SU975676A1

SU975676A1 - Batch for making ceramic material

Info

Publication number: SU975676A1
Application number: SU813281379A
Authority: SU
Inventors: Николай Алексеевич Фомушин; Иван Егорович Онегин; Павел Николаевич Ермаков; Николай Трофимович Андрианов; Валентина Михайловна Лыгина; Надежда Алексеевна Шаталина; Евгений Иванович Челноков; Фазол Канифулович Насибуллин; Валерий Юрьевич Жандаров
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6281
Priority date: 1981-03-04
Filing date: 1981-03-04
Publication date: 1982-11-23

Description

Изобретение относитс к производству материалов дл электронной техники , а именно керамики, примен ег-юй в вакуумной, радиоэлектронной и других , област х техники.The invention relates to the production of materials for electronic equipment, namely, ceramics, used in vacuum, electronic and other fields of technology.

В электронной прокышленности примен ют вакуумплотную керамику, содержащую более 90% оксида алюмини и служащую дл изготовлени керамичес-г ких подложек, плоских корпусов, микромодулей , конструкционных и изол торных элементов.In the electronics industry, vacuum tight ceramics containing more than 90% alumina and used for the manufacture of ceramic substrates, flat hulls, micromodules, structural and insulator elements are used.

Известна шихта дл изготовлени керамического материала на основе глинозема дл производства вакуум- плотной корундовой керамики |f 1J .The known charge for the manufacture of a ceramic material based on alumina for the production of vacuum-dense corundum ceramics | f 1J.

Недостатком данной шихты вл етс высока температура спекани 1750+ , .The disadvantage of this mixture is the high sintering temperature of 1750+,.

Наиболее близким техническим решением к изобретению вл етс шихта дл изготовлени керамического материала, вк.лючаю1ча 94,4 мас.% Al2.0 и 5,6 мас.% стеклообраз-ующей добавки, состава/ мас.%:The closest technical solution to the invention is a mixture for the manufacture of a ceramic material, including key 94.4 wt.% Al2.0 and 5.6 wt.% Glass-forming additive, composition / wt.%:

49,2549.25

SiOo.SiOo.

42,0042.00

МпОMPO

8,758.75

Недостатками известной шихты вл ютс высока температура спекани 1600-1650С и большие диэлектричесс кие потери (тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 10 МГц (3-5) 10-4-}.The disadvantages of the known charge are high sintering temperature 1600-1650С and large dielectric losses (tangent of dielectric loss angle at a frequency of 10 MHz (3-5) 10-4-}.

Целью изобретени вл етс снижение температуры спекани и диэлект Q рических потерь.The aim of the invention is to reduce the sintering temperature and dielectric Q losses.

Поставленна цель достигаетс тем, что шихта дл изготовлени керамического материала, включающа 94,4 мас.% 5,6 мас.% стеклообразующий добавки, содержащейThis goal is achieved in that the mixture for the manufacture of a ceramic material, comprising 94.4% by weight 5.6% by weight of a glass-forming additive containing

5 МпО, SiO и Cr., содержит кс тоненты добавки при следующем соотношении , мас.%5 MpO, SiO and Cr., Contains xc tonents additives in the following ratio, wt.%

МпО52,0-57,7MpO52,0-57,7

20 SiO-j.33,8-39,020 SiO-j.33.8-39.0

,5-9,0, 5-9,0

Введение в шихту добавки предложенного состава позвол ет получить высокоплотную корундовую керамикуIntroduction to the mixture of additives of the proposed composition allows to obtain high-density corundum ceramics

25 за счет того, что увеличение ионов уменьшает в зкость и поверхностное нат жение расплава, способствует растворимости и скорости переноса окиси алюмини , что формирует тонкую и плотную микроструктуру керами25 due to the fact that the increase in ions reduces the viscosity and surface tension of the melt, contributes to the solubility and the rate of transfer of aluminum oxide, which forms a thin and dense microstructure of ceramics

Claims

^g claims

The mixture for the manufacture of ceramic material, comprising 94.4 wt.% Al ^ Oj and 5.6 wt.% Glass-forming additives containing MnO, SiOj. and Cr ^ O ^, characterized in that ·, in order to reduce the sintering temperature and dielectric loss, it contains the components of the additive in the following ratio, May.%:

MPO 52.0-57.7

SiOcL 33.8-39.0

Cr ^ 8.5-9.0