสมือนตามคาบที่มีสภาพตามคาบหรือเสมือนตามคาบในหนึ่ง,สอง,หรือสามมิติและรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในสองมิติเป็นอย่างน้อยโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกดังกล่าวอาจถูกสร้างในอุปกรณ์รวมซึ่งมีส่วนที่เป็นไดโอดพลังแสงและระบบวงจรCMOSซึ่งถูกจัดเรียงให้วิเคราะห์การแผ่รังสีที่รับมาโดยไดโอดพลังแสง
Claims (1)
1.อุปกรณ์รวมซึ่งประกอบรวมด้วย:ชั้นฐานซึ่งมีผิวหน้าที่หนึ่งและพิกเซลหลายอันซึ่งถูกสร้างบนชั้นฐานโดยที่พิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนจะประกอบรวมด้วย:ห้องทำปฏิกิริยาซึ่งถูกจัดโครงแบบให้รับตัวอย่างตัวตรวจรู้ซึ่งถูกจัดโครงแบบให้ตรวจจับการแผ่รังสีเปล่งปล่อยซึ่งถูกปล่อยจากห้องทำปฏิกิริยาท่อนำคลื่นซึ่งถูกจัดโครงแบบให้ต่อการแผ่รังสีกระตุ้นเข้ากับห้องทำปฏิกิริยาและโครงสร้างนาโนทางแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างท่อนำคลื่นกับตัวตรวจรู้โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะถูกกำหนดแผนแบบให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานและปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่ตกกระทบลงบนโครงสร้างนาโนทางแสงในทิศทางที่ตั้งฉากมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่ง2.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ1โดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบอย่างน้อยในหนึ่งมิติในระนาบ3.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ1หรือข้อถือสิทธิ2โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะแสดงช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิก4.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-3ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบในสองมิติในระนาบ5.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-4ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะแสดงภาวะเกิดตามคาบเวลาระหว่าง150นาโนเมตรกับ500นาโนเมตร6.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-5ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะไม่มีส่วนประกอบตามคาบเวลาที่ขาดหายหรือแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญภายในรูปแบบแปรผันทางโครงสร้าง7.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-6ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วยบริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกซึ่งมีดัชนีหักเหที่หนึ่ง8.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ7โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะแสดงความกว้างในระนาบระหว่าง100นาโนเมตรกับ300นาโนเมตร9.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ7หรือข้อถือสิทธิ8โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วยบริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกและบริเวณซึ่งแยกจากกันที่หนึ่งและที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกเว้นช่วงห่างจากกันตามแนวทิศทางที่ตั้งฉากกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐาน10.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ9โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันที่หนึ่งและที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกวางสลับฟันปลาจากกันตามแนวทิศทางที่ขนานกับระนาบ11.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ7-10ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกแยกโดยบริเวณที่ทำด้วยวัสดุซึ่งมีดัชนีหักเหที่สองที่ต่างจากดัชนีหักเหที่หนึ่ง12.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ7-11ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะทอดออกไปในทิศทางที่ตั้งฉากกับระนาบ13.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ12โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะแสดงความสูงตามแนวทิศทางที่ตั้งฉากกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานระหว่าง100นาโนเมตรกับ300นาโนเมตร14.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-13ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยกลีบช่องรับแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับตัวตรวจรู้15.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-14ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยองค์ประกอบทางแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับตัวตรวจรู้ซึ่งเพิ่มความเข้มข้นของการแผ่รังสีเปล่งปล่อยลงบนตัวตรวจรู้16.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ15โดยที่องค์ประกอบทางแสงจะประกอบรวมด้วยจานกลมที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกซึ่งมีดัชนีหักเหที่หนึ่งซึ่งต่างจากดัชนีหักเหที่สองสำหรับวัสดุซึ่งล้อมรอบจานกลมนั้นสำหรับความยาวคลื่นเดียวกันของการแผ่รังสีเปล่งปล่อย17.