Изобретение относитс к области измерени ионизирующих излучений, в частности, к блокам детектировани рентгеновского и гамма-излучени на основе охлаждаемых полупроводниковых детекторов (ППД). Современные блоки детектировани дерных излучений состо т из охлаждаемого датчика дерных излучений, .размещенного внутри вакуумного криостата , и неохлаждаемой основной секции предусилител . Известен охлаждаемый датчик дерных излучений, содержащий ППД, метал лический хладопровод и головной каскад предусилител . Причем, металлический хладопровод выполнен стержневым , на одном его торце установлен ППД, другим торцом он соединен с хладопроводом криостата, а элементы схемы охлаждаемого головного каскада предусилител размещены под детектором . Основными недостатками этогодатчика вл ютс ограниченна возможность его использовани из-за большо го диаметра датчика и отсутствие экранировки элементов конструкции, наход щихс под высоким потенциалом от входа предусилител , что приводит к вли нию электрических наводок на основные характеристики датчика и невозможности обеспечени оптимальных тепловых режимов головного каскада :предусилител и ПДЦ„ Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс охлаждаемый полупроводниковый датчик дер ных излучений, содержащий ППД, голов ной каскад предусилител с экраном и cиcтe fy охлаждени , выполненную из хладопровода криостата и двух полых, изолированных друг от друга, коаксиально расположенных металлических ци линдров, из которых внешний цилиндр служит шиной питани ППД, установлен ного внутри этого цилиндра в его тор цовой части, а внутренний цилиндр экраном головного каскада предусилител , расположенного в его полости, и прикреплен одним торцом к ППД через диэлектрическую прокладку. Недостатком этого устройства вл етс то, что охлаждение полупроводникового детектора в нем осуществл етс через внутренний полый цилиндр, внут ри которого расположен головной каскад предусилител . При этом, вдоль оси внутреннего цилиндра всегда будет существовать перепад температур: температура будет увеличиватьс от места присоединени датчика к хладопроводу криостата и ППД. Температура ППД, укрепленного на диэлектрической теп- . лопровод щей пластине, играющей роль хладопровода детектора, всегда будет вьш1е, чем температура хладопровода криостата и температура головного каскада предусилител , наход щегос ближе к хладопроводу криостата. Однако известно, что оптимальна рабоча температура полевого транзистора, вход щего в головной каскад предуси лител , значительно выше (120-160 К), чем оптимальна рабоча температура ППД, котора составл ет 70-90 К. Так как при данной конструкции датчика диэлектрическа прокладка, на которой закреплен ППД, должна быть изготовлена из материала с высокой теплопроводностью , то введение подогрева головного каскада предусилител , часто используемое в подобных датчиках, вызовет одновременное повышение температуры ППД. Целью изобретени вл етс повышение энергетического разрешени путем обеспечени оптимальных рабочих температур ППД и головного каскада предусилител . Указанна цель достигаетс тем, что в охлаждаемом полупроводниковом датчике дерных излучений, содержащем ППД, головной каскад предусилител с экраном и систему охлаждени , выполненную из хладопровода криостата и двух полых, изолированных друг от друга, коаксиально расположенных металлических цилиндров, из которых внешний служит шиной питани ППД, установленного внутри этого цилиндра в его торцовой части, а внутренний экраном головного каскада предусилител , расположенного в его полости, прикреплен одним торцом к ППД через диэлектрическую прокладку, внешний цилиндр с торца, противоположного месту установки ППД, непосредственно соединен с хладопроводом криостата, свободный торец внутреннего цилиндра изолирован от внешнего цилиндра вакуумным зазором, а диэлектрическа прокладка выполнена из теплоизол ционного материала. Предлагаемое вьшолнение датчика приводит к тому, что хладопроводом датчика будет не внутренний цилиндр с наход щимис в его полости головным каскадом предусилител , как в прототипе, а внешний. В результате температура ППД, наход щегос в непосредственном тепловом контакте с хладопроводом криостата, будет всегд ниже температуры головного каскада предусилител , перепад температур между хладопроводом криостата и ПГЩ уменьшитс , что приведет к понижению температуры 1ЩЦ. Наличие диэлектрической прокладки из материала с низкой теплопроводностью , котора будет играть роль тепловой разв зки между ППД и головньм каскадом предусилител в отличие от диэлектрической прокладки в прототи .пе, играющей роль хладопровода детектора , и соответственно своему назначению , выполненной из материала с высокой теплопроводностью, обеспечит необходимый перепад температур между ППД и головным каскадом предусилител . На чертеже схематически изображен осевой разрез предлагаемого охлаждаемого полупроводникового датчика дерных излучений. Датчик состоит из ППД 1, закрепленного внутри внешнего металлического цилиндра 2 в верхней его части, внутреннего цилиндра 3. Внутренний цилиндр 3 закреплен к ППД через диэлектрическую теплоизолирующую прокладку 4, играющую роль тепловой разв зки , и служит корпусом и электрическим экраном головного каскада предусилител 5, расположенного в нем. Торцом цилиндра 2 датчик присоедин етс к хладопроводу 6 криостата 7. . При работе с датчиком процесс теплопередачи происходит по цепочке: головной каскад предусилител 5, внутренний цилиндр 3, диэлектрическа теплоизолирующа прокладка (теплова разв зка) 4, ППД 1, внешний цилиндр (хладопровод датчика) 2, хладопровод криостата 7. Это обеспечивает следующее распределение температур: сама высока температура (120-160 К) на головной секции предусилител 5, сама низка - на торце внешнего цилиндра 2, присоединенного к хладопроводу 6 криостата 7, Поскольку ППД 1 укреплен непосредственно на внешнем цилиндре 2, перепад температур между хладопроводом 6 криостата и ШЩ составл ет 3 К, что в 5 раз меньше, чем у известного датчика - прототипа. Таким образом, предлагаемый охлаждаемый датчик дерного излучени обеспечивает оптимальные рабочие температуры ППД и головного каскада предусилител , что понижает значение одного из основных параметров датчиков - энергетического разрешени , тем самым позвол ет повысить точность анализа элементного состава вещества при использовании датчика в составе спектрометра дл исследований в области медицины, кристаллографии, металлургии и т.д.