TH18554A - ตัวตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กหลายชั้น - Google Patents
ตัวตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กหลายชั้นInfo
- Publication number
- TH18554A TH18554A TH9401001969A TH9401001969A TH18554A TH 18554 A TH18554 A TH 18554A TH 9401001969 A TH9401001969 A TH 9401001969A TH 9401001969 A TH9401001969 A TH 9401001969A TH 18554 A TH18554 A TH 18554A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- ferromagnetic
- nickel
- iron
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 126
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims 14
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 50
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract 26
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract 6
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 32
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 20
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 18
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 15
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 12
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 12
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 claims 5
- GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Co].[Pt].[Pt].[Pt] GUBSQCSIIDQXLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 4
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- QKGPHOLBTUQGIA-UHFFFAOYSA-N [Rh].[Fe].[Ni] Chemical compound [Rh].[Fe].[Ni] QKGPHOLBTUQGIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- -1 Nickel-Iron-Niobium Nickel-Iron Chemical compound 0.000 claims 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims 2
- ROPGXTOGNYGGRA-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Ni].[Ni] Chemical compound [Fe].[Ni].[Ni] ROPGXTOGNYGGRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims 2
- KPHMZPZFNOFDPH-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[Fe].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni].[Fe].[Ni] KPHMZPZFNOFDPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N [Co].[Pt] Chemical group [Co].[Pt] CLBRCZAHAHECKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N chromium iron nickel Chemical compound [Cr].[Fe].[Ni] BIJOYKCOMBZXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000009916 joint effect Effects 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N silicon tantalum Chemical compound [Si].[Ta] HWEYZGSCHQNNEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Abstract
ตัวตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กรวมส่วนประกอบตรวจวัดหลายชั้นที่สร้างด้วยส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็กหนึ่งหรือมากกว่าในแถวลำดับระนาบ แต่ละส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็กที่มีโครงสร้างหลายชั้นของอย่างน้อยที่สุดสองชั้นเฟอร์โรแมกเนติก ที่แยกจากกันโดยชั้นที่ไม่เป็นแม่เหล็ก ชั้นที่ไม่เป็นแม่เหล็กถูกเชื่อมต่ออย่างแอนตี้เฟอร์โรแมกเนติก โดยการเชื่อมต่อแม่เหล็กสถิตย์ ที่ปลายตรงข้ามของชั้นเฟอร์โรแมกเนติก ชั้นไบแอสที่แยกจากส่วนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กโดยชั้นคั่นให้มีสนามแม่เหล็ก เพื่อไบแอสวนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กที่จุดไม่มีสัญญาณที่ต้องการสำหรับการตอบสนองเชิงเส้น ส่วนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็ก ถูกสร้างโดยชั้นที่พอกอย่างสลับกันของสารเฟอร์โรแมกเนติก และชั้นของสารที่ไม่เป็นแม่เหล็กบนซับสเตรตและต่อไป ทำรูปแบบโครงสร้างที่เป็นผลโดยใช้เทคนิคโฟโตลิโธกราฟฟิค เพื่อให้มีแถวลำดับระนาบของส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็ก ชั้นนำถูกพอกบนแถวลำดับที่เติมช่องว่างที่แยกส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็กเพื่อให้มีการนำไฟฟ้าระหว่างส่วนประกอบในระนาบของโครงสร้าง