วิธีการใช้งานอุปกรณ์รวมโดยที่วิธีการจะประกอบรวมด้วย:การต่อการแผ่รังสีกระตุ้นเข้ากับห้องปฏิกิริยาซึ่งถูกสร้างไว้ประชิดกับท่อนำคลื่นจากท่อนำคลื่นซึ่งถูกสร้างบนชั้นฐานโดยที่การแผ่รังสีกระตุ้นจะมีความยาวคลื่นที่หนึ่งการส่งผ่านการแผ่รังสีเปล่งปล่อยจากห้องปฏิกิริยาโดยผ่านโครงสร้างนาโนทางแสงไปยังตัวตรวจรู้โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะถูกกำหนดแผนแบบให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานและโดยที่การแผ่รังสีเปล่งปล่อยจะมีความยาวคลื่นที่สองที่ต่างจากความยาวคลื่นที่หนึ่งและถูกให้กำเนิดเพื่อตอบสนองต่อการกระตุ้นเครื่องฉายรังสีอย่างน้อยหนึ่งตัวในห้องทำปฏิกิริยาโดยการแผ่รังสีกระตุ้นและการปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นอย่างน้อยส่วนหนึ่งด้วยโครงสร้างนาโนทางแสง18.วิธีการของข้อถือสิทธิ17ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการตรวจจับการแผ่รังสีเปล่งปล่อยอย่างน้อยส่วนหนึ่งซึ่งเคลื่อนผ่านโครงสร้างนาโนทางแสงที่มีตัวตรวจรู้ถูกสร้างบนชั้นฐาน19.วิธีการของข้อถือสิทธิ17หรือข้อถือสิทธิ18โดยที่การปฏิเสธส่วนหนึ่งของการแผ่รังสีกระตุ้นจะประกอบรวมด้วยการทำให้ส่วนของการแผ่รังสีกระตุ้นสะท้อนจากโครงสร้างนาโนทางแสง20.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-19ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่ความยาวคลื่นที่หนึ่งจะอยู่ภายในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกของโครงสร้างนาโนทางแสง21.วิธีการของข้อถือสิทธิ20โดยที่ความยาวคลื่นที่สองจะอยู่ภายนอกช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกของโครงสร้างนาโนทางแสง22.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-21ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบอย่างน้อยในหนึ่งมิติในระนาบ23.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-22ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบในสองมิติในระนาบ24.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-23ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยการส่งผ่านการแผ่รังสีเปล่งปล่อยจากห้องปฏิกิริยาโดยผ่านกลีบช่องรับแสง25.วิธีการของข้อถือสิทธิ24ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นด้วยกลีบช่องรับแสง26.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-25ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยการเพิ่มความเข้มข้นการแผ่รังสีเปล่งปล่อยด้วยจานไดอิเล็กตริกที่อยู่ระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับโครงสร้างนาโนทางแสง27.วิธีการผลิตอุปกรณ์รวมโดยที่วิธีการจะประกอบรวมด้วย:การสร้างพิกเซลหลายอันบนชั้นฐานซึ่งมีผิวหน้าที่หนึ่งโดยที่ว่าพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนจะประกอบรวมด้วยห้องทำปฏิกิริยาและตัวตรวจรู้การสร้างท่อนำคลื่นในพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนและการสร้างโครงสร้างนาโนทางแสงในพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนระหว่างท่อนำคลื่นกับตัวตรวจรู้โดยที่การสร้างโครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วย:การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐาน28.วิธีการของข้อถือสิทธิ27โดยที่การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งจะประกอบรวมด้วยการสร้างแผนแบบตามคาบหรือเสมือนตามคาบในวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง29.วิธีการของข้อถือสิทธิ27หรือข้อถือสิทธิ28โดยที่การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะประกอบรวมด้วยการกัดสลักวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งเพื่อสร้างช่องว่างในวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง30.วิธีการของข้อถือสิทธิ29ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการเติมใส่ช่องว่างด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกที่สองที่ต่างจากวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH2101007887A true TH2101007887A (th) | 2023-04-03 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10989590B2 (en) | Integrated bound-mode spectral/angular sensors | |
US6574383B1 (en) | Input light coupler using a pattern of dielectric contrast distributed in at least two dimensions | |
JP2020529005A5 (th) | ||
JP6392876B2 (ja) | 導波モード共鳴デバイス | |
KR101179368B1 (ko) | 유전성 미세공동 센서 | |
KR20140112012A (ko) | 집적된 서브-파장 격자 시스템 | |
JP2006251063A (ja) | 光コネクタ、光結合方法及び光素子 | |
JP2007003969A (ja) | 光学素子 | |
WO2003081305A1 (fr) | Resonateur optique interferenciel a cristal photonique bidimensionnel a defauts ponctuels, et reflecteur optique | |
JP2009054795A (ja) | 半導体レーザ | |
KR20150086098A (ko) | 광학 소자 및 광학 소자로부터의 광의 진행 방향을 제어하는 방법 | |
US20060120679A1 (en) | Photonic crystal energy converter | |
US11474039B2 (en) | Chemical sensing device using fluorescent sensing material | |
JP2019118116A (ja) | 共振器の最適化 | |
TH2101007887A (th) | ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง | |
JP4427589B2 (ja) | 光集積回路装置 | |
JP4867011B2 (ja) | 屈折率センサおよび屈折率測定装置 | |
JP4728989B2 (ja) | ラマン散乱光増強デバイス | |
TWI697674B (zh) | 感測模組及感測方法 | |
US11480463B2 (en) | Integrated bound-mode spectral/angular sensors | |
JP5581955B2 (ja) | 微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置 | |
JP6485237B2 (ja) | 合波レーザ光源 | |
KR20230016649A (ko) | 광파이버 상의 동조 가능 나노회로 및 도파관 시스템과 방법 | |
JP6808336B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6774400B2 (ja) | 面発光量子カスケードレーザ |