TH107703A - โครงสร้างของอิเล็กโทรดด้านหลังสำหรับใช้ในอุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสง อย่างเช่น อุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงที่เป็นทองแดง-อินเดียม-แกลเลียม-ไดซีลีไนด์/ทองแดง-อินเดียม-ไดซีลีไนด์ (cigs/cis) และวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents
โครงสร้างของอิเล็กโทรดด้านหลังสำหรับใช้ในอุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสง อย่างเช่น อุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงที่เป็นทองแดง-อินเดียม-แกลเลียม-ไดซีลีไนด์/ทองแดง-อินเดียม-ไดซีลีไนด์ (cigs/cis) และวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้Info
- Publication number
- TH107703A TH107703A TH801002911A TH0801002911A TH107703A TH 107703 A TH107703 A TH 107703A TH 801002911 A TH801002911 A TH 801002911A TH 0801002911 A TH0801002911 A TH 0801002911A TH 107703 A TH107703 A TH 107703A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- electrode
- examples
- indium
- copper
- rear electrode
- Prior art date
Links
- 238000010276 construction Methods 0.000 title 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 abstract 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (03/09/51) อุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงที่มีอิเล็กโทรดด้านหลังซึ่งอาจทำหน้าที่เป็นตัวสะท้อนด้านหลัง ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้ อิเล็กโทรดด้านหลังดังกล่าวจะมีฟิล์ม สะท้อนที่มีส่วนประกอบหลักเป็นโลหะที่ถูกแบ่งเกรดของออกซิเดชันเพื่อให้มีออกไซด์ตรงบริเวณ ใกล้กับฐานรองด้านหลัง (ตัวอย่างเช่น ฐานรองที่เป็นแก้ว) ที่รองรับอิเล็กโทรดดังกล่าวไว้มากกว่าใน ตำแหน่งที่อยู่ห่างจากฐานรองด้านหลังดังกล่าวออกไป กล่าวอีกอย่างหนึ่งก็คือ อิเล็กโทรดด้านหลัง ดังกล่าวจะถูกแบ่งเกรดของออกซิเดชันเพื่อให้มีออกไซด์ตรงบริเวณใกล้กับตัวดูดซับที่เป็นสารกึ่ง ตัวนำของอุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงน้อยกว่าในตำแหน่งที่อยู่ห่างจากตัวดูดซับที่เป็นสารกึ่งตัวนำ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะ ในลักษณะซึ่งเป็นทางเลือกที่ไม่บังคับนั้น ในรูปลักษณ์ที่เป็น ตัวอย่างบางลักษณะ พื้นผิวด้านในของฐานรองด้านหลังอาจถูกทำให้มีผิวที่ไม่เรียบเพื่อให้อิเล็กโทรด ด้านหลังที่ถูกเคลือบทับลงไปบนบริเวณดังกล่าวมีผิวที่ไม่เรียบเช่นกันเพื่อให้มีคุณลักษณะทางไฟฟ้า และมีการสะท้อนตามที่ต้องการ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะ อิเล็กโทรดด้านหลังดังกล่าว อาจเป็นหรือมี Mo และ/หรือ MoOx และอาจถูกเคลือบทับแบบสปัตเตอร์โดยใช้การผสมผสานของ เป้าหมายในการสปัตเตอร์ของ MoOx และ Mo อุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงที่มีอิเล็กโทรดด้านหลังซึ่งอาจทำหน้าที่เป็นตัวสะท้อนด้านหลัง ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้ อิเล็กโทรดด้านหลังดังกล่าวจะมีฟิล์ม สะท้อนที่มีส่วนประกอบหลักเป็นโลหะที่ถูกแบ่งเกรดของออกซิเดชันเพื่อให้มีออกไซด์ตรงบริเวณ ใกล้กับฐานรองด้านหลัง (ตัวอย่างเช่น ฐานรองที่เป็นแก้ว) ที่รองรับอิเล็กโทรดดังกล่าวไว้มากกว่าใน ตำแหน่งที่อยู่ห่างจากฐานรองด้านหลังดังกล่าวออกไป กล่าวอีกอย่างหนึ่งก็คือ อิเล็กโทรดด้านหลัง ดังกล่าวจะถูกแบ่งเกรดของออกซิเดชันเพื่อให้มีออกไซด์ตรงบริเวณใกล้กับตัวดูดซับที่เป็นสารกึ่ง ตัวนำของอุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงน้อยกว่าในตำแหน่งที่อยู่ห่างจากตัวดูดซับที่เป็นสารกึ่งตัวนำ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะ ในลักษณะซึ่งเป็นทางเลือกที่ไม่บังคับนั้น ในรูปลักษณ์ที่เป็น ตัวอย่างบางลักษณะ พื้นผิวด้านในของฐานรองด้านหลังอาจถูกทำให้มีผิวที่ไม่เรียบเพื่อให้อิเล็กโทรด ด้านหลังที่ถูกเคลือบทับลงไปบนบริเวณดังกล่าวมีผิวที่ไม่เรียบเช่นกันเพื่อให้มีคุณลักษณะทางไฟฟ้า และมีการสะท้อนตามที่ต้องการ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะ อิเล็กโทรดด้านหลังดังกล่าว อาจเป็นหรือมี Mo และ/หรือ MoOx และอาจถูกเคลือบทับแบบสปัตเตอร์โดยใช้การผสมผสานของ เป้าหมายในการสปัตเตอร์ของ MoOx และ Mo
