TH107723A - อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงที่รวมถึงส่วนที่เป็นจุดต่อต่างแบบ - Google Patents

อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงที่รวมถึงส่วนที่เป็นจุดต่อต่างแบบ

Info

Publication number
TH107723A
TH107723A TH801004938A TH0801004938A TH107723A TH 107723 A TH107723 A TH 107723A TH 801004938 A TH801004938 A TH 801004938A TH 0801004938 A TH0801004938 A TH 0801004938A TH 107723 A TH107723 A TH 107723A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
semiconductor
semiconductor layer
iii
transparent conductive
Prior art date
Application number
TH801004938A
Other languages
English (en)
Inventor
อีเกลแชม นายเดวิด
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH107723A publication Critical patent/TH107723A/th

Links

Abstract

DC60 อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงสามารถจะรวมถึงส่วนที่เป็นชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใสบนชั้นฐาน, ชั้น วัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งที่รวมถึงส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ III-V โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำ ชั้นที่หนึ่งจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่เหนือชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใส และชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองที่รวมถึงส่วนที่ เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ II-VI โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่ระหว่าง ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งและหน้าสัมผัสโลหะด้านหลัง สารประกอบ II-VI และสารประกอบ III-V สามารถจะสร้างจุดต่อต่างแบบได้ อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงสามรถจะรวมถึงส่วนที่เป็นชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใสบนชั้นฐาน, ชั้น วัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งที่รวมถึงส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ III-V โดยที่ช้นฐาน, ชั้น ชั้นที่หนึ่งจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่เหนือชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใส และชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองที่รวมถึงส่วนที่ เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ II-VI โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่ระหว่าง ชิ้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งและหน้าสัมผัสโลหะด้านหลัง สารประกอบ II-Vi และสารประกอบ III-V สามารถจะสร้างจุดต่อต่างแบบได้

Claims (1)

: DC60 อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงสามารถจะรวมถึงส่วนที่เป็นชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใสบนชั้นฐาน, ชั้น วัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งที่รวมถึงส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ III-V โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำ ชั้นที่หนึ่งจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่เหนือชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใส และชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองที่รวมถึงส่วนที่ เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ II-VI โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่ระหว่าง ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งและหน้าสัมผัสโลหะด้านหลัง สารประกอบ II-VI และสารประกอบ III-V สามารถจะสร้างจุดต่อต่างแบบได้ อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงสามรถจะรวมถึงส่วนที่เป็นชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใสบนชั้นฐาน, ชั้น วัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งที่รวมถึงส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ III-V โดยที่ช้นฐาน, ชั้น ชั้นที่หนึ่งจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่เหนือชั้นนำไฟฟ้าที่โปร่งใส และชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองที่รวมถึงส่วนที่ เป็นวัสดุกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ II-VI โดยที่ชั้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่สองจะถูกตั้งตำแหน่งอยู่ระหว่าง ชิ้นวัสดุกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งและหน้าสัมผัสโลหะด้านหลัง สารประกอบ II-Vi และสารประกอบ III-V สามารถจะสร้างจุดต่อต่างแบบได้ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แก้ไข 11/05/2559
1. อุปกรณ์ไฟฟ้าพลังแสงซึ่งประกอบรวมด้วย: ชั้นนำไฟฟ้าชนิดโปร่งใส่บนสับสเตรต ชั้นกึ่งตัวนำชั้นที่หนึ่งที่รวมถึงสารกึ่งตัวนำเชิงประกอบ III-V ชนิด n โดยที่ชั้นกึ่งตัวนำชั้นที่ หนึ่งจะถูกตั้งตำแหน่งไว้บนชั้นนำไฟฟ้าชนิดโปร่งใส ชั้นกึ่งตัวนำชั้นที่สองที่รวมถึงสารกึ่งตัวนำเชิงประกอบ III-Vแท็ก :
TH801004938A 2008-09-25 อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงที่รวมถึงส่วนที่เป็นจุดต่อต่างแบบ TH107723A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH107723A true TH107723A (th) 2011-05-12

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY165986A (en) Photovoltaic devices including heterojunctions
WO2007089723A3 (en) Thermal enhanced package
EP1798778A3 (en) Integrated thin-film solar cell and method of manufacturing the same
WO2010085081A3 (en) Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure
DE502008000072D1 (de) Schaltungsanordnung mit Verbindungseinrichtung sowie Herstellungsverfahren hierzu
WO2008039757A3 (en) Semiconductor devices and methods from group iv nanoparticle materials
WO2005096404A3 (en) Solar cell assembly
WO2010120233A3 (en) Multi-junction photovoltaic cell with nanowires
WO2009025147A1 (ja) 裏面接合型太陽電池、配線基板付き裏面接合型太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
TW200612440A (en) Polymer-matrix conductive film and method for fabricating the same
TW200516788A (en) Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices, and oxidizing methods for fabricating same
MY203337A (en) Multiple -surface connected embedded interconnect bridge for semiconductor package substrates
WO2013162786A3 (en) High-reflectivity back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
WO2010007110A3 (de) Thermoelektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2007142865A3 (en) Thin film photovoltaic structure and fabrication
WO2011091959A3 (de) Verfahren zur lokalen hochdotierung und kontaktierung einer halbleiterstruktur, welche eine solarzelle oder eine vorstufe einer solarzelle ist
WO2009112762A3 (fr) Dispositif de connexion électrique externe des cellules électriquement actives d'un panneau électriquement actif, telles que les cellules génératrices d'électricité d'un panneau photovoltaïque
TW200743179A (en) Semiconductor structure
WO2011159397A3 (en) Solar cell structure and composition and method for forming the same
WO2009074468A3 (de) Rückkontaktsolarzelle mit integrierter bypassdioden-funktion sowie herstellungsverfahren hierfür
WO2008091010A1 (ja) 発光素子及びその製造方法
WO2012046306A9 (ja) 光起電力装置およびその製造方法
GB2429581A (en) Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
WO2008136316A1 (ja) 積層基板構造体及びその製造方法
TH107723A (th) อุปกรณ์ผลิตไฟฟ้าพลังแสงที่รวมถึงส่วนที่เป็นจุดต่อต่างแบบ