TH102452A - ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงและวิธีการผลิตนั้น - Google Patents

ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงและวิธีการผลิตนั้น

Info

Publication number
TH102452A
TH102452A TH801001979A TH0801001979A TH102452A TH 102452 A TH102452 A TH 102452A TH 801001979 A TH801001979 A TH 801001979A TH 0801001979 A TH0801001979 A TH 0801001979A TH 102452 A TH102452 A TH 102452A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
film
reflective conductive
substrate
metal nanoparticles
conductive film
Prior art date
Application number
TH801001979A
Other languages
English (en)
Inventor
ยามาซากิ นายคาซูฮิโกะ
ฮายาชิ นายโตชิฮารุ
ทาคาตะ นายโยชิอากิ
Original Assignee
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
มิตซูบิชิ แมทีเรียลส์ คอร์ปอเรชั่น
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช, มิตซูบิชิ แมทีเรียลส์ คอร์ปอเรชั่น filed Critical นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
Publication of TH102452A publication Critical patent/TH102452A/th

Links

Abstract

DC60 (10/07/51) ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาด้วยการเผาซับสเทรทที่ซึ่งสารผสมซึ่งมี อนุภาคนาโนของโลหะได้รับการเคลือบผิวบนนั้น โดยที่ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงจะประกอบด้วยรู ซึ่งปรากฏอยู่บนพื้นผิวสัมผัสของฟิล์มในด้านซับสเทรทซึ่งมีขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้นจากแง่มุมของ ตำแหน่งของรู และมีความหนาแน่นของจำนวนของรูเป็น 30/รู ตารางไมโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมด้วยการเผาซับสเทรทที่ซึ่งสารผสมซึ่งมี อนุภาคนาโนชอ โลหะได้รับการเคลือบผิวบนนั้น โดยที่ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงจะประกอบด้วยรู ซึ่งปรากฎอยู่บนพื้นผิวสัมผัสของฟิล์มในด้านซับเทรทซึ่งมีขนาดเส้น่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อนกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้นจากแง่มุมของ ตำแหน่งของรู และมีความหนาแน่นของจำนวนรูเป็น 30/รู ตารางโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น

Claims (24)

1.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งได้รับการก่อรูปขึ้นมาด้วยการเผาชั้นซึ่งมีอนุภาคนาโนของโลหะ โดยที่ฟิล์มมตัวนำสะท้อนแสงจะมีพื้นผิวสัมผัสซึ่งสัมผัสซับเทรท โดยที่พื้นผิวสัมผัสจะมีรู ซึ่งปรากฎอยู่บนพื้นผิวสัมผัสและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตร หรือน้อยกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้นจากแง่มุมของตำแหน่งของรู เและมีความหนาแน่นของจำนวนของรูเป็น 30/รู ตารางไมโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น
2.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยวัสดุอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิดซึ่งเลือจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิไวนิลไพร์โรลิโดน พอลิเมอร์ร่วมของ พอลิไวนิลไพร์โรลิโดน และเซลลูโลสที่ละลายน้ำได้
