TH112592A - เทคนิคและกระบวนการสร้าง ชั้นช่องว่าง (Cavity) สำหรับอุปกรณ์ตรวจจับชนิดโครงสร้างแบบแผ่นบางซิลิกอนแบบเชิงผิว - Google Patents
เทคนิคและกระบวนการสร้าง ชั้นช่องว่าง (Cavity) สำหรับอุปกรณ์ตรวจจับชนิดโครงสร้างแบบแผ่นบางซิลิกอนแบบเชิงผิวInfo
- Publication number
- TH112592A TH112592A TH1101000088A TH1101000088A TH112592A TH 112592 A TH112592 A TH 112592A TH 1101000088 A TH1101000088 A TH 1101000088A TH 1101000088 A TH1101000088 A TH 1101000088A TH 112592 A TH112592 A TH 112592A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cavity
- layer
- depth
- microns
- film
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (20/01/54) สิ่งประดิษฐ์นี้จึงเป็นกระบวนการใหม่สำหรับการสร้างช่องว่าง (Cavity) สำหรับโครงสร้างเชิง ผิว(Surface) ที่ค่า เอสเปคท์ เรโช (Aspect Ratio) ที่สูง โดยค่า Aspect Ratio คืออัตราส่วนระหว่าง ความกว้าง ต่อ ความลึก และมีวิธีการสร้างดังนี้คือ โดยใช้เทคนิค DRIE (Deep Reactive-Ion Etching) ในการกัดซิลิกอนไห้เป็นช่องหลุม เช่นกัดช่องหลุมลึก 3 ไมครอน หลังจากนั้นทำการถม หลุมด้วยการสร้าง ชั้นฟิล์มซิลิกอนไดออกไซด์ 2 ชั้น ด้วย 2 เทคนิค คือ ชั้นที่ 1 คือชั้น ฉนวน ออกไซด์แบบเปียก (Wet Oxidation) หนา 1 ไมครอน เพื่อลดความคมที่ขอบหลุม ชั้นที่ 2 คือชั้น ฉนวนออกไซด์ ด้วยวิธี PECVD หรือ LPCVD อย่างไดอย่างหนึ่ง ที่ความหนาเท่ากับความความลึก ของช่องที่กัด ลบ ด้วย 0.75 ไมครอน หลังจากนั้นทำการกัดฉนวนออกไซด์ ออกที่บริเวณนอกหลุม โดยมีฟิล์มโฟโตรีซีสกั้น และทำการกัด ด้วยวิธีการด้วยสารเคมีไฮโดรฟลูออริก (HF) ที่ขอบหลุม แล้วทำการลอกฟิล์มออก หลังจากนั้นดำเนินการทำให้เรียบด้วย 2 วิธี คือ วิธีที่ 1 เคลือบฟิล์ม Spin on Glass (SOG) ด้วยวิธีการสปิน (Spin) แล้วทำการ กัดแห้ง (Dry Etching) ด้วยเครื่อง RIE วิธีที่ 2 ทำการ เคลือบฟิล์มโฟโตรีซีส แล้วทำการกัดแห้ง (Dry Etching) ด้วยเครื่อง RIE โดยทำการกัดถึง ชั้นฟิล์มซิลิกอนที่บริเวณขอบหลุม ได้ชั้นฉนวนซิลิกอนไดออกไซด์เป็นระนาบเดียวกับชั้นซิลิกอน แล้วทำการสร้างฟิล์มโพลีซิลิกอน (Ploy Silicon) เพื่อเป็นชั้น ไดอะแฟรม (Diaphragm) ต่อไป เทคนิคใหม่นี้มีข้อได้เปรียบตรงที่สามารถสร้าง ช่องว่าง (Cavity) ได้ตามความลึกที่ต้องการ ทำให้ สามารถสร้างอุปกรณ์ตรวจจับที่มีย่านการทำงานที่สูงขึ้นเช่น อุปกรณ์ตรวจจับความดันที่มีช่องว่าง (Cavity) ลึก 1.4 ไมครอน ภายให้เงื่อนไขไดอะแฟรม (Diaphragm) ที่สร้างจากโพลีซิลิกอน (Ploy Silicon) หนา 1.5 ไมครอน และพื้นที่ 110 x 110 ตารางไมครอน วัดค่าความดันได้ 0 ถึง 8 บาร์ แต่ถ้า สามารถเพิ่ม ความลึกของช่องว่าง (Cavity) เป็น 3 ไมครอนภายใต้เงื่อนไขเดียวกัน ทำให้สามารถวัด ค่าความดันได้ 0 ถึง 15 บาร์ เป็นต้น สิ่งประดิษฐ์นี้จึงเป็นกระบวนการใหม่สำหรับการสร้างช่องว่าง (Cavity) สำหรับโครงสร้างเชิง ผิว(Surface) ที่ค่า เอสเปคท์ เรโช (Aspect Ratio) ที่สูง โดยค่า Aspect Ratio คืออัตราส่วนระหว่าง ความกว้าง ต่อ ความลึก และมีวิธีการสร้างดังนี้คือ โดยใช้เทคนิค DRIE (Deep Reactive-Ion Etching) ในการกัดซิลิกอนไห้เป็นช่องหลุม เช่นกัดช่องหลุมลึก 3 ไมครอน หลังจากนั้นทำการถม หลุมด้วยการสร้าง ชั้นฟิล์มซิลิกอนไดออกไซด์ 2 ชั้น ด้วย 2 เทคนิค คือ ชั้นที่ 1 คือชั้น ฉนวน ออกไซด์แบบเปียก (Wet Oxidation) หนา 1 ไมครอน เพื่อลดความคมที่ขอบหลุม ชั้นที่ 2 คือชั้น ฉนวนออกไซด์ ด้วยวิธี PECVD หรือ LPCVD อย่างไดอย่างหนึ่ง ที่ความหนาเท่ากับความความลึก ของช่องที่กัด ลบ ด้วย 0.75 ไมครอน หลังจากนั้นทำการกัดฉนวนออกไซด์ ออกที่บริเวณนอกหลุม โดยมีฟิล์มโฟโตรีซีสกั้น และทำการกัด ด้วยวิธีการด้วยสารเคมีไฮโดรฟลูออริก (HF) ที่ขอบหลุม แล้วทำการลอกฟิล์มออก