Claims (1)
1. วิธีการทำโครงสร้างของอิเล็กโทรดด้านหลังสำหรับอุปกรณ์แรงดันไฟฟ้าพลังแสงโดยที่ วิธีการดังกล่าวประกอบด้วย - การจัดเตรียมฐานรองที่เป็นแก้ว - การเคลือบอิเล็กโทรดที่เป็นตำวนำซึ่งมีส่วนประกอบของ Mo (โมลิบดีนัม) ทับลงบน ฐานรองที่เป็นแก้วดังกล่าวและ โดยที่การเคลือบอิเล็กโทรดที่เป็นตัวนำซึ่งมีส่วนประกอบของ Mo (โมลิบดีนัม) ดังกล่าว ประกอบด้วยการสปัดเตอร์เป้าหมายที่เป็นเซรามิคอย่างน้อยหนึ่งอย่างซึ่งมีส่วนประกอบของ MoOx และเป้าหมายที่เป้นโลหะอย่างน้อยหนึ่งอย่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH107703A true TH107703A (th) | 2011-05-12 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2008156556A3 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as cigs/cis photovoltaic device and method of making same | |
| EA201591539A1 (ru) | Оконное стекло с покрытием, отражающим тепловое излучение | |
| ES2563749T3 (es) | Vidrio recubierto con ventana de comunicación calentable | |
| EP2386937A3 (en) | Capacitive touch panel and method of reducing visibility of metal conductors in the same | |
| EA201591523A1 (ru) | Оконное стекло с покрытием, отражающим тепловое излучение | |
| DE602007007241D1 (de) | Frontelektrode auf zinkoxidbasis mit yttrium für ein pv-element oder dergleichen | |
| RU2009131070A (ru) | Способ изготовления переднего ппо электрода для применения в фотоэлектрическом приборе или тому подобном | |
| EP2528120A3 (en) | Light emitting device and light emitting apparatus having the same | |
| WO2008053109A3 (fr) | Couche transparente a haute conductivite electrique avec grille metallique a tenue electrochimique optimisee | |
| UA97682C2 (ru) | Композиция электроосаждаемого покрытия, содержащая циклический гуанидин, и субстрат с покрытием из этой композиции | |
| EP2293278A3 (en) | Light source device | |
| MX2010009789A (es) | Articulo reflectante. | |
| WO2011118911A3 (ko) | 터치패널용 패드 및 이를 이용한 터치패널 | |
| ES2641914T3 (es) | Dispositivo de conexión eléctrica con conductancia mejorada | |
| MY184588A (en) | Disk having an electrical connection element | |
| Yu et al. | Highly flexible transparent and conductive ZnS/Ag/ZnS multilayer films prepared by ion beam assisted deposition | |
| EP2555255A3 (en) | Light emitting diode structure and manufacturing method thereof | |
| WO2007134742A3 (de) | Photovoltaische zelle | |
| EP2731159A3 (en) | Organic Light Emitting Devices | |
| WO2009126010A3 (ko) | 발광 소자 | |
| CO2017012949A2 (es) | Vidriado que comprende un revestimiento funcional a base de plata y de indio | |
| Jun et al. | Fabrication of substrate-free double-side emitting flexible device based on silver nanowire-polymer composite electrode | |
| EP2423987A3 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| EA201790760A1 (ru) | Подложка, снабженная тонкослойной системой с термическими свойствами и промежуточным субстехиометрическим слоем | |
| EA201790761A1 (ru) | Подложка, снабженная тонкослойной системой с термическими свойствами и промежуточным сверхстехиометрическим слоем |