TH135024B - Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of Residue from the bite - Google Patents

Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of Residue from the bite

Info

Publication number
TH135024B
TH135024B TH801000687A TH0801000687A TH135024B TH 135024 B TH135024 B TH 135024B TH 801000687 A TH801000687 A TH 801000687A TH 0801000687 A TH0801000687 A TH 0801000687A TH 135024 B TH135024 B TH 135024B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
formulation
weight
peroxide
type
Prior art date
Application number
TH801000687A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH135024A (en
Inventor
เวสต์วูด นายเกลนน์
Original Assignee
อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์อิงค์
Filing date
Publication date
Application filed by อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์อิงค์ filed Critical อแวนเทอร์ เพอร์ฟอร์แมนซ์ แมทีเรียลส์อิงค์
Publication of TH135024B publication Critical patent/TH135024B/en
Publication of TH135024A publication Critical patent/TH135024A/en

Links

Abstract

สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด;(d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไใโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท A highly alkaline alkaline formula, which includes (a) water, (b) at least one type of base. The metal ions are free of sufficient quantities to produce a final formulation with an alkaline pH, (c) ranging from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (expressed as% SiO2) of the corrosion inhibitor. Dehydrated silicate of at least one soluble metal ion; (d) from approximately 0.01% to approximately 10% by weight of at least one type of metal chelate, and (e) from no more than 0. To approximately 2.0% by weight of at least one type of oximetalate provided by this invention, the formulation is combined with peroxide so that the peroximetalates are formed. To produce electronic cleaning mixtures Used to remove contaminants and residues from Micro-electronic devices, such as microelectronic substrates

Claims (1)

1. สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สำหรับการรวมเปอร์ออกไซด์สำหรับ ทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่ สุดหนึ่งชนิดของเบสที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์ (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ที่ปราศจากไอออนโลหะได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนัก ของสารคีเลตโลหะอย่างน้อยที่สุ:1. Alkaline Aqueous formulation for inclusion of peroxides for Clean microelectronic devices, blends containing (a) water, (b) at least one type of metal-deionized base with sufficient amounts to produce a final formulation with an anhydrous pH. Alkaline (c) ranging from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (expressed as% SiO2) of at least one dehydrated metal ion-soluble silicate corrosion inhibitor; (d) From approximately 0.01% to approximately 10% by weight of at least the required metal chelate:
TH801000687A 2008-02-12 Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of milling residues. TH135024A (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH135024B true TH135024B (en) 2014-07-04
TH135024A TH135024A (en) 2014-07-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IL199999A0 (en) Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue
TW200940706A (en) Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions
AU2003286584A8 (en) Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
DE602004009595D1 (en) REMOVAL AND CLEANING COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS
SG162680A1 (en) Wet clean compositions for cowp and porous dielectrics
TW200942607A (en) Detergent composition and washing method of substrate for electronic device
MY163132A (en) Cleaning formulations
HK1062310A1 (en) Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
TW200942609A (en) Compositions for removal of metal hard mask etching residues from a semiconductor substrate
TW200732864A (en) Composition for removing residue of a wiring substrate, and washing method thereof
TW200728454A (en) Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
MY152247A (en) Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
JP2008530279A5 (en)
MY121446A (en) Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
SG168509A1 (en) Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same
TW200745313A (en) Substrate etching liquid
TW200745327A (en) Cleaner composition for removal of lead-free soldering flux, rinsing agent for removal of lead-free soldering flux, and method for removal of lead-free soldering flux
TW200715074A (en) Aqueous cleaning composition and method for using same
BRPI0407927A (en) aqueous acid cleaning composition comprising an acid, an abrasive and an anionic surfactant, and a process for removing stains of rust and lime scale from hard surfaces.
MX2011008789A (en) Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers.
MY144723A (en) Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
MX357569B (en) Silicas and alkali metal salt compositions, detergents formed from such compositions and method of forming such composition.
TH135024B (en) Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of Residue from the bite
SG152960A1 (en) Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
TH135024A (en) Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of milling residues.