TH121589B - อุปกรณ์กึ่งตัวนำ - Google Patents

อุปกรณ์กึ่งตัวนำ

Info

Publication number
TH121589B
TH121589B TH1201001949A TH1201001949A TH121589B TH 121589 B TH121589 B TH 121589B TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 121589 B TH121589 B TH 121589B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
circuit
power supply
semiconductors
supply voltage
crystalline silicon
Prior art date
Application number
TH1201001949A
Other languages
English (en)
Other versions
TH121589A (th
Inventor
นายโคเซอิ โนดะ นายยูทากะ ชิโอโนอิริ
Original Assignee
เซมิคอนดัคเตอร์ เอ็นเนอร์จี แลบอราตอรี่ โคแอลทีดี
Filing date
Publication date
Application filed by เซมิคอนดัคเตอร์ เอ็นเนอร์จี แลบอราตอรี่ โคแอลทีดี filed Critical เซมิคอนดัคเตอร์ เอ็นเนอร์จี แลบอราตอรี่ โคแอลทีดี
Publication of TH121589A publication Critical patent/TH121589A/th
Publication of TH121589B publication Critical patent/TH121589B/th

Links

Abstract

วัตถุประสงค์ข้อหนึ่งคือเพื่อจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ใช้กำลังเตรียมพร้อมน้อยลง โดยที่ ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์เป็นชั้นไวงานจะถูกใช้เป็นองค์ประกอบสับสวิตช์ และการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรในวงจรรวมจะถูกควบคุมโดยองค์ประกอบ สับสวิตช์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เมื่อวงจรอยู่ในสภาวะปฏิบัติการ การป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลัง ไปยังวงจรก็จะถูกดำเนินการโดยองค์ประกอบสับสวิตช์และเมื่อวงจรอยู่ในสภาวะหยุด การป้อนแรงดัน ไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรก็จะถูกทำให้หยุดลงโดยองค์ประกอบสับสวิตช์ นอกจากนี้วงจรที่ถูก ป้อนด้วยแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังยังมีส่วนที่เป็นองค์ประกอบกึ่งตัวนำซึ่งเป็นหน่วยต่ำสุดที่รวม อยู่ในวงจรรวมที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้อุปกรณ์กึ่งตัวนำ นอกจากนี้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่รวมอยู่ในองค์ประกอบ กึ่งตัวนำยังมีซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก (ซิลิคอนที่มีสภาพผลึก)

Claims (2)

1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย วงจรที่มีส่วนที่เป็นทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และ ทรานซิสเตอร์ที่สองที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อควบคุมการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยัง วงจร โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะมีส่วนที่เป็นซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก และ โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่สองจะมีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์
2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึกจะเป็นซิลิคอนผลึกจิ๋ว, ซิลิคอนสภาพผลึกหลาย
TH1201001949A 2010-10-06 อุปกรณ์กึ่งตัวนำ TH121589B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH121589A TH121589A (th) 2013-02-28
TH121589B true TH121589B (th) 2013-02-28

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY172111A (en) Semiconductor device
EP2518767A3 (en) Semiconductor device
JP2011258303A5 (th)
JP2014063557A5 (th)
EP2526619A4 (en) SIGNAL PROCESSING CIRCUIT AND ITS CONTROL METHOD
TW200746422A (en) Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same
JP2011060876A5 (ja) 半導体装置
JP2012257192A5 (ja) 半導体装置
JP2013207363A5 (th)
JP2011103453A5 (th)
JP2014007386A5 (ja) 半導体装置
EP2526622A4 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE
JP2012256031A5 (th)
JP2012009832A5 (ja) 半導体装置
TW200710847A (en) Current limit circuit and semiconductor memory device
JP2012239167A5 (th)
TW200951669A (en) Current source
JP2015047061A5 (th)
TW201301014A (zh) 電源切換電路
JP2016105590A5 (ja) 論理回路、半導体装置、電子部品
JP2005322899A5 (th)
JP2012070363A5 (th)
JP2009165114A5 (th)
JP2009065304A5 (th)
ATE467950T1 (de) Steuerung eines leistungshalbleiterschalters