TH19602A - "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว" - Google Patents
"วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว"Info
- Publication number
- TH19602A TH19602A TH9501002526A TH9501002526A TH19602A TH 19602 A TH19602 A TH 19602A TH 9501002526 A TH9501002526 A TH 9501002526A TH 9501002526 A TH9501002526 A TH 9501002526A TH 19602 A TH19602 A TH 19602A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silica
- coating
- glass
- base material
- silane
- Prior art date
Links
Abstract
กรรมวิธีของการขึ้นรูปด้วยความร้อนของการเคลือบที่มีซิลิก้า ประกอบอยู่บนวัสดุ ฐานแก้วที่อุณหภูมิที่สูงขึ้น ไซเลน ออกซิเจน และก๊าซตัวจับแรดดิคอล และก๊าซตัวพาถูกรวม เป็นส่วนผสมสารตั้งต้น และสารตั้งต้น ถูกให้โดยตรง และไปตามผิวหน้าของวัสดุฐานแก้วที่ ร้อน การมีปรากฏอยู่ของตัวจับแรดดิคอล ยินยอมให้ไซเลน ซึ่งเป็นไพโรโฟริค ถูกผสมเข้า กับออกซิเจนก่อน โดยไม่เกิดการจุดระเบิด และปฏิกริยายังไม่ถึงอุณหภูมิช่วงการทำงาน ตัว จับแรดดิคอลยังคงจัดให้มีขึ้นซึ่งการควบคุมต่อการทำให้เกิดปฏิกริยาการจับเกาะไอสารเคมี สูงสุด (CVD) บนวัสดุแก้ว โดยจะดีกว่าแล้วการรวมของวัสดุตั้งต้นที่ประกอบด้วย โมโนไซ เลนและออกซิเจน กับเอทธิลีน เป็นตัวจับแรดดิคอล และประกอบด้วย ไนโตรเจน เป็น ก๊าซตัวพา
Claims (1)
1. กรรมวิธีของการผลิตวัสดุฐานแผ่นแก้วที่มีสารเคลือบที่มีซิลิก้าบนผิวหน้าหนึ่ง ของสิ่งดังกล่าวประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การคงรักษาวัสดุฐานแผ่นแก้วไว้ที่อุณหภูมิอย่างน้อยประมาณ 1050 ํฟ. (566 ํซ.) ในบรรยากาศนัน-ออกซิไดซ์ซิ่ง b) การผสมล่วงหน้าของไซเลน ก๊าซตัวจับแรดดิคอล ออกซิเจน และก๊าซตัวพาที่ เฉื่อยเพื่อทำเป็นส่วนผสมตั้งต้นที่เป็นก๊าซ การนำส่วนผสมไปยังและตามแนวผิวหน้าที่หนึ่งดังกล่าว และการทำปฏิกิริยาของส่วนผสมที่หรือใกล้กับผิวหน้าหนึ่งดังกล่าวเพื่อทำให้เกิดเป็นสารเคลือบที่มี ซิลิก้า ตัวจับแรดดิคอลจะมีอยู่ในปริมาณที่มีอัตราส่วนของตัวจับแรดดิคอลต่อไซเลนอยู่ระหว่าง 3 ต่อ 1 และ c) การเอาวัสดุฐานแก้วที่ถูกเคลือบแล้วออกจากบรรยากาศนัน- ออกซิไดซ์ซิ่ง และ การทำให้วัสดุฐานที่เคลือบแล้วเย็นลงถึงอุณหภูมิโดยรอบ
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH19602A true TH19602A (th) | 1996-07-16 |
TH12465B TH12465B (th) | 2002-04-12 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2634743B2 (ja) | 低温化学蒸着法 | |
Wong | Vibrational spectra of vapor-deposited binary phosphosilicate glasses | |
US5698262A (en) | Method for forming tin oxide coating on glass | |
KR970706960A (ko) | 유리 피복 방법 및 이에 의해 피복된 유리(Glass Coating Method and Glass Coated Thereby) | |
US3481781A (en) | Silicate glass coating of semiconductor devices | |
JP4290993B2 (ja) | アンチモン・ドープ金属酸化物の化学蒸着 | |
US4847157A (en) | Glass coating method and resulting article | |
US4196232A (en) | Method of chemically vapor-depositing a low-stress glass layer | |
KR890004997A (ko) | 플로우트 유리(float glass)상에 산화 금속 코우팅 부착을 위한 장치 및 방법 | |
EP0387403A1 (en) | Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources | |
WO2005092809A1 (en) | Method for depositing gallium oxide coatings on flat glass | |
US5741596A (en) | Coating for oxidation protection of metal surfaces | |
US5250473A (en) | Method of providing silicon dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapor phase at a low pressure (LPCVD) | |
US5773086A (en) | Method of coating flat glass with indium oxide | |
US4946712A (en) | Glass coating method and resulting article | |
JP4705572B2 (ja) | 基板上にシリカ被膜を堆積させる方法 | |
GB1204544A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
NL8600983A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een substraat voor een halfgeleider. | |
TH19602A (th) | "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว" | |
TH12465B (th) | "วิธีการเคลือบแก้วและแก้วที่ถูกเคลือบโดยวิธีดังกล่าว" | |
KR100622432B1 (ko) | 투명 박막의 형성 방법, 이 방법에 의해 형성한 투명 박막 및 투명 박막이 있는 투명 기판 | |
JP2012020936A (ja) | ガラス基材上への酸化鉄コーティングの蒸着 | |
EP0412644A3 (en) | Low temperature low pressure thermal cvd process for forming conformal group iii and/or group v-doped silicate glass coating of uniform thickness on integrated structure | |
JP2003048753A (ja) | 薄膜を備えたガラス基板およびその製造方法 | |
JPH08274430A (ja) | 電気回路用基板 |