TH2101007887A - ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง - Google Patents

ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง

Info

Publication number
TH2101007887A
TH2101007887A TH2101007887A TH2101007887A TH2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A TH 2101007887 A TH2101007887 A TH 2101007887A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
dielectric material
periodic
radiation
optical
base layer
Prior art date
Application number
TH2101007887A
Other languages
English (en)
Inventor
เจมส์
เจราร์ด
เฉิน
เพรสตัน
ไคล์
กาบิริ
ชมิด
บีช
พิง
อาลิ
Original Assignee
ควอนตัม เอสไอ อินคอร์ปอเรท
Filing date
Publication date
Application filed by ควอนตัม เอสไอ อินคอร์ปอเรท filed Critical ควอนตัม เอสไอ อินคอร์ปอเรท
Publication of TH2101007887A publication Critical patent/TH2101007887A/th

Links

Abstract

จะมีการบรรยายถึงชุดเครื่องและวิธีการที่เกี่ยวข้องกับโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกโครงสร้างนาโนทางแสงดังกล่าวอาจแสดงช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกต้องห้ามหรือแถบพลังงานโฟโตนิกยินยอมและอาจถูกใช้เพื่อปฏิเสธ(เช่นปิดกั้นหรือลดทอน)การแผ่รังสีที่ความยาวคลื่นที่หนึ่งในขณะที่ยอมให้มีการส่งผ่านการแผ่รังสีที่ความยาวคลื่นที่สองตัวอย่างของโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกจะรวมถึงโครงสร้างตามคาบและเสมือนตามคาบที่มีสภาพตามคาบหรือเสมือนตามคาบในหนึ่ง,สอง,หรือสามมิติและรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในสองมิติเป็นอย่างน้อยโครงสร้างนาโนทางแสงในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกดังกล่าวอาจถูกสร้างในอุปกรณ์รวมซึ่งมีส่วนที่เป็นไดโอดพลังแสงและระบบวงจรCMOSซึ่งถูกจัดเรียงให้วิเคราะห์การแผ่รังสีที่รับมาโดยไดโอดพลังแสง

Claims (1)