3.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งสัดส่วนของซิลเวอร์ในบรรดาธาตุโลหะ ในอนุภาคนาโนของโลหะซึ่งมีอยู่ในฟิล์มจะเป็น 75% โดยมวลหรือมากกว่านั้น
4.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งความหนาของฟิล์มจะอยู่ภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตร
5.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งซัลสเทรทเป็นซัลสเทรทแบบโปร่งใส ซึ่งก่อรูปขึ้นมาจากอย่างใดอย่างหนึ่งของแก้ว เซรามิกซึ่งมีวัสดุตัวนำแบบโปร่งใส และวัสดุพอลิเมอร์ หรือลามิเนทแบบโปร่งใสซึ่งก่อรูปขึ้นมาจากวัสดุอย่างน้อยที่สุดสองชนิด ซึ่งเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยแก้ว เซรามิกซึ่งมีวัสดุตัวนำแบบโปร่งใส วัสดุพอลิเมอร์ และซิลิคอน
6.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งอนุภาคนาโนของโลหะซึ่งมีขนาดอนุภาค ปฐมภูมิภายในช่วงของ 10 ถึง 50 นาโนเมตรจะเป็น 70% หรือมากกว่านั้น จากแง่มุมของค่าเฉลี่ย ของจำนวน ในบรรดาอนุภาคนาโนของโลหะซึ่งมีอยู่ในฟิล์มตัวนำสะท้อนแสง
7.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงได้รับการ ก่อรูปขึ้นมาด้วยการเคลือบผิวสารผสมซึ่งมีอนุภาคนาโนของโลหะบนซับสเทรทหรือบนชั้น ซึ่งได้รับการลามิเนทบนซัลสเทรทด้วยการใช้วิธีการเคลือบผิวแบบเปียก และการเผาซับสเทรท ซึ่งมีฟิล์มเคลือบผิวบนนั้น
8.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งกระบวนการของการเคลือบผิวสารผสม ซึ่งมีอนุภาคนาโนของโลหะด้วยการใช้วิธีการเคลือบผิวแบบเปียกได้รับการดำเนินการเพื่อที่จะให้ ความหนาฟิล์มอยู่ภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตรหลังจากกระบวนการเผา
9.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งกระบวนการของการเคลือบผิวสารผสมซึ่งมีอนุภาคนาโนของโลหะด้วยการใช้ วิธีการเคลือบผิวแบบเปียก ได้รับการดำเนินการเพื่อที่จะให้ความหนาฟิล์มอยู่ภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตรหลังจากกระบวนการเผา และ กระบวนการเผาของซับสเทรทซึ่งมีฟิล์มเคลือบผิวบนนั้นได้รับการดำเนินการ ที่ 130 ถึง 400 ํ C
10.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งวิธีการเคลือบผิวแบบเปียกเป็นวิธีการ อย่างใดอย่างหนึ่งของวิธีการเคลือบผิวแบบพ่น วิธีการเคลือบผิวแบบใช้เครื่องจ่าย วิธีการเคลือบผิว แบบหมุน วิธีการเคลือบผิวแบบใช้ใบมีด วิธีการเคลือบผิวแบบช่องเล็กยาว วิธีการเคลือบผิวแบบ ฉีดหมึก วิธีการพิมพ์ฉลุลายผ้า วิธีการพิมพ์ออฟเซท และวิธีการเคลือบผิวด้วยแม่แบบ
11.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งสารผสมได้รับการเตรียมได้ด้วยการทำให้อนุภาคนาโนของโลหะกระจายตัว ที่ซึ่งอนุภาค 75% โดยมวลหรือมากกว่านั้นเป็นอนุถาคซิลเวอร์ ในตัวกลางกระจายตัว อนุภาคนาโนของโลหะได้รับการดะดแปลงทางเคมีตัวกระทำการคุ้มกันซึ่งเป็น โมเลกุลอินทรีย์ซึ่งมีโครงคาร์บอนที่มีคาร์บอน 1 ถึง 3 อะตอม และ ฟิล์มจะมี 70% หรือมากกว่านั้นของอนุภาคนาโนของโลหะซึ่งมีขนาดอนุภาคปฐมภูมิภายใน ช่วงของ 10 ถึง 50 นาโนเมตรจากแง่มุมของค่าเฉลี่ยของจำนวน
