TH121589B - อุปกรณ์กึ่งตัวนำ - Google Patents
อุปกรณ์กึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH121589B TH121589B TH1201001949A TH1201001949A TH121589B TH 121589 B TH121589 B TH 121589B TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 121589 B TH121589 B TH 121589B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- circuit
- power supply
- semiconductors
- supply voltage
- crystalline silicon
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 10
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
Abstract
วัตถุประสงค์ข้อหนึ่งคือเพื่อจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ใช้กำลังเตรียมพร้อมน้อยลง โดยที่ ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์เป็นชั้นไวงานจะถูกใช้เป็นองค์ประกอบสับสวิตช์ และการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรในวงจรรวมจะถูกควบคุมโดยองค์ประกอบ สับสวิตช์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เมื่อวงจรอยู่ในสภาวะปฏิบัติการ การป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลัง ไปยังวงจรก็จะถูกดำเนินการโดยองค์ประกอบสับสวิตช์และเมื่อวงจรอยู่ในสภาวะหยุด การป้อนแรงดัน ไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรก็จะถูกทำให้หยุดลงโดยองค์ประกอบสับสวิตช์ นอกจากนี้วงจรที่ถูก ป้อนด้วยแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังยังมีส่วนที่เป็นองค์ประกอบกึ่งตัวนำซึ่งเป็นหน่วยต่ำสุดที่รวม อยู่ในวงจรรวมที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้อุปกรณ์กึ่งตัวนำ นอกจากนี้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่รวมอยู่ในองค์ประกอบ กึ่งตัวนำยังมีซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก (ซิลิคอนที่มีสภาพผลึก)
Claims (2)
1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย วงจรที่มีส่วนที่เป็นทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และ ทรานซิสเตอร์ที่สองที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อควบคุมการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยัง วงจร โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะมีส่วนที่เป็นซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก และ โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่สองจะมีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์
2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึกจะเป็นซิลิคอนผลึกจิ๋ว, ซิลิคอนสภาพผลึกหลาย
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH121589A TH121589A (th) | 2013-02-28 |
TH121589B true TH121589B (th) | 2013-02-28 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
MY172111A (en) | Semiconductor device | |
EP2518767A3 (en) | Semiconductor device | |
JP2011258303A5 (th) | ||
JP2014063557A5 (th) | ||
EP2526619A4 (en) | SIGNAL PROCESSING CIRCUIT AND ITS CONTROL METHOD | |
TW200746422A (en) | Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same | |
JP2011060876A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012257192A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013207363A5 (th) | ||
JP2011103453A5 (th) | ||
JP2014007386A5 (ja) | 半導体装置 | |
EP2526622A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE | |
JP2012256031A5 (th) | ||
JP2012009832A5 (ja) | 半導体装置 | |
TW200710847A (en) | Current limit circuit and semiconductor memory device | |
JP2012239167A5 (th) | ||
TW200951669A (en) | Current source | |
JP2015047061A5 (th) | ||
TW201301014A (zh) | 電源切換電路 | |
JP2016105590A5 (ja) | 論理回路、半導体装置、電子部品 | |
JP2005322899A5 (th) | ||
JP2012070363A5 (th) | ||
JP2009165114A5 (th) | ||
JP2009065304A5 (th) | ||
ATE467950T1 (de) | Steuerung eines leistungshalbleiterschalters |