TH19602A - "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว" - Google Patents

"วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว"

Info

Publication number
TH19602A
TH19602A TH9501002526A TH9501002526A TH19602A TH 19602 A TH19602 A TH 19602A TH 9501002526 A TH9501002526 A TH 9501002526A TH 9501002526 A TH9501002526 A TH 9501002526A TH 19602 A TH19602 A TH 19602A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silica
coating
glass
base material
silane
Prior art date
Application number
TH9501002526A
Other languages
English (en)
Other versions
TH12465B (th
Inventor
เจ. โซเบย์แรนด์ นายไมเคิล
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH19602A publication Critical patent/TH19602A/th
Publication of TH12465B publication Critical patent/TH12465B/th

Links

Abstract

กรรมวิธีของการขึ้นรูปด้วยความร้อนของการเคลือบที่มีซิลิก้า ประกอบอยู่บนวัสดุ ฐานแก้วที่อุณหภูมิที่สูงขึ้น ไซเลน ออกซิเจน และก๊าซตัวจับแรดดิคอล และก๊าซตัวพาถูกรวม เป็นส่วนผสมสารตั้งต้น และสารตั้งต้น ถูกให้โดยตรง และไปตามผิวหน้าของวัสดุฐานแก้วที่ ร้อน การมีปรากฏอยู่ของตัวจับแรดดิคอล ยินยอมให้ไซเลน ซึ่งเป็นไพโรโฟริค ถูกผสมเข้า กับออกซิเจนก่อน โดยไม่เกิดการจุดระเบิด และปฏิกริยายังไม่ถึงอุณหภูมิช่วงการทำงาน ตัว จับแรดดิคอลยังคงจัดให้มีขึ้นซึ่งการควบคุมต่อการทำให้เกิดปฏิกริยาการจับเกาะไอสารเคมี สูงสุด (CVD) บนวัสดุแก้ว โดยจะดีกว่าแล้วการรวมของวัสดุตั้งต้นที่ประกอบด้วย โมโนไซ เลนและออกซิเจน กับเอทธิลีน เป็นตัวจับแรดดิคอล และประกอบด้วย ไนโตรเจน เป็น ก๊าซตัวพา

Claims (1)