12.ชุดตัวนำสะท้อนแสงของข้อถือสิทธิข้อ 1; และ ซับสเทรทที่ซึ่งฟิล์มได้รับการก่อรูปขึ้นมา ที่ซึ่งซับสเทรทจะเป็นซับสเทรทแบบโปร่งใสซึ่งก่อรูปขึ้นมาจากอย่างใดอย่างหนึ่งของแก้ว เซรามิกซึ่งมีวัสดุตัวนำแบบโปร่งใส และวัสดุพอลิเมอร์ หรือลามิเนทแบบโปร่งใสซึ่งก่อรูปขึ้นมา จากวัสดุอย่างน้อยที่สุดสองชนิดซึ่งเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วย แก้ว เซรามิกซึ่งมีวัสดุตัวนำ แบบโปร่งใส วัสดุพอลิเมอร์ และซิลิคอน
13.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งประกอบรวมต่อไปอีกด้วยสารเติมแต่ง อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งเลือกจาหมู่วึ่งประกอบด้วยพอลิเมอร์อินทรีย์ โลหะออกไซด์ โลหะไฮดรอกไซด์ สารประกอบโลหะอินทรีย์ และน้ำมันซิลิโคน
14.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งประกอบรวมด้วยวัสดุอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิดซึ่งเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยพอลิไวนิลไพร์โรลิโดน พอลิเมอร์ร่วมของ พอลิไวไพร์โรลิโดน และเซลลูโลสที่ละลายน้ำได้ ซึ่งเป็นพอลิเมอร์อินทรีย์
15.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งประกอบรวมด้วยโลหะออกไซด์ซึ่งมี โลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยอะลูมินัม ซิลิคอน ไทเทเนียม โครเมียม แมงกานีส เหล็ก โคบอลท์ ซิลเวอร์ ทองแดง ซิงก์ โมลิบดินัม ดีบุก อินเดียม และพลวง หรืออกไซด์เชิงประกอบ ซึ่งเป็นโลหะออกไซด์
16.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งประกอบรวมด้วยไฮดรอกไซด์ซึ่งมีโลหะ อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งเลือกจากหมู่ซึ่งประกอบด้วยอะลูมินัม ซิลิคอน ไทเทเนียม โครเมียม แมงกานีส เหล็ก โคบอลท์ นิกเกิล ซิลเวอร์ ทองแดง ซิงก์ โมลิบดินัม ดีบุก อินเดียม และพลวง ซึ่งเป็นโลหะไฮดรอกไซด์
17.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งประกอบรวมด้วยสบู่โลหะ สารเชิงซ้อนโลหะ หรือแอลคอกไซด์ของโลหะซึ่งมีโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งเลือกจากหมู่ ซึ่งประกอบด้วยซิลิคอน ไทเทเนียม โครเมียม แมงกานีส เหล็ก โคบอลท์ นิกเกิล ซิลเวอร์ ทองแดง ซิงก์ โมลิบดินัม และดีบุก ซึ่งเป็นสารประกอบโลหะอินทรีย์
18.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งสารผสมซึ่งมีอนุภาคนาโนของโลหะ มี 1 % โดยมวลหรือมากกว่านั้นของน้ำและ 2% โดยมวลหรือมากกว่านั้นของแอลกอฮอล์ซึ่งเป็น ตัวกลางกระจายตัว
19.วิธีการสำหรับการผลิตฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งประกอบรวมด้วย: การเตตรียมสารผสมด้วยการทำให้อนุภาคนาโนของโลหะกระจายตัวที่ซึ่งอนุถาค 75% โดยมวลหรือมากกว่านั้นเป็นอนุภาคซิลเวอร์ในตัวกลางกระจายตัวเพื่อให้ 70% หรือมากกว่านั้น ของอนุภาคนาโนของโลหะ จากแง่มุมของค่าเฉลี่ยของจำนวน ซึ่งมีอยู่ในสารผสมจะมีขนาดอนุภาค ปฐมภูมิภายในช่วงของ 10 ถึง 50 นาโนเมตร ; การเคลือบผิวสารผสมบนซับสเทรทหรือชั้นซึ่งได้รับการลามิเนทบนซับสเทรทด้วยการใช้ วิธีการเคลือบผิวแบบเปียกเพื่อให้ความหนาฟิล์มหลังจากระบวนการเผาอยู่ภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตร ; และ การก่อรูปขึ้นมาเป็นฟิล์มที่ซึ่งรูซึ่งปรากฎอยู่บนพื้นผิวสัมผัสของฟิล์มในด้านซับสเทรท มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยจากแง่มุมของ ตำแหน่งของรูเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้น และมีความหนาแน่นของจำนวนของรูเป็น 30 รู/ตาางไมโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น
