TH146142A

TH146142A - วิธีการสำหรับการตกสะสมชั้นบนซับสเทรทกระจกโดยอาศัย pecvd แบบความดันต่ำ

Info

Publication number: TH146142A
Application number: TH1301006653A
Authority: TH
Inventors: มาฮิว; สติจน; ทิกซ์ฮอน; เอริค; สติวเวนเบิร์ก แวน; มาร์ติน; วีเอม; ฮูเกส
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายรุทร นพคุณ
Filing date: 2012-05-24
Publication date: 2016-03-04

Abstract

DC60 (22/11/56) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการสำหรับการผลิตฟิล์มออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำ, ไนไตรด์หรือออกซีไนไตรด์บนซับสเทรท โดยอาศัยวิธีการ PECVD ซึ่งรวมถึงขั้นตอนที่ครอบคลุม ถึง (i) การมีอุปกรณ์ PECVD ความดันต่ำซึ่งรวมถึงเเหล่งกำเนิดพลาสมาอย่างน้อยหนึ่งเเหล่งซึ่ง รวมถึงอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอิเล็กโทรดที่เชื่อมต่อกับตัวก่อกำเนิดชนิด AC, DC หรือ DC ที่ผ่านการดึงสำหรับการตกสะสมฟิล์มดังกล่าวบนซับสเทรท; เเละ (ii) การประยุกต์ให้กำลัง ไฟฟ้าไปยังเเหล่งกำเนิดพลาสมาเเละการประยุกต์พรีเคอร์เซอร์ชนิดเเก๊สของฟิล์มออกไซด์ที่ทำจาก ออกซีไนไตรด์หรือไนไตรด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำเเละเเก๊สพร้อมปฏิกิริยาที่ทำมาจากออกซิเจน, สารอนุพันธ์ออกซิเจน, หรือสารอนุพันธ์ไนโตรเจน ไปบนซับสเทรทนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้อง กับฟิล์มออกซิไนไตรด์, ไนไตรด์หรือออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำที่ได้มาโดยวิธีการนี้ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการสำหรับการผลิตฟิล์มออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำ ไนไตรด์หรือออกซีไนไตรด์บนซับสเทรท โดยอาศัยวิธีการ PECVD ซึ่งรวมถึงขั้นตอนที่ครอบคลุม ถึง(i)การมีอุปกรณ์ PECVD ความดันต่ำซึ่งรวมถึงเเหล่งกำเนิดพลาสมาอย่างน้อยหนึ่งเเหล่งซึ่ง รวมถึงอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอิเล็กโทรดที่เชื่อมต่อกับกำเนิดชนิด AC,DC หรือ DC ที่ผ่านการดึงสำหรับการตกสะสมฟิล์มดังกล่าวบนซับสเทรท เเละ(i)การประยุกต์ให้กำลัง ไฟฟ้าไปยังเเหล่งกำเนิดพลาสมาเเละการประยุกต์พรีเคอร์เซอร์เเก๊สออกไซด์ที่ทำจาก ออกซีไนโตรด์หรือไนโตรด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำเเละเเก๊สพร้อมปฏิกิริยาที่ทำมาจากออกซิเจน สารอนุพันธ์ออกซิเจน หรือสารอนุพันธุ์ไนโตรเจน ไปบนซับสเทรทนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้อง กับฟิล์มออกซิไนไตรด์ ไนไตรด์หรือออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำที่ได้มาโดยวิธีการนี้

Claims

: DC60 (22/11/56) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการสำหรับการผลิตฟิล์มออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำ, ไนไตรด์หรือออกซีไนไตรด์บนซับสเทรท โดยอาศัยวิธีการ PECVD ซึ่งรวมถึงขั้นตอนที่ครอบคลุม ถึง (i) การมีอุปกรณ์ PECVD ความดันต่ำซึ่งรวมถึงเเหล่งกำเนิดพลาสมาอย่างน้อยหนึ่งเเหล่งซึ่ง รวมถึงอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอิเล็กโทรดที่เชื่อมต่อกับตัวก่อกำเนิดชนิด AC, DC หรือ DC ที่ผ่านการดึงสำหรับการตกสะสมฟิล์มดังกล่าวบนซับสเทรท; เเละ (ii) การประยุกต์ให้กำลัง ไฟฟ้าไปยังเเหล่งกำเนิดพลาสมาเเละการประยุกต์พรีเคอร์เซอร์ชนิดเเก๊สของฟิล์มออกไซด์ที่ทำจาก ออกซีไนไตรด์หรือไนไตรด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำเเละเเก๊สพร้อมปฏิกิริยาที่ทำมาจากออกซิเจน, สารอนุพันธ์ออกซิเจน, หรือสารอนุพันธ์ไนโตรเจน ไปบนซับสเทรทนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้อง กับฟิล์มออกซิไนไตรด์, ไนไตรด์หรือออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำที่ได้มาโดยวิธีการนี้ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับวิธีการสำหรับการผลิตฟิล์มออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำ ไนไตรด์หรือออกซีไนไตรด์บนซับสเทรท โดยอาศัยวิธีการ PECVD ซึ่งรวมถึงขั้นตอนที่ครอบคลุม ถึง(i)การมีอุปกรณ์ PECVD ความดันต่ำซึ่งรวมถึงเเหล่งกำเนิดพลาสมาอย่างน้อยหนึ่งเเหล่งซึ่ง รวมถึงอิเล็กโทรดอย่างน้อยหนึ่งอิเล็กโทรดที่เชื่อมต่อกับกำเนิดชนิด AC,DC หรือ DC ที่ผ่านการดึงสำหรับการตกสะสมฟิล์มดังกล่าวบนซับสเทรท เเละ(i)การประยุกต์ให้กำลัง ไฟฟ้าไปยังเเหล่งกำเนิดพลาสมาเเละการประยุกต์พรีเคอร์เซอร์เเก๊สออกไซด์ที่ทำจาก ออกซีไนโตรด์หรือไนโตรด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำเเละเเก๊สพร้อมปฏิกิริยาที่ทำมาจากออกซิเจน สารอนุพันธ์ออกซิเจน หรือสารอนุพันธุ์ไนโตรเจน ไปบนซับสเทรทนี้ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้อง กับฟิล์มออกซิไนไตรด์ ไนไตรด์หรือออกไซด์ของโลหะหรือสารกึ่งตัวนำที่ได้มาโดยวิธีการนี้ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1.กรรมวิธีสำหรับการผลิตฟิล์มของออกไซด์ ของไนไตรด์หรือของออกซีไนไตรด์ของโลหะ หรือสารกึ่งโลหะบนซับสเทรทโดยวิธีการ PECVD ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนซึ่งประกอบด้วย a)การนำอุปกรณ์ PECVD ความดันต่ำซึ่งประกอบรวมด้วยเเหล่งกำเนิดพลาสมาเเบบลำเเสงคู่ ชนิดเชิงเส้นอย่างน้อยหนึ่งเเหล่ง ซึ่งเเหล่งกำเนิดประกอบรวมด้วยอิเล็กโทรดอย่างน้อยสอง อิเล็กโทรดซึ่งเชื่อมต่อกับตัวก่อกำเนิดกระเเส DC เเบบพัลส์หรือ AC แท็ก :