1.อุปกรณ์รวมซึ่งประกอบรวมด้วย:ชั้นฐานซึ่งมีผิวหน้าที่หนึ่งและพิกเซลหลายอันซึ่งถูกสร้างบนชั้นฐานโดยที่พิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนจะประกอบรวมด้วย:ห้องทำปฏิกิริยาซึ่งถูกจัดโครงแบบให้รับตัวอย่างตัวตรวจรู้ซึ่งถูกจัดโครงแบบให้ตรวจจับการแผ่รังสีเปล่งปล่อยซึ่งถูกปล่อยจากห้องทำปฏิกิริยาท่อนำคลื่นซึ่งถูกจัดโครงแบบให้ต่อการแผ่รังสีกระตุ้นเข้ากับห้องทำปฏิกิริยาและโครงสร้างนาโนทางแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างท่อนำคลื่นกับตัวตรวจรู้โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะถูกกำหนดแผนแบบให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานและปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่ตกกระทบลงบนโครงสร้างนาโนทางแสงในทิศทางที่ตั้งฉากมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่ง2.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ1โดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบอย่างน้อยในหนึ่งมิติในระนาบ3.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ1หรือข้อถือสิทธิ2โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะแสดงช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิก4.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-3ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบในสองมิติในระนาบ5.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-4ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะแสดงภาวะเกิดตามคาบเวลาระหว่าง150นาโนเมตรกับ500นาโนเมตร6.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-5ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะไม่มีส่วนประกอบตามคาบเวลาที่ขาดหายหรือแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญภายในรูปแบบแปรผันทางโครงสร้าง7.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-6ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วยบริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกซึ่งมีดัชนีหักเหที่หนึ่ง8.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ7โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะแสดงความกว้างในระนาบระหว่าง100นาโนเมตรกับ300นาโนเมตร9.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ7หรือข้อถือสิทธิ8โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วยบริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกและบริเวณซึ่งแยกจากกันที่หนึ่งและที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกเว้นช่วงห่างจากกันตามแนวทิศทางที่ตั้งฉากกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐาน10.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ9โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันที่หนึ่งและที่สองที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกวางสลับฟันปลาจากกันตามแนวทิศทางที่ขนานกับระนาบ11.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ7-10ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะถูกแยกโดยบริเวณที่ทำด้วยวัสดุซึ่งมีดัชนีหักเหที่สองที่ต่างจากดัชนีหักเหที่หนึ่ง12.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ7-11ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะทอดออกไปในทิศทางที่ตั้งฉากกับระนาบ13.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ12โดยที่บริเวณซึ่งแยกจากกันหลายบริเวณชุดที่หนึ่งที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกจะแสดงความสูงตามแนวทิศทางที่ตั้งฉากกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานระหว่าง100นาโนเมตรกับ300นาโนเมตร14.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-13ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยกลีบช่องรับแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับตัวตรวจรู้15.อุปกรณ์รวมตามข้อถือสิทธิ1-14ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยองค์ประกอบทางแสงซึ่งถูกจัดวางระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับตัวตรวจรู้ซึ่งเพิ่มความเข้มข้นของการแผ่รังสีเปล่งปล่อยลงบนตัวตรวจรู้16.อุปกรณ์รวมของข้อถือสิทธิ15โดยที่องค์ประกอบทางแสงจะประกอบรวมด้วยจานกลมที่ทำด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกซึ่งมีดัชนีหักเหที่หนึ่งซึ่งต่างจากดัชนีหักเหที่สองสำหรับวัสดุซึ่งล้อมรอบจานกลมนั้นสำหรับความยาวคลื่นเดียวกันของการแผ่รังสีเปล่งปล่อย17.วิธีการใช้งานอุปกรณ์รวมโดยที่วิธีการจะประกอบรวมด้วย:การต่อการแผ่รังสีกระตุ้นเข้ากับห้องปฏิกิริยาซึ่งถูกสร้างไว้ประชิดกับท่อนำคลื่นจากท่อนำคลื่นซึ่งถูกสร้างบนชั้นฐานโดยที่การแผ่รังสีกระตุ้นจะมีความยาวคลื่นที่หนึ่งการส่งผ่านการแผ่รังสีเปล่งปล่อยจากห้องปฏิกิริยาโดยผ่านโครงสร้างนาโนทางแสงไปยังตัวตรวจรู้โดยที่โครงสร้างนาโนทางแสงจะถูกกำหนดแผนแบบให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐานและโดยที่การแผ่รังสีเปล่งปล่อยจะมีความยาวคลื่นที่สองที่ต่างจากความยาวคลื่นที่หนึ่งและถูกให้กำเนิดเพื่อตอบสนองต่อการกระตุ้นเครื่องฉายรังสีอย่างน้อยหนึ่งตัวในห้องทำปฏิกิริยาโดยการแผ่รังสีกระตุ้นและการปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นอย่างน้อยส่วนหนึ่งด้วยโครงสร้างนาโนทางแสง18.