20.วิธีการสำหรับการผลิตฟิล์ทตัวนำสะท้อนแสงซึ่งประกอบรวมด้วย : การเตรียมสารผสมด้วยการทำให้อนุภาคนาโนของโลหะกระจายตัวที่ซึ่งอนุภาค 75% โดยมวลหรือมากกว่านั้นเป็นอนุภาคซิลเวอร์ในตัวกลางกระจายตัวเพื่อให้อนุภาคนาโนของโลหะ ได้รับการดัดแปลงทางเคมีตัวกระทำการคุ้มกันซึ่งเป็นโมเลกุลอินทรีย์ซึ่งมีโครงคาร์บอนที่มี คาร์บอน 1 ถึง 3 อะตอม และโดยที่ 70% หรือมากกว่านั้นของอนุภาคนาโนของโลหะ จากแง่มุมของค่าเฉลี่ยของจำนวน ซึ่งมีอยู่ในสารผสมจะมีขนาดอนุภาคปฐมภายในช่วงของ 10 ถึง 50 นาโนเมตร ; การเคลือบผิวสารผสมบนซับสเรทหรือชั้นซึ่งได้รับการลามิเนทบนซับสเทรทด้วยการใช้ วิธีการเคลือบผิวแบบเปียกเพื่อให้ความหนาฟิล์มหลังจากกระบวนการเผาซึ่งภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตร ; และ การเผาซับสเทรทซึ่งมีฟิล์มเคลือบผิวบนนั้นที่ 130 ถึง 400 ํC เพื่อการก่อรูปชึ้นมาเป็นฟิล์ม ที่ซึ่งรูซึ่งปรากฎอยู่บนพื้นผิวสัมผัสของฟิล์มในด้านซับสเทรทมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยจากแง่มุมของตำแหน่งของรูเป็น 100 นาโนเมตร หรือน้อยกว่านั้น และมีวามหนาแน่นของจำนวนของรูเป็น 30 รู/ตารางไมโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น
21.ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งได้รับการผลิตขึ้นมาด้วยวิธีการสำหรับการผลิต ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งประกอบรวมด้วย การเตรียมสารผสมด้วยการทำให้อนุภาคนาโนของโลหะกระจายตัวที่ซึ่งอนุภาค 75% โดยมวลหรือมากกว่านั้นเป็นอนุภาคซิลเวอร์ในตัวกลางกระจายตัวเพื่อให้อนุภาคนาโนของโลหะ ได้รับการดัดแปลงทางเคมีด้วยตัวกระทำการคุ้มกันเป็นโมเลกุลอินทรีย์ซึ่งมีโครงคาร์บอนที่มี คาร์บอน 1 ถึง 3 อะตอม และโดยที่ 70% หรือมากกว่านั้นของอนุภาคานาโนของโลหะ จากแง่มุมของค่าเฉลี่ยของจำนวน ซึ่งมีอยู่ในสารผสมจะมีขนาดอนุภาคปฐมภูมิภายในช่วงของ 10 ถึง 50 นาโนเมตร ; การเคลือบผิวสารผสมบนซับสเทรทหรือชั้นได้รับการลามิเนทบนซับสเทรทด้วยการใช้ วิธีการเคลือบผิวแบบเปียกเพื่อให้ความหนาฟิล์มหลังจากกระบวนการเผาอยู่ภายในช่วงของ 0.05 ถึง 2.0 ไมโครเมตร ; และ การเผาซับสเทรทซึ่งมีฟิล์มเคลือบผิวบนนั้นที่ 130 ถึง 400 ํC เพื่อการก่อรูปขึ้นมาเป็นฟิล์ม ที่ซึ่งรูซึ่งปรากฎอยู่บนพื้นผิวสัมผัสของฟิล์มในด้านซับสเทรทมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 100 นาโนเมตรหรือน้อยกว่านั้น มีความลึกเฉลี่ยจากแง่มุมของตำแหน่งของรูเป็น 100 นาโนเมตร หรือน้อยกว่านั้น และมีความหนาแน่นของจำนวนของรูเป็น 30 รู/ตารางไมโครเมตรหรือน้อยกว่านั้น
