TH135024A - สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่งตกค้างจากการกัด - Google Patents
สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่งตกค้างจากการกัดInfo
- Publication number
- TH135024A TH135024A TH801000687A TH0801000687A TH135024A TH 135024 A TH135024 A TH 135024A TH 801000687 A TH801000687 A TH 801000687A TH 0801000687 A TH0801000687 A TH 0801000687A TH 135024 A TH135024 A TH 135024A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- weight
- type
- alkaline
- produce
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 8
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title claims abstract 5
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 title claims abstract 4
- 238000003801 milling Methods 0.000 title 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (29/04/51) สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ, (b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไมโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด;(d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไใโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท
Claims (1)
1. สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สำหรับการรวมเปอร์ออกไซด์สำหรับ ทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่ สุดหนึ่งชนิดของเบสที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์ (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ที่ปราศจากไอออนโลหะได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนัก ของสารคีเลตโลหะอย่างน้อยที่สุแท็ก :
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH135024B TH135024B (th) | 2014-07-04 |
| TH135024A true TH135024A (th) | 2014-07-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IL199999A0 (en) | Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue | |
| MY152247A (en) | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent | |
| DE602004009595D1 (de) | Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik | |
| TW200636835A (en) | Composition for cleaning semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same | |
| SG134279A1 (en) | Cleaning formulations | |
| TW200940706A (en) | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions | |
| WO2010048139A3 (en) | Copper cleaning and protection formulations | |
| TW200728454A (en) | Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices | |
| DE60323995D1 (de) | Saure reinigungsmittel für harte oberflächen | |
| WO2004037962A3 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| TW200942609A (en) | Compositions for removal of metal hard mask etching residues from a semiconductor substrate | |
| TW200634449A (en) | Photoresist stripper composition | |
| HK1039806A1 (en) | Silicate-containing alkaline compostions for cleaning microelectronic substrates | |
| ATE450595T1 (de) | Reinigungsmittel für mikroelektronik-substrate | |
| SG162680A1 (en) | Wet clean compositions for cowp and porous dielectrics | |
| TW200621973A (en) | Cleaning and disinfectant compositions | |
| TW200942607A (en) | Detergent composition and washing method of substrate for electronic device | |
| TW200715074A (en) | Aqueous cleaning composition and method for using same | |
| EP2093790A3 (en) | Low-Stain Polishing Composition | |
| YU93703A (sh) | Kompozicije za skidanje i čišćenje za mikroelektroniku | |
| SG152961A1 (en) | Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| WO2010099017A3 (en) | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers | |
| TH135024A (th) | สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่งตกค้างจากการกัด | |
| SG152960A1 (en) | Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| TH135024B (th) | สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่ง ตกค้างจากการกัด |