TH135024A - Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of milling residues. - Google Patents

Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of milling residues.

Info

Publication number
TH135024A
TH135024A TH801000687A TH0801000687A TH135024A TH 135024 A TH135024 A TH 135024A TH 801000687 A TH801000687 A TH 801000687A TH 0801000687 A TH0801000687 A TH 0801000687A TH 135024 A TH135024 A TH 135024A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
approximately
weight
type
alkaline
produce
Prior art date
Application number
TH801000687A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH135024B (en
Inventor
เวสต์วูด นายเกลนน์
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายรุทร นพคุณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายรุทร นพคุณ filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH135024A publication Critical patent/TH135024A/en
Publication of TH135024B publication Critical patent/TH135024B/en

Links

Abstract

DC60 (29/04/51) สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ, (b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไมโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สูงซึ่งรวมถึง (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของเบส ที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์, (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของตัวยับยั้งการกัดกร่อน ซิลิเกทที่ปราศจากไอออนโลหะที่ละลายน้ำได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด;(d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึง ประมาณ 10% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของสารคีเลตโลหะ, และ (e) จากไม่มากกว่า 0 ถึงประมาณ 2.0% โดยน้ำหนักของอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดของออกซิเมตาเลตที่ให้ไว้ตามการ ประดิษฐ์นี้ สูตรผสมดังกล่าวรวมเข้ากับเปอร์ออกไซด์เพื่อที่ว่าทำให้เกิดเปอร์ออกซิเมตาเลตขึ้น เพื่อผลิตสารผสมทำความสะอาดไใโครอิเลกโทรนิค ที่ใช้เพื่อกำจัดสิ่งปนเปื้อนและสิ่งตกค้างจาก อุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, เช่น ไมโครอิเลกโทรนิคซับสเตรท DC60 (29/04/51) A highly alkaline acuity blending formula, which includes (a) water, (b) at least one type of base. The metal ions are free of sufficient quantities to produce a final formulation with an alkaline pH, (c) ranging from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (expressed as% SiO2) of the corrosion inhibitor. Dehydrated silicate of at least one soluble metal ion; (d) ranging from approximately 0.01% to approximately 10% by weight of at least one type of metal chelate, and (e) from no more than 0 to approximately 2.0% by weight of at least one type of oximetas. Lets provided by this invention are blended with peroxide so that peroximetals are formed. To produce microelectronic cleaning mixtures Used to remove contaminants and residues from Micro-electronic devices, such as microelectronic substrates A highly alkaline alkaline formula, which includes (a) water, (b) at least one type of base. The metal ions are free of sufficient quantities to produce a final formulation with an alkaline pH, (c) ranging from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (expressed as% SiO2) of the corrosion inhibitor. Dehydrated silicate of at least one soluble metal ion; (d) from approximately 0.01% to approximately 10% by weight of at least one type of metal chelate, and (e) from no more than 0. To approximately 2.0% by weight of at least one type of oximetalate provided by this invention, the formulation is combined with peroxide so that the peroximetalates are formed. To produce electronic cleaning mixtures Used to remove contaminants and residues from Micro-electronic devices, such as microelectronic substrates

Claims (1)

1. สูตรผสมเอเควียสที่เป็นแอลคาไลน์สำหรับการรวมเปอร์ออกไซด์สำหรับ ทำความสะอาดอุปกรณ์ไมโครอิเลกโทรนิค, สูตรผสมซึ่งประกอบรวมด้วย : (a) น้ำ,(b) อย่างน้อยที่ สุดหนึ่งชนิดของเบสที่ปราศจากไอออนโลหะที่ปริมาณเพียงพอเพื่อผลิตสูตรผสมขั้นสุดท้ายที่มี pH เป็นแอลคาไลน์ (c) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 5% โดยน้ำหนัก (แสดงเป็น % SiO2) ของ ตัวยับยั้งการกัดกร่อนซิลิเกตที่ละลายน้ำได้ที่ปราศจากไอออนโลหะได้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด; (d) ตั้งแต่ประมาณ 0.01% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนัก ของสารคีเลตโลหะอย่างน้อยที่สุแท็ก :1. Alkaline alkaline formula for inclusion of peroxides for Clean microelectronic devices, formulations containing: (a) water, (b) at least one type of non-metallic ionic base with sufficient quantities to produce a final formulation with a pH of Alkaline (c) ranging from approximately 0.01% to approximately 5% by weight (expressed as% SiO2) of at least one de-metal ion-free water-soluble silicate corrosion inhibitor; (d) From approx. 0.01% to approx. 10% by weight of at least metal chelates:
TH801000687A 2008-02-12 Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of Residue from the bite TH135024B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH135024A true TH135024A (en) 2014-07-04
TH135024B TH135024B (en) 2014-07-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY145938A (en) Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue
MY152247A (en) Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
DE602004009595D1 (en) REMOVAL AND CLEANING COMPOSITIONS FOR MICROELECTRONICS
TW200636835A (en) Composition for cleaning semiconductor device and method for cleaning semiconductor device using the same
TW200728456A (en) Cleaning formulations
TW200940706A (en) Methods of cleaning semiconductor devices at the back end of line using amidoxime compositions
TW200420724A (en) Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
WO2010048139A3 (en) Copper cleaning and protection formulations
TW200728454A (en) Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
DE60323995D1 (en) SOUR CLEANSING AGENT FOR HARD SURFACES
TW200634449A (en) Photoresist stripper composition
HK1039806A1 (en) Silicate-containing alkaline compostions for cleaning microelectronic substrates
ATE450595T1 (en) CLEANING AGENT FOR MICROELECTRONICS SUBSTRATES
TW200621973A (en) Cleaning and disinfectant compositions
TW200942607A (en) Detergent composition and washing method of substrate for electronic device
WO2008061724A3 (en) Compositions comprising carnosic acid 12-methylether
BRPI0407927A (en) aqueous acid cleaning composition comprising an acid, an abrasive and an anionic surfactant, and a process for removing stains of rust and lime scale from hard surfaces.
TW200715074A (en) Aqueous cleaning composition and method for using same
EP2093790A3 (en) Low-Stain Polishing Composition
YU93703A (en) Stripping and cleaning compositions for microelectronics
SG152961A1 (en) Flouride-containing photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
WO2010099017A3 (en) Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
TH135024A (en) Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of milling residues.
SG152960A1 (en) Flouride-free photoresist stripper or residue removing cleaning compositions containing conjugate oligomeric or polymeric material of alpha-hydroxycarbonyl compound/amine or ammonia reaction
TH135024B (en) Peroxide-activated formula oxomethalate formulation for removal of Residue from the bite