1. กระบวนการสำหรับการเกาะจับของสารเคลือบซิลิก้าบนวัสดุฐานแก้วที่ได้รับ ความร้อนแล้วประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัดให้มีวัสดุฐานแก้วที่ได้รับความร้อนแล้วที่ผิวหน้าที่จะถูกเกาะจับด้วย สารเคลือบ b) การผสมล่วงหน้าของไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอล ออกซิเจน และก๊าซตัวพาที่ เฉื่อยเพื่อทำเป็นส่วนผสมตั้งต้น การนำส่วนผสมตั้งต้นไปยังและตามแนวผิวหน้าที่จะถูกเคลือบใน ลักษณะการไหลแบบลามินาร์ และการทำปฏิกิริยาของส่วนผสมที่หรือใกล้กับผิวหน้าเพื่อให้เกิด เป็นสารเคลือบซิลิก้า ตัวจับแรดดิคอลจะมีอยู่ในปริมาณที่มีอัตราส่วนของตัวจับแรดดิคอลต่อไซเลน อยู่ระหว่าง 3 ต่อ 1 และ 17 ต่อ 1 และ c) การทำให้วัสดุฐานแก้วที่ถูกเคลือบเย็นลงถึงอุณหภูมิโดยรอบ 2. กระบวนการสำหรับการเกาะจับของการเคลือบที่มีซิลิก้าลงบนวัสดุฐานแก้วตาม ที่ถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบด้วย d) ก่อนขั้นตอน b) การจับเกาะลงบนผิวหน้าการเคลือบของซิลิคอนโลหะออกไซด์ หรือโลหะไนไตร์ด (metallic nitride) 3. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าลงบนวัสดุฐานแก้วตาม ข้อถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ประกอบด้วย d) ภายหลังขั้นตอน b) การจับเกาะลงบนผิวหน้าการเคลือบของซิลิกอนโลหะ ออกไซด์ หรือโลหะไนไตร์ด 4. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าลงบนวัดุฐานแก้วตาม ข้อถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 2 ประกอบด้วย e) ภายหลังขั้นตอน d) การจับเกาะลงบนผิวหน้าการเคลือบของซิลิกอนโลหะ ออกไซด์ หรือโลหะไนไตร์ด 5. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าลงตามข้อถือสิทธิไว้ ในข้อถือสิทธิข้อ 3 ประกอบด้วย e) ภายหลังขั้นตอน d) ที่ซึ่งแผ่นชั้นของซิลิกอน โลหะออกไซด์ หรือโลหะไนไตร์ด ถูกจับเกาะ ขั้นตอนของการทำซ้ำขั้นตอน b) เพื่อจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าครั้งที่สองลงบนแผ่น ชั้นของซิลิกอน โลหะออกไซด์หรือโลหะไนไตร์ด 6. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิไว้ใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งไซเลนที่มีอยู่ในส่วนผสมสารตั้งต้นเป็นโมโนไซเลน (SiH4) 7. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งก๊าซตัวจับแรดดิคอลในส่วนผสมสารตั้งต้นจะถูกเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย เอทธิลีน และโพรไพลีน 8. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งก๊าซตัวจับแรดดิคอลเป็นเอทธิลีน 9. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งไซเลนนี้เป็นโมโนไซเลน (SiH4) และตัวจับแรดดิคอลนี้เป็นเอทธิลีน (C2H4) 1 0. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งความเข้มข้นของไซเลนในส่วนผสมสารตั้งต้นอยู่ประมาณระหว่าง 0.05% และ 3% โดยปริมาตร 1 1. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งความเข้นข้นของออกซิเจนในส่วนผสมสารตั้งต้นอยู่ประมาณระหว่าง 0.15% และ 9% โดยปริมาตร 1 2. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ข้อถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 10 ที่ซึ่งอัตราส่วนของเอทธิลีน/ไซเลนจะอยู่ประมาณระหว่าง 3 ถึง 1 และ 17 ถึง 1 และความเข้มข้นของออกซิเจนจะอยู่ประมาณระหว่าง 0.15% และ 9% โดยปริมาตร 1 3. กระบวนการสำหรับการจับเกาะของการเคลือบที่มีซิลิก้าตามที่ขอถือสิทธิใน ข้อถือสิทธิข้อ 12 โดยที่อัตราส่วนของเอทธิลีน/ไซเลนจะเป็นประมาณ 9 ถึง 1 1 4. กรรมวิธีของการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่มีสารเคลือบซิลิก้าบนผิวหน้าหนึ่งของ สิ่งดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การคงรักษาวัสดุฐานแผ่นแก้วไว้ที่อุณหภูมิอย่างน้อยประมาณ 1050 ํ ฟ, (566 ํซ.) ในบรรยากาศนัน-ออกซิไดซ์ซิ่ง (non-oxidizing atmosphere) b) การผสมล่วงหน้าของไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอล ออกซิเจน และก๊าซตัวพาที่ เฉื่อยเพื่อทำเป็นส่วนผสมตั้งต้นที่เป็นก๊าซ การนำส่วนผสมไปยังและตามแนวผิวหน้าหนึ่งดังกล่าว ในลักษณะการไหลแบบลามินาร์ และการทำปฏิกิริยาของส่วนผสมที่หรือใกล้กับผิวหน้าหนึ่งดังกล่าว เพื่อให้เกิดเป็นสารเคลือบซิลิก้า ตัวจับแรดดิคอลจะมีอยู่ในปริมาณที่มีอัตราส่วนของตัวจับแรดดิคอล ต่อไซเลนอยู่ระหว่าง 3 ต่อ 1 และ 17 ต่อ 1 และ c) การเอาวัสดุฐานแก้วที่ถูกเคลือบแล้วออกจากบรรยากาศนัน-ออกซิไดซ์ซิ่งและ การทำให้วัสดุฐานที่เคลือบแล้วเย็นลงถึงอุณหภูมิรอบ 1 5. กรรมวิธีของการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่การเคลือบ มีซิลิก้าอยู่บนผิวหน้าด้าน หนึ่งนั้น ตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 14 ประกอบด้วยขั้นตอนภายหลัง a) และก่อน b) ของ การจับเกาะไปยังผิวหน้าด้านหนึ่งดังกล่าว การเคลือบนี้จะเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วยซิลิกอน โลหะ ออกไซด์ และโลหะไนไตรด์ 1 6. กรรมวิธีของการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่การเคลือบ มีซิลิก้าอยู่บนผิวลหน้าด้าน หนึ่งนั้น ตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 14 ประกอบด้วยขั้นตอนภายหลัง b) ของการจับเกาะไป ยังผิวหน้าด้านหนึ่งดังกล่าว การเคลือบนี้จะเลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วยซิลิกอน โลหะออกไซด์ และ โลหะไนไตรด์ 1 7. กรรมวิธีสำหรับการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่การเคลือบ มีซิลิก้าอยู่บนผิวหน้า ด้านหนึ่งนั้น ตามที่ขอถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่งบรรยากาศนั้น-ออกซิไดซ์ซึ่งดังกล่าว ประกอบด้วยส่วนผสมของไนโตรเจน และไฮโดรเจนซึ่งไนโตรเจนจะเป็นพรีโดมิเนท (preclominate) ไซเลนดังกล่าวจะประกอบด้วยโมโนไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอลดังกล่าวจะประกอบด้วยเอธิลีน และก๊าซเฉื่อยตัวพาประกอบด้วยไนโตรเจน 1 8. กรรมวิธีสำหรับการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่การเคลือบ มีซิลิก้าอยู่บนผิวหน้า ด้านหนึ่งนั้น ตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งความเข้มข้นของในโนไซเลนอยู่ประมาณ ระหว่าง 0.05% และ 3.0% ของก๊าซตั้งต้นโดยปริมาตร ความเข้มข้นของออกซิเจนอยู่ประมาณระหว่าง 0.15% และ 9% โดยปริมาตรของก๊าซตั้งต้น และอัตราส่วนของเอทธิลีน/ไซเลนจะอยู่ประมาณระหว่าง 3 ถึง 1 และ 17 ถึง 1 1 9. กรรมวิธีสำหรับการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่การเคลือบ มีซิลิก้าอยู่บนผิวหน้า ด้านหนึ่งนั้น ตามที่ขอถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งความเข้มข้นของในโนไซเลนอยู่ประมาณ ระหว่าง 0.6% และ 1.0% ความเข้มข้นของออกซิเจนอยู่ประมาณระหว่าง 1.0% และ 7% และอัตรา ส่วนของเอทธิลีน/ไซเลนจะอยู่ประมาณระหว่าง 3 ถึง 1 และ 12 ถึง 1 2 0. กระบวนการสำหรับการเกาะจับของสารเคลือบที่มีซิลิก้าบนวัสดุฐานแก้วที่ ได้รับความร้อนแล้วและประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัดให้มีวัสดุฐานแก้วที่ได้รับความร้อนแล้วที่มีผิวหน้าที่จะถูกเกาะจับด้วย สารเคลือบ b) การผสมล่วงหน้าของไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอล ออกซิเจน และก๊าซตัวพาที่ เฉื่อยเพื่อทำเป็นส่วนผสมตั้งต้น c) การคงรักษาส่วนผสมไว้ที่อุณหภูมิอย่างน้อย 200 ํฟ. การนำส่วนผสมไปยัง และตามแนวผิวหน้าที่จะถูกเคลือบในลักษณะการไหลแบบลามินาร์ และการทำปฏิกิริยาของส่วน ผสมที่หรือใกล้กับผิวหน้าเพื่อทำให้เกิดเป็นสารเคลือบที่มีซิลิก้า ตัวจับแรดดิคอลจะมีอยู่ในปริมาณ ที่มีอัตราส่วนของตัวจับแรดดิคอลต่อไซเลนอยู่ระหว่าง 3 ต่อ 1 และ 17 ต่อ 1 และ d) การทำให้วัสดุฐานแก้วที่ถูกเคลือบเย็นลงจนถึงอุณหภูมิโดยรอบ 2
1. กรรมวิธีของการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่มีสารเคลือบที่มีซิลิก้าบนผิวหน้าหนึ่ง ของสิ่งดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การคงรักษาวัสดุฐานแผ่นแก้วไว้ที่อุณหภูมิอย่างน้อยประมาณ 1050 ํฟ. (566 ํซ.) ในบรรยากาศนัน-ออกซิไดซ์ซิ่ง b) การผสมล่วงหน้าของไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอล ออกซิเจน และก๊าซตัวพาที่ เฉื่อยเพื่อทำเป็นส่วนผสมตั้งต้นที่เป็นก๊าซ การนำส่วนผสมไปยังและตามแนวผิวหน้าที่หนึ่งดังกล่าว และการทำปฏิกิริยาของส่วนผสมที่หรือใกล้กับผิวหน้าหนึ่งดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดเป็นสารเคลือบที่มี ซิลิก้า ตัวจับแรดดิคอลจะมีอยู่ในปริมาณที่มีอัตราส่วนของตัวจับแรดดิคอลต่อไซเลนอยู่ระหว่าง 3 ต่อ 1 และ c) การเอาวัสดุฐานแก้วที่ถูกเคลือบแล้วออกจากบรรยากาศนัน- ออกซิไดซ์ซิ่ง และ การทำให้วัสดุฐานที่เคลือบแล้วเย็นลงถึงอุณหภูมิโดยรอบ
TH9501002526A 1995-10-10 "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว" TH12465B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH19602A true TH19602A (th) 1996-07-16
TH12465B TH12465B (th) 2002-04-12

