TH132768A - วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิว - Google Patents

วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิว

Info

Publication number
TH132768A
TH132768A TH1101003315A TH1101003315A TH132768A TH 132768 A TH132768 A TH 132768A TH 1101003315 A TH1101003315 A TH 1101003315A TH 1101003315 A TH1101003315 A TH 1101003315A TH 132768 A TH132768 A TH 132768A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
metal material
metal materials
electrolyte solution
modified
positive
Prior art date
Application number
TH1101003315A
Other languages
English (en)
Other versions
TH83009B (th
Inventor
วาตานาเบะ นายเซย์อิชิ
โยชิดะ นายโซคิ
ซาโต นายคาโอรุ
นาโกชิ นายมาซายาสุ
Original Assignee
เจเอฟอี สตีล คอร์ปอเรชั่น
นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร
นางสาวปัณณพัฒน์ เหลืองธาตุทอง
นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
Filing date
Publication date
Application filed by เจเอฟอี สตีล คอร์ปอเรชั่น, นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร, นางสาวปัณณพัฒน์ เหลืองธาตุทอง, นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์ filed Critical เจเอฟอี สตีล คอร์ปอเรชั่น
Publication of TH132768A publication Critical patent/TH132768A/th
Publication of TH83009B publication Critical patent/TH83009B/th

Links

Abstract

DC60(22/02/55) วิธีการผลิตของวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวที่สามารถผลิตวัสดุโลหะที่มีความสามารถเลื่อน สัมผัสที่มีความเสถียรภาพและดีโดยไม่ต้องหุ้มพื้นผิวของวัสดุโลหะด้วยฟิล์มออกไซด์และเป็นภาระต่อ สิ่งแวดล้อมต่ำเป็นวิธีการผลิตของวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวซึ่งมีกระบวนการปรับปรุงพื้นผิวซึ่งแช่จุ่ม ขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบในสารละลายอิเล็กโทรไลต์และยังเพิ่มแรงดันซึ่งเป็นแรงดันที่ทำให้ เป็นสภาพพลาสม่าสมบูรณ์ขึ้นไประหว่างขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบหลังจากจัดวางวัสดุโลหะ ซึ่งเป็นวัสดุที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวที่ด้านบนผิวของเหลวของสารละลายอิเล็กโทรไลต์และปรับปรุงพื้นผิว ของวัสดุโลหะ วิธีการผลิตของวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวที่สามารถผลิตวัสดุโลหะที่มีความสามารถเลื่อน สัมผัสที่มีความเสถียรภาพและดีโดยไม่ต้องหุ้มพื้นผิวของวัสดุโลหะด้วยฟิล์มออกไซด์และเป็นภาระต่อ สิ่งแวดล้อมต่ำเป็นวิธีการผลิตของวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวซึ่งมีกระบวนการปรับปรุงพื้นผิวซึ่งแช่จุ่ม ขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบในสารละลายอิเล็กโทรไลต์และยังเพิ่มแรงดันซึ่งเป็นแรงดันที่ทำให้ เป็นสภาพพลาสม่าสมบูรณ์ขึ้นไประหว่างขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบหลังจากจัดวางวัสดุโลหะ ซึ่งเป็นวัสดุที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวที่ด้านบนผิวของเหลวของสารละลายอิเล็กโทรไลต์และปรับปรุงพื้นผิว ของวัสดุโลหะ

Claims (2)

1. วิธีการผลิตของวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวซึ่งมีลักษณะจำเพาะ คือ มีกระบวนการปรับปรุง พื้นผิวซึ่งแช่จุ่มขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบในสารละลายอิเล็กโทรไลต์ และยังเพิ่มแรงดันซึ่งเป็น แรงดันที่ทำให้เป็นสภาพพลาสม่าสมบูรณ์ขึ้นไประหว่างขั้วไฟฟ้าขั้วบวกกับขั้วไฟฟ้าขั้วลบดังกล่าวหลัง จากจัดวางวัสดุโลหะซึ่งเป็นวัสดุที่ถูกปรับปรุงพื้นผิวที่ด้านบนผิวของเหลวของสารละลายอิเล็กโทรไลต์ ดังกล่าวและปรับปรุงพื้นผิวของวัสดุโลหะดังกล่าว
2. วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิวของข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึแท็ก :
TH1101003315A 2011-11-25 วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิว TH83009B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH132768A true TH132768A (th) 2014-04-11
TH83009B TH83009B (th) 2014-04-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010135771A5 (th)
WO2016133571A3 (en) Laser induced graphene hybrid materials for electronic devices
JP2013175718A5 (th)
JP2014033181A5 (ja) 絶縁膜の作製方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置
JP2011249788A5 (ja) 半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層
JP2011181906A5 (ja) 半導体装置
WO2015073745A8 (en) Battery
JP2013110397A5 (th)
JP2014063141A5 (ja) 半導体装置の作製方法
MY189817A (en) Aerosol generating material and devices including the same
JP2014082389A5 (ja) 半導体装置の作製方法
WO2012177762A3 (en) Arrays of metal and metal oxide microplasma devices with defect free oxide
WO2015028886A3 (en) Nano-gap electrode and methods for manufacturing same
JP2013254942A5 (th)
JP2013077812A5 (th)
JP2012003256A5 (th)
WO2012095672A3 (en) Metal treatment
EP2645093A3 (en) Method of manufacture gas sensor element, inspection of electrical characteristics of sensor element, and pre-treatment of gas sensor element
MY183935A (en) Solar cell production method and solar cell treatment method
WO2015025211A3 (en) Film formation system and film formation method for forming metal film
EP3002779A3 (en) Method of manufacturing semiconductor device
TH132768A (th) วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิว
PH12014502089A1 (en) Gaseous ozone (o3) treatment for solar cell fabrication
WO2016094336A3 (en) Method of treating a ceramic body
TH83009B (th) วิธีการผลิตวัสดุโลหะปรับปรุงพื้นผิว