วิธีการของข้อถือสิทธิ17ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการตรวจจับการแผ่รังสีเปล่งปล่อยอย่างน้อยส่วนหนึ่งซึ่งเคลื่อนผ่านโครงสร้างนาโนทางแสงที่มีตัวตรวจรู้ถูกสร้างบนชั้นฐาน19.วิธีการของข้อถือสิทธิ17หรือข้อถือสิทธิ18โดยที่การปฏิเสธส่วนหนึ่งของการแผ่รังสีกระตุ้นจะประกอบรวมด้วยการทำให้ส่วนของการแผ่รังสีกระตุ้นสะท้อนจากโครงสร้างนาโนทางแสง20.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-19ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่ความยาวคลื่นที่หนึ่งจะอยู่ภายในช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกของโครงสร้างนาโนทางแสง21.วิธีการของข้อถือสิทธิ20โดยที่ความยาวคลื่นที่สองจะอยู่ภายนอกช่องว่างแถบพลังงานโฟโตนิกของโครงสร้างนาโนทางแสง22.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-21ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบอย่างน้อยในหนึ่งมิติในระนาบ23.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-22ข้อใดข้อหนึ่งโดยที่รูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะเป็นตามคาบหรือเสมือนตามคาบในสองมิติในระนาบ24.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-23ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยการส่งผ่านการแผ่รังสีเปล่งปล่อยจากห้องปฏิกิริยาโดยผ่านกลีบช่องรับแสง25.วิธีการของข้อถือสิทธิ24ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการปฏิเสธการแผ่รังสีกระตุ้นด้วยกลีบช่องรับแสง26.วิธีการตามข้อถือสิทธิ17-25ข้อใดข้อหนึ่งซึ่งยังประกอบรวมด้วยการเพิ่มความเข้มข้นการแผ่รังสีเปล่งปล่อยด้วยจานไดอิเล็กตริกที่อยู่ระหว่างห้องทำปฏิกิริยากับโครงสร้างนาโนทางแสง27.วิธีการผลิตอุปกรณ์รวมโดยที่วิธีการจะประกอบรวมด้วย:การสร้างพิกเซลหลายอันบนชั้นฐานซึ่งมีผิวหน้าที่หนึ่งโดยที่ว่าพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนจะประกอบรวมด้วยห้องทำปฏิกิริยาและตัวตรวจรู้การสร้างท่อนำคลื่นในพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนและการสร้างโครงสร้างนาโนทางแสงในพิกเซลหลายอันอย่างน้อยบางส่วนระหว่างท่อนำคลื่นกับตัวตรวจรู้โดยที่การสร้างโครงสร้างนาโนทางแสงจะประกอบรวมด้วย:การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างในระนาบที่ขนานมากพอกับผิวหน้าที่หนึ่งของชั้นฐาน28.วิธีการของข้อถือสิทธิ27โดยที่การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งจะประกอบรวมด้วยการสร้างแผนแบบตามคาบหรือเสมือนตามคาบในวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง29.วิธีการของข้อถือสิทธิ27หรือข้อถือสิทธิ28โดยที่การกำหนดแผนแบบวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งให้รวมถึงรูปแบบแปรผันทางโครงสร้างจะประกอบรวมด้วยการกัดสลักวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่งเพื่อสร้างช่องว่างในวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง30.วิธีการของข้อถือสิทธิ29ซึ่งยังประกอบรวมด้วยการเติมใส่ช่องว่างด้วยวัสดุไดอิเล็กตริกที่สองที่ต่างจากวัสดุไดอิเล็กตริกที่หนึ่ง
TH2101007887A 2020-06-18 ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง TH2101007887A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH2101007887A true TH2101007887A (th) 2023-04-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10989590B2 (en) Integrated bound-mode spectral/angular sensors
US6574383B1 (en) Input light coupler using a pattern of dielectric contrast distributed in at least two dimensions
JP2020529005A5 (th)
JP6392876B2 (ja) 導波モード共鳴デバイス
KR101179368B1 (ko) 유전성 미세공동 센서
KR20140112012A (ko) 집적된 서브-파장 격자 시스템
JP2006251063A (ja) 光コネクタ、光結合方法及び光素子
JP2007003969A (ja) 光学素子
WO2003081305A1 (fr) Resonateur optique interferenciel a cristal photonique bidimensionnel a defauts ponctuels, et reflecteur optique
JP2009054795A (ja) 半導体レーザ
KR20150086098A (ko) 광학 소자 및 광학 소자로부터의 광의 진행 방향을 제어하는 방법
US20060120679A1 (en) Photonic crystal energy converter
US11474039B2 (en) Chemical sensing device using fluorescent sensing material
JP2019118116A (ja) 共振器の最適化
TH2101007887A (th) ตัวปฏิเสธโครงสร้างนาโนทางแสงสำหรับอุปกรณ์รวมและวิธีการที่เกี่ยวข้อง
JP4427589B2 (ja) 光集積回路装置
JP4867011B2 (ja) 屈折率センサおよび屈折率測定装置
JP4728989B2 (ja) ラマン散乱光増強デバイス
TWI697674B (zh) 感測模組及感測方法
US11480463B2 (en) Integrated bound-mode spectral/angular sensors
JP5581955B2 (ja) 微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置
JP6485237B2 (ja) 合波レーザ光源
KR20230016649A (ko) 광파이버 상의 동조 가능 나노회로 및 도파관 시스템과 방법
JP6808336B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP6774400B2 (ja) 面発光量子カスケードレーザ