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2634743B2 (ja) 低温化学蒸着法
Wong Vibrational spectra of vapor-deposited binary phosphosilicate glasses
US5698262A (en) Method for forming tin oxide coating on glass
KR970706960A (ko) 유리 피복 방법 및 이에 의해 피복된 유리(Glass Coating Method and Glass Coated Thereby)
US3481781A (en) Silicate glass coating of semiconductor devices
JP4290993B2 (ja) アンチモン・ドープ金属酸化物の化学蒸着
US4847157A (en) Glass coating method and resulting article
US4196232A (en) Method of chemically vapor-depositing a low-stress glass layer
KR890004997A (ko) 플로우트 유리(float glass)상에 산화 금속 코우팅 부착을 위한 장치 및 방법
EP0387403A1 (en) Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources
WO2005092809A1 (en) Method for depositing gallium oxide coatings on flat glass
US5741596A (en) Coating for oxidation protection of metal surfaces
US5250473A (en) Method of providing silicon dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapor phase at a low pressure (LPCVD)
US5773086A (en) Method of coating flat glass with indium oxide
US4946712A (en) Glass coating method and resulting article
JP4705572B2 (ja) 基板上にシリカ被膜を堆積させる方法
GB1204544A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
NL8600983A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een substraat voor een halfgeleider.
TH19602A (th) "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว"
TH12465B (th) "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว"
KR100622432B1 (ko) 투명 박막의 형성 방법, 이 방법에 의해 형성한 투명 박막 및 투명 박막이 있는 투명 기판
JP2012020936A (ja) ガラス基材上への酸化鉄コーティングの蒸着
EP0412644A3 (en) Low temperature low pressure thermal cvd process for forming conformal group iii and/or group v-doped silicate glass coating of uniform thickness on integrated structure
JP2003048753A (ja) 薄膜を備えたガラス基板およびその製造方法
JPH08274430A (ja) 電気回路用基板