หลังจากนั้นดำเนินการทำให้เรียบด้วย 2 วิธี คือ วิธีที่ 1 เคลือบฟิล์ม Spin on Glass (SOG) ด้วยวิธีการสปิน (Spin) แล้วทำการ กัดแห้ง (Dry Etching) ด้วยเครื่อง RIE วิธีที่ 2 ทำการ เคลือบฟิล์มโฟโตรีซีส แล้วทำการกัดแห้ง (Dry Etching) ด้วยเครื่อง RIE โดยทำการกัดถึง ชั้นฟิล์มซิลิกอนที่บริเวณขอบหลุม ได้ชั้นฉนวนซิลิกอนไดออกไซด์เป็นระนาบเดียวกับชั้นซิลิกอน แล้วทำการสร้างฟิล์มโพลีซิลิกอน (Ploy Silicon) เพื่อเป็นชั้น ไดอะแฟรม (Diaphragm) ต่อไป เทคนิคใหม่นี้มีข้อได้เปรียบตรงที่สามารถสร้าง ช่องว่าง(Cavity) ได้ตามความลึกที่ต้องการ ทำให้ สามารถสร้างอุปกรณ์ตรวจจับที่มีย่านการทำงานที่สูงขึ้นเช่น อุปกรณ์ตรวจจับความดันที่มีช่องว่าง (Cavity) ลึก 1.4 ไมครอน ภายให้เงื่อนไขไดอะแฟรม (Diaphragm) ที่สร้างจากโพลีซิลิกอน (Ploy Silicon) หนา 1.5 ไมครอน และพื้นที่ 110 x 110 ตารางไมครอน วัดค่าความดันได้ 0 ถึง 8 บาร์ แต่ถ้า สามารถเพิ่ม ความลึกของช่องว่าง(Cavity) เป็น 3 ไมครอนภายใต้เงื่อนไชเดียวกัน ทำให้สามารถวัด ค่าความดันได้ 0 ถึง 15 บาร์ เป็นต้น
Claims (1)
1. กระบวนการสร้างของชั้นช่องว่าง (Cavity) สำหรับ อุปกรณ์ตรวจจับชนิดแผ่นบางซิลิกอนแบบ เชิงผิวที่ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การสร้างฉนวนบริเวณช่องว่างบนซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ (1) ให้มีความหนาเท่ากับความลึก ของช่องว่าง (Cavity) (6) ที่ต้องการ - การนำเอาฉนวนบริเวณรอบนอกช่องว่าง (6) ออกและสร้างชั้นฟิล์มไดอะแฟรมทับบริเวณ ช่องว่างดังกล่าว ที่มีลักษณะเฉพาะ คือ กระบวนการสร้างของชั้นช่องว่าง (Cavity) ประกอบด้วยขั้นตอนของ - การสร้างฉนวนกั้นบริเวณรอบนอกช่องว่าง(6) เพื่อป้องกันการกแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH112592A true TH112592A (th) | 2012-02-23 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10513431B2 (en) | Multiple silicon trenches forming method for MEMS sealing cap wafer and etching mask structure thereof | |
| US9029212B2 (en) | MEMS pressure sensors and fabrication method thereof | |
| JP2014523112A5 (th) | ||
| JP2014236105A5 (th) | ||
| US9324760B2 (en) | CMOS integrated method for fabrication of thermopile pixel on semiconductor substrate with buried insulation regions | |
| KR20140026473A (ko) | 변경된 응력 특성들을 가지는 멤브레인을 형성하는 방법 | |
| CN113691916A (zh) | Mems麦克风及其制备方法 | |
| CN104039687A (zh) | 用于蚀刻复杂图案的方法 | |
| CN100477162C (zh) | 切割晶片的方法 | |
| JP5197714B2 (ja) | 流量検出装置 | |
| US9013012B2 (en) | Self-sealing membrane for MEMS devices | |
| TH112592A (th) | เทคนิคและกระบวนการสร้าง ชั้นช่องว่าง (Cavity) สำหรับอุปกรณ์ตรวจจับชนิดโครงสร้างแบบแผ่นบางซิลิกอนแบบเชิงผิว | |
| CN102183334B (zh) | 压力传感器和方法 | |
| CN106379858A (zh) | 微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构 | |
| WO2016173268A1 (zh) | 传感器芯片的空腔形成方法、制造方法、芯片及电子设备 | |
| US10775253B2 (en) | Method for producing a micromechanical component with an exposed pressure sensor device and micromechanical component | |
| CN102120561B (zh) | 形成晶圆穿通孔的方法 | |
| CN107265394B (zh) | 一种悬空微结构的正面释放技术 | |
| US7762152B2 (en) | Methods for accurately measuring the thickness of an epitaxial layer on a silicon wafer | |
| CN110182753A (zh) | 高灵敏度加速度传感器结构的制作方法 | |
| CN102881582B (zh) | 深硅刻蚀方法 | |
| RU2691162C1 (ru) | Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур | |
| CN105253853B (zh) | 一种sog‑mems芯片中防止icp过度刻蚀的方法 | |
| CN1206718C (zh) | 检测图案缺陷过程的方法 | |
| CN103594389A (zh) | 在基板中形成沟槽的方法 |