TH135024B - สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่ง ตกค้างจากการกัด - Google Patents
สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่ง ตกค้างจากการกัดInfo
- Publication number
- TH135024B TH135024B TH801000687A TH0801000687A TH135024B TH 135024 B TH135024 B TH 135024B TH 801000687 A TH801000687 A TH 801000687A TH 0801000687 A TH0801000687 A TH 0801000687A TH 135024 B TH135024 B TH 135024B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- formulation
- weight
- peroxide
- type
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title claims abstract 5
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 title claims abstract 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N silicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Abstract
สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด;(d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไใโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท
Claims (1)
1. สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สำหรับการรวมเปอร์ออกไซด์สำหรับ ทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่ สุดหนึ่งชนิดของเบสที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์ (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ที่ปราศจากไอออนโลหะได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนัก ของสารคีเลตโลหะอย่างน้อยที่สุ:
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH135024A TH135024A (th) | 2014-07-04 |
| TH135024B true TH135024B (th) | 2014-07-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| IL199999A0 (en) | Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue | |
| TW200940706A (en) | Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions | |
| AU2003286584A8 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| DE602004009595D1 (de) | Ablös- und reinigungszusammensetzungen für die mikroelektronik | |
| SG162680A1 (en) | Wet clean compositions for cowp and porous dielectrics | |
| TW200942607A (en) | Detergent composition and washing method of substrate for electronic device | |
| TW200505975A (en) | Aqueous fluoride compositions for cleaning semiconductor devices | |
| MY163132A (en) | Cleaning formulations | |
| TW200636835A (en) | Composition for cleaning semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same | |
| HK1062310A1 (en) | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
| TW200942609A (en) | Compositions for removal of metal hard mask etching residues from a semiconductor substrate | |
| TW200732864A (en) | Composition for removing residue of a wiring substrate, and washing method thereof | |
| MY152247A (en) | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent | |
| JP2008530279A5 (th) | ||
| TW200620446A (en) | Removing liquid and removing method of copper deteriorated layer containing copper oxide | |
| TW200745313A (en) | Substrate etching liquid | |
| TW200745327A (en) | Cleaner composition for removal of lead-free soldering flux, rinsing agent for removal of lead-free soldering flux, and method for removal of lead-free soldering flux | |
| TW200715074A (en) | Aqueous cleaning composition and method for using same | |
| BRPI0407927A (pt) | composição de limpeza ácida aquosa que compreende um ácido, um abrasivo e um tensoativo aniÈnico, e, processo para remover manchas de ferrugem e incrustação por cal de superfìcies duras | |
| WO2010099017A3 (en) | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers | |
| SG146575A1 (en) | Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions | |
| MX357569B (es) | Composiciones de silices y sales de metal alcalino, detergentes formados a partir de estas composiciones y metodos para formar esta composicion. | |
| TH135024B (th) | สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่ง ตกค้างจากการกัด | |
| SG152960A1 (en) | Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction | |
| TH135024A (th) | สูตรผสมที่มีพื้นฐานเป็นเปอร์ออกไซด์แอคติเวตเตดออกโซเมตาเลตสำหรับกำจัดสิ่งตกค้างจากการกัด |