Claims (9)
1. แผ่นตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กหลายชั้นซึ่งประกอบด้วยแผ่นฐาน (substrate); ชั้นแบ่งแยกซึ่งพอกอยู่บนพื้นผิวหลักของแผ่นฐานดังกล่าว ชั้นไบแอสของวัสดุแม่เหล็กซึ่งถูกพอกอยู่บนชั้นแบ่งแยกดังกล่าว ส่วนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็ก ซึ่งถูกพอกอยู่บนชั้นไบแอสดังกล่าวและประกอบด้วยกลุ่มของ N ชั้นคู่ โดยที่แต่ละชั้นคู่ประกอบด้วยชั้นของเฟโรแมกเนติกที่ทำไว้บนชั้นของวัสดุที่ไม่เป็นแม่เหล็ก N ชั้นคู่ดังกล่าวถูกทำไว้บนชั้นฐานของวัสดุเฟโรแมกเนติกดังกล่าว ทำให้เกิดเป็นโครงสร้างแม่เหล็กหลายชั้นของชั้นที่สลับกันของวัสดุเฟโรแมกเนติกและวัสดุที่ไม่เป็นแม่เหล็ก ชั้นบนและชั้นฐานเป็นวัสดุเฟโรแมกเนติกชั้นเฟโรแมกเนติกแต่ละชั้นถูกเชื่อมโยงเชิงแอนติเฟโรแมกเนติกเข้ากับชั้นเฟโรแมกเนติกข้างเคียงโดยคัปปลิงแมกนี โตสแตติกที่ขอบตรงข้ามกัน สนามกระทำร่วมซึ่งรวมถึงส่วนประกอบย่อยของคัปปลิงต้านทานแม่เหล็กดังกล่าว และคัปปลิงแลกเปลี่ยนที่ปรากฎอยู่ระหว่างชั้นเฟโรแมกเนติกที่อยู่ถัดกัน สนามกระทำร่วมสุทธิระหว่างชั้นเฟโรแมกเนติกที่อยู่ถัดกันเป็นแอนติเฟโรแมกเนติก การทำให้เป็นแม่เหล็กของชั้นเฟโรแมกเนติกถูกจัดวางไม่ให้ขนานกับการทำให้เป็นแม่เหล็กในชั้นเฟโรแมกเนติกที่อยู่ถัดกัน ทิศทางของการทำให้เป็นแม่เหล็กในชั้นเฟดรแมกเนติกแต่ละชั้นที่หมุนตอบสนองต่อสนามแม่เหล็กที่ป้อนให้ ความต้านทานของตัวตรวจวัดต้านทานแม่เหล็ก ดังกล่าวแปรเปลี่ยนเป็นฟังก์ชันของการเปลี่ยนแปลงของมุมระหว่างทิศทางของการทำให้เป็นแม่เหล็กในชั้นเฟโรแมกเนติกที่อยู่ถัดกัน โครงสร้างแม่เหล็กหลายชั้นดังกล่าวถูกจัดกระสวนให้เกิดเป็นส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็กเดี่ยวส่วนประกอบต้านทานแม่เหล็กดังกล่าวมีมิติสูงสุดเท่ากันกับความกว้างแทร็กข้อมูลที่ต้องการ ชั้นปิดครอบที่ทำไว้บนชั้นบนของโครงสร้างแม่เหล็กหลายชั้นดังกล่าว และ ชั้นแทรกของวัสดุที่ไม่เป็นแม่เหล็กซึ่งพอกไว้บนชั้นไบแอสดังกล่าวและถูกจัดวางไว้ระหว่างชั้นไบแอสดังกล่าว และส่วนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กดังกล่าว สำหรับปลดการเชื่อมโยงชั้นไบแอสดังกล่าวออกจากส่วนประกอบตรวจวัดต้านทานแม่เหล็กดังกล่าว 8
2. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่จำนวน N ของชั้นคู่ถูกเลือกจากพิสัย 1 ถึง 10 8
3. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่วัสดุเฟโรแมกเนติกดังกล่าวประกอบด้วยวัสดุที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยเหล็ก โคบอลต์ นิเกิล นิเกิล-เหล็ก และโลหะผสมของเฟโรแมกเนติก ซึ่งมีพื้นฐานเป็นเหล็ก โคบอลท์ นิเกิล หรือนิเกิล-เหล็ก 8
4. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นที่ไม่เป็นแม่เหล็กดังกล่าวประกอบด้วยวัสดุตัวนำไฟฟ้าที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยเงิน ทอง ทองแดง และรูทีเนียม และโลหะผสมตัวนำของเงิน ทอง ทองแดง หรือรูทีเนียม 8
5. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นแทรกดังกล่าวประกอบด้วยวัสดุที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยแทนทาลัมเซอร์โคเนียม ไทเทเนียม อิตเทรียมและแฮฟเนียม 8
6. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นไบแอสดังกล่าวประกอบด้วยชั้นของวัสดุอ่อนเชิงแม่เหล็กเพื่อจัดให้มีสนามไบแอสแม่เหล็กดังกล่าว วัสดุอ่อนเชิงแม่เหล็กดังกล่าวเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย นิเกิล-เหล็ก-โครเมียม นิเกิล-เหล็ก-นิโอเบียม นิเกิล-เหล็ก และนิเกิล-เหล็ก-โรเดียม 8
7. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นไบแอสดังกล่าวประกอบด้วยชั้นของวัสดุอ่อนเชิงแม่เหล็กสำหรับทำให้เกิดสนามไบแอสแม่เหล็กดังกล่าว วัสดุแข็งเชิงแม่เหล็กดังกล่าวถูกเลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยโคบอลต์-แพลตินัม และโคบอลต์-แลตินัม-โครเมียม 8
8. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นเฟโรแมกเนติกดังกล่าวมีความหนาภายในพิสัยประมาณ 10 อังสตรอม ถึงประมาณ100 อังสตอรม 8
9. ตัวตรวจวัดตามข้อถือสิทธิ 81 โดยที่ชั้นที่ไม่เป็นแม่เหล็กดังกล่าวมีความหนาภายในพิสัยประมาณ 10 อังสตอม ถึงประมาณ 400 อังสตรอม
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH18554A true TH18554A (th) | 1996-05-09 |
| TH6376B TH6376B (th) | 1997-07-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7502208B2 (en) | Magneto-resistive effect element, magnetic sensor using magneto-resistive effect, magnetic head using magneto-resistive effect and magnetic memory | |
| US5341118A (en) | Multilayer magnetic structure wherein the magnitude of the structure magnetoresistance is a function of nonmagnetic layer thickness | |
| KR950020420A (ko) | 다층 자기저항 센서 | |
| JP4433820B2 (ja) | 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計 | |
| US5930085A (en) | Magnetoresistive head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US5598308A (en) | Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure | |
| JP3327375B2 (ja) | 磁気抵抗効果型トランスデューサ、その製造方法及び磁気記録装置 | |
| JP3210192B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
| US20060152862A1 (en) | Magnetoresistance effect elements, magnetic heads and magnetic storage apparatus | |
| US20030011364A1 (en) | Magneto-resistive effect element, magnetic sensor using magneto-resistive effect, magnetic head using magneto-resistive effect and magnetic memory | |
| KR970017217A (ko) | 이중 스핀 밸브 센서를 이용한 이중 저기저항 센서 | |
| JPH04247607A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH0766033A (ja) | 磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ | |
| GB2387711A (en) | Magnetic sensing element with multi-layer free layer | |
| JP2002150512A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| EP1151482A1 (en) | Spin dependent tunneling sensor | |
| US6621666B2 (en) | Magnetoresistive-effect element having electrode layers oppositely disposed on main surfaces of a magnetoresistive-effect thin film having hard magnetic bias layers with a particular resistivity | |
| EP2267811A2 (en) | CPP type giant magnetoresistance device and magnetic compounds and units using the same | |
| US5936400A (en) | Magnetoresistive displacement sensor and variable resistor using a moving domain wall | |
| JPH08122095A (ja) | 位置検出装置 | |
| KR100438059B1 (ko) | 면형 자기센서 및 다차원 자장해석용 면형 자기센서 | |
| KR20010078004A (ko) | 자기센서 및 이를 이용한 자기기억장치 | |
| JP2000512763A (ja) | ホイートストンブリッジを備える磁界センサ | |
| JPH07296340A (ja) | 磁気抵抗効果素子およびその素子を使用した薄膜磁気ヘッド | |
| JP2001256620A (ja) | 磁気抵抗センサおよびこれを搭載した磁気記録再生装置 |