Claims (9)
1.วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดหล่อ ประกอบด้วยขั้นตอนต่าง ๆ คือ การจัดเตรียมกรอบสายเชื่อมต่อที่สายเชื่อมต่อขนาดเล็ก จำนวนหลาย ๆ เส้นซึ่งแต่ละเส้นนั้นส่วนสายด้านในถูกทำการ ผนึกเข้ากับวัสดุหล่อและส่วนสายด้านนอกยื่นออกจากวัสดุหล่อ ส่วนสายด้านในของสายเชื่อมต่อที่มีปลายแรกทำการเตรียมพื้น ที่สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างสายเชื่อมต่อและชิ้น สารกึ่งตัวนำ ในขณะที่ส่วนสายด้านนอกของสายเชื่อมต่อมีปลาย ที่สองทำการเตรียมพื้นที่สำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าด้าน นอกสำหรับขึ้นสารกึ่งตัวนำ ส่วนสายด้านนอกของสายเชื่อมต่อ นั้นไม่ต่อเนื่องระหว่างกันที่ตำแหน่งต่าง ๆ ซึ่งอยู่ภาย นอกเส้นของเขตระหว่างส่วนสายด้านในและด้านนอกของสายเชื่อม ต่อ และนอกเหนือไปจากปลายส่วนของส่วนสายด้านนอกของสาย เชื่อมต่อ การใช้แถบของวัสดุยึดติดและวัสดุฉนวนไฟฟ้ากับสายเชื่อมต่อ ขนาดเล็กที่ตั้งฉากพอดีกับทิศทางตามบางของสายเชื่อมต่อทำ ให้ขอบของแถบซึ่งอยู่ใกล้กับปลายแรกของส่วนสายด้านในของสาย เชื่อมต่อมากกว่าอื่น ๆ ของแถบที่วางตัวอยู่บนเส้นขอบเขต ระหว่างส่วนสายด้านในและด้านนอกของสายเชื่อมต่อหรือจะวาง ตัวอยู่ด้านในมากกว่า และกล่าวคือขอบอื่น ๆ วางตัวอยู่บน เส้นขอบเขตหรือด้านมากกว่า การกดส่วนของแถบที่อยู่บนสายเชื่อมต่อขนาดเล็กอย่างน้อย ส่วน เพื่อทำให้แถบของวัสดุฉนวนไฟฟ้าพุ่งเข้าสู่ช่องว่าง ที่อยู่ระหว่างสายเชื่อมต่อเพื่อก่อตัวขึ้นเป็นขอบกั้นของ วัสดุฉนวนไฟฟ้าระหว่างส่วนที่อยู่ติดกันของส่วนของส่วนสาย ด้านในของสายเชื่อมต่ออย่างน้อยหนึ่งส่วน ทำการเชื่อมต่อชิ้นสารกึ่งตัวนำเข้ากับการเชื่อมต่อ ทำการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างชิ้นสารกับสายเชื่อมต่อต่าง ๆ จัดวางกรอบสายเชื่อมต่อ พร้อมด้วยขอบกั้น และชิ้นสารกึ่ง ตัวนำไว้ในหน่วยหล่อขึ้นรูปและทำการปิดหน่วยหล่อขึ้นรูป เพื่อทำการคล้องกรอบสายเชื่อมต่อสำหรับการหล่อขึ้นรูป ทำ การฉีดวัสดุหล่อเข้าสู่หน่วยขึ้นรูปโดยมีขอบทำหน้าที่กั้น วัสดุหล่อจากการรั่วไหลออกจากหน่วยทำการหล่อ ด้วยวิธีดัง กล่าวจึงทำการผนึก ส่วนสายเชื่อมด้านในของสายเชื่อมต่อเข้า กับขึ้นสารกึ่งตัวนำ1. The manufacturing process of cast semiconductor devices involves several steps: preparing the connecting frame with multiple small connecting wires, each with its inner wire sealed into the mold material and its outer wire protruding from the mold. The inner wire of the connecting wire at the first end prepares the area for the electrical connection between the connecting wire and the semiconductor component, while the outer wire of the connecting wire at the second end prepares the area for the external electrical connection for the semiconductor component. The outer wires of the connecting wires are discontinuous at various locations outside the boundary line between the inner and outer wires of the connecting wire, and beyond the ends of the outer wire portions. Applying strips of adhesive and electrical insulation material to the small connecting wires, perpendicular to the direction of the connecting wire, causes the edge of the strip closer to the first end of the inner wire portion of the connecting wire to lie more on the boundary line between the inner and outer wire portions of the connecting wire, or to lie further inward; that is, the other edges lie on the boundary line or further outward. The process involves pressing at least a portion of the strip on the small connecting wire to force the strip of electrical insulation material into the gap between the connecting wires, forming an electrical insulation barrier between adjacent sections of the inner connecting wire. The semiconductor component is then connected to the joint, establishing an electrical connection between the component and the various connecting wires. The connecting wire frame, including the barrier and the semiconductor component, is placed in the molding unit, and the unit is closed to allow the connecting wire frame to be secured for molding. The molding material is injected into the molding unit, with the barrier preventing leakage. Finally, the inner connecting wire section of the connecting wire is sealed to the semiconductor component.