22.ส่วนลำตัวที่ผ่านการลามิเนทซึ่งใช้ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงของข้อถือสิทธิข้อ 1 และ 21 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งผลิตขึ้นมาด้วยวิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 19 และ 20 ข้อใดข้อหนึ่งสำหรับการผลิตฟิล์มตัวนำสะท้อนแสง
23.เซลล์สุริยะซึ่งใช้ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงของข้อถือสิทธิข้อ 1 และ 21 ข้อใดข้อหนึ่ง หรือฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงซึ่งผลิตขึ้นมาด้วยวิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 19 และ 20 ข้อใดข้อหนึ่ง สำหรับกรผลิตฟิล์ทตัวนำสะท้อนแสง เป็นอิเล้กโทรด
24.เซลล์สุริยะซึ่งใช้ส่วนลำตัวที่ผ่านการลามิเนทของข้อถือสิทธิข้อ 22 เป็นอิเล้กโทรด
TH801001979A 2008-04-18 ฟิล์มตัวนำสะท้อนแสงและวิธีการผลิตนั้น TH102452A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH102452A true TH102452A (th) 2010-06-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Laser-induced selective metallization on polymer substrates using organocopper for portable electronics
CN101523511B (zh) 电极形成用组合物以及使用该组合物的电极的形成方法
CN101803037B (zh) 超直型太阳能电池用复合膜及其制造方法、以及亚直型太阳能电池用复合膜及其制造方法
US8758891B2 (en) Conductive reflective film and production method thereof
SE514600C2 (sv) Metod för tillverkning av nanostrukturerade tunnfilmselektroder
JPWO2013133420A1 (ja) 透明導電パターンの製造方法
JP5637196B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法
MX2014004393A (es) Metodo para la fabricacion de celdas solares sensibilizadas con tintes y celdas solares de este modo producidas.
JP5309440B2 (ja) 太陽電池の電極形成用組成物及び該電極の形成方法並びに該形成方法により得られた電極を用いた太陽電池の製造方法
TW201232582A (en) Dual-layer method of fabricating ultracapacitor current collectors
CN103526288A (zh) 界面作用诱导自组装高密度纳米阵列的方法
JP2010087478A (ja) スーパーストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2010087479A (ja) サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
TW201044463A (en) Transparent conductive film encapsulating mesh-like structure formed from metal microparticles, substrate on which transparent conductive film is laminated, and method for producing the same
WO2011111798A1 (ja) 透明導電膜形成用基板、透明導電膜付き基板、透明導電膜の製造方法
JP5444923B2 (ja) スーパーストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP5493469B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の複合膜及びその製造方法
KR20140095506A (ko) 패턴화된 기판 상의 전도성 망상체
JP5493468B2 (ja) スーパーストレート型薄膜太陽電池用の導電性反射膜及びその製造方法
JP2012190856A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
JP2012094830A (ja) 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
KR20120028126A (ko) 도전성 피막의 제조방법, 및 이를 위한 프라이머 조성물
JP2010087480A (ja) サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法
JP2023108423A (ja) 積層体、及び積層体の製造方法
US9281421B2 (en) Conductive reflective film and method of manufacturing the same