2.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ยังประกอบไปด้วยขั้นตอนการ ขึ้นรูปส่วนสายเชื่อมด้านนอก2. The method under Claim 1 also includes the process of forming the outer weld seam.
3.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 นั้น แถบประกอบด้วยแผ่นบาง ที่ฐานซึ่งเป็นฉนวนไฟฟ้า และชั้นยึดติดของวัสดุยึดฉนวน ไฟฟ้าทีก่อตัวอยู่บนแผ่นบางที่ฐาน และขั้นตอนการใช้แกนถูก ปฏิบัติโดยใช้แถบเข้ากับสายเชื่อมต่อขนาดเล็ก และทำการนำ แผ่นบางที่ฐานแบบฉนวนไฟฟ้าออกจากชิ้นยึดติดดังเช่นที่มัน เป็น3. The method under Claim 1 involves the strip being constructed with a thin sheet at its base which is electrically insulating, and an adhesive layer of insulating material formed on top of the thin sheet at its base. The core application procedure is performed by attaching the strip to a small connecting wire and removing the thin sheet at its base from the adhesive as it was.
4.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 3 นั้นแผ่นบางที่ฐานทำขึ้น จากเรซินแบบโพลิอิมายด์และชิ้นยึดติด ทำขึ้นจากเรซินแบบอี พอกซี4. In the method under claim 3, the base plate is made of polyimide resin and the adhesive is made of epoxy resin.
5.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งมีขั้นตอนการกดถูกกระทำ ขึ้นด้วยแรงกดที่เล็กกว่าของที่กรองสายเชื่อมต่อถูกคล้อง สำหรับการหล่อ และที่อุณหภูมิสูงกว่าที่วัสดุหล่อถูกฉีด5. The method under Claim 1, which involves a pressing step with a lower pressure than that of a looped filter for casting and at a higher temperature than that at which the casting material is injected.
6.วิธีการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งแผ่นบางที่ฐานผลิตขึ้น จากวัสดุฉนวนเทอร์โมพลาสติก และชั้นยึดติดที่ทำขึ้นจาก วัสดุฉนวนและวัสดุจัดปรับทางความร้อนได้6. The method under Claim 1, in which a thin base sheet is manufactured from thermoplastic insulating material and an adhesive layer made from insulating and thermally adaptable materials.
7.อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดหล่อประกอบด้วยชิ้นสารกึ่งตัวนำ สายเชื่อมต่อขนาดเล็กที่เชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้ากับชิ้นสาร และที่มีส่วนสายด้านใน และส่วนสายด้านนอกและวัสดุหล่อที่ ส่วนสายด้านในของสายเชื่อมต่อ และชิ้นสารถูกผนึกเข้าด้วย กันนั้น ส่วนสายด้านนอกของสายเชื่อมต่อที่ยื่นจากวัสดุหล่อ ซึ่งภายในนั้นขอบกั้นของวัสดุไฟฟ้าถูกก่อตัวขึ้นระหว่าง ส่วนต่าง ๆ ของส่วนที่ติดกันของส่วนสายด้านในของสายเชื่อม ต่ออย่างน้อยหนึ่งส่วน ส่วนของขอบกั้นที่ถูกประกอบอยู่ใน วัสดุหล่อที่ส่วนของรอบด้านนอกของวัสดุหล่อ7. A cast semiconductor device consists of a semiconductor element, a small junction electrically connected to the element, and an inner and outer junction sections, with the cast material sealing the inner junction and the element together. The outer junction section protrudes from the cast material, within which an electrical barrier is formed between at least one adjacent section of the inner junction section. This barrier is incorporated into the cast material around the outer perimeter of the cast material.
8.อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ถูกหล่อตามข้อถือสิทธิที่ 7 ซึ่ง ภายในนั้นขอบกั้นระหว่างสายเชื่อมต่อที่อยู่ติดกันยื่นไป อยู่ระหว่างส่วนต่าง ๆ ของส่วนด้านในของสายเชื่อมต่อที่ อยู่ติดกันและระหว่างส่วนต่าง ๆ ของส่วนสายด้านนอกของสาย เชื่อมต่อเพื่อให้ยื่นจากวัสดุหล่อ8. A semiconductor device molded according to claim 7, in which the boundary between adjacent junctions extends between the parts of the inner portions of the adjacent junctions and between the parts of the outer portions of the junctions, protruding from the molding material.
9.อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำชนิดหล่อตามข้อถือสิทธิที่ 7 นั้นขอบ กั้นประกอบด้วยแผ่นบางที่ฐานที่ผลิตขึ้นจากเรซินโพลิอิ มายด์ และชั้นยึดติดที่ทำจากเรซินอีพอกซิซึ่งก่อตัวขึ้น อยู่บนแผ่นบางที่ฐาน (ข้อถือสิทธิ 9 ข้อ, 3 หน้า, 23 รูป)9. The cast semiconductor device pursuant to claim 7 has a barrier consisting of a thin base plate made of polyimide resin and an adhesive layer made of epoxy resin formed on top of the base plate (Clause 9, 3 pages, 23 figures).