SU947792A1 - Устройство дл испытани транзисторов - Google Patents

Description

подключени  выводов коллектора и базы испнтуемого прибора, и предотвращает пробой коллекторного перехода при уменьшении коллекторного токаC3J.

Недостатком этого устройства  вл етс  низка  точность задани  режима испытаний с посто нной рассеиваемой мощностью, поскольку задаетс  змиттерный ток, а при изменени х коэффициента усилени  транзистора в процессе испытаний коллекторный ток и рассейваема  на транзисторе мощность могут измен тьс . Кроме того, пороговые элементы не обеспечивают защиту транзистора от вторичного пробо , вызванного перегревом структуры транзистора при испытани х.

Цель изобретени  - повышение точности контрол  режима и предотвра1иение пробо  испытуемого транзистора.

Поставленна цель достигаетс  тем, что в устройство дл  испытани  транзисторов, содержащее генератор тока эмиттера и источник коллекторного напр жени , выходы которых соединены с клеммами дл  подключени  соответствующих выводов испытуемого при бора, клемму дл  подключени  базы, два пороговых элемента, введены инвертирующий усилитель, ключ и токосъемный резистор, причем токосъемный резистор включен между общей шиной и клеммой дл  подключени  базы испытуемого транзистора, котора  соединена через первый порого --1й элемент с входом блокировки источника коллекторного напр жени , а также через ключ с входами второго порогового элемента и инвертирующего усилител , выходы которых подключены соответственно к управл кмдему входу ключа и к суммирующему входу генератора тока эмиттера.

На чертеже приведена блок-схема устройства.

Устройство содержит генератор 1 тока эмиттера, который может быть выполнен, например, по известной схеме на двух операционных усилител х суммирующем , к одному из входов которого подключен источник управл ющего напр жени , задающий необходимый ток эмиттера испытуемого транзистора, и инвертирук цем операционном усилителе , вход которого соединен с выходом генератора тока эмиттера, а его выход - с другим суммирующим входом суммирующего усилител . Выходы генератора 1 тока эмиттера и источника 2 коллекторного напр жени  соединены с клеммами 3 и 4 дл  подключени  соответствующих выводов испытуемого транзистора, база которого подключена к кле1«1ме 5, соединенной с токосъемным резистором 6,с входом первого порогового элемента 7, выход которого подключен к входу блокировки источника 2 а также через ключ 8 с входами второго порогового элемента 9 и инвертирующего усилител  10. Выход последнего подключен к суммирую(цему входу генератора 1 тока эмиттера.

Устройство работает следующим образом .

В исходном состо нии сигналом Сброс выключаютс  пороговые элементы 7 и 9, размыкаетс  ключ 8. Затем последовательно подаю.т на вход генератора 1 тока эмиттера управл ющее напр жение такой величины, чтобы на его выходе и соответственно через переход эмиттер - база испытуемого транзистора протекал ток, равный задаваемому току коллектора, включают источник 2 коллекторного напр жени  и замыкающий ключ 8. В результате того, что испытуемьтй транзистор после включени  источника 2 коллекторного напр жени  переходит в усилительный режим, на токосъемном резисторе 6 создаетс  падение напр жени , пропорциональное току базы испытуемого транзистора, которое через ключ 8 и инвертирующий усилитель 10 с коэффициентом передачи подаетс  на суммирующий вход генератора 1 тока эмиттера. При этом на выходе генератора 1 устанавливаетс  значение тока , равное сумме задаваемого коллекторного тока и установившегос  тока базы испытуемого транзистора, т.е. значение тока эмиттера испытуемого транзистора, соответствующее заданному току коллектора при любом коэффициенте усилени  испытуемого транзистора . Поскольку напр жение источника 2 поддерживаетс  неизменным, на коллекторе испытуемого транзистора рассеиваетс  в процессе испытаний заданна  мощность.

Дл  защиты транзистора от возможjных нарушенийрежима испытаний служат пороговые элементы 7 и 9. В случае недопустимого падени  коэффициента усилени  испытуемого транзистора в процессе испытаний увеличиваетс  его базовый ток и падение напр жени  на резисторе 6. При этом пороговый элемент 9, настроенный на определенное значение базового тока, переключаетс  и размыкает ключ 8, что приводит к ограничению тока через переход эмиттер-база на уровне первоначгшьно заданного тока коллектора, а рассеиваема  транзистором мощность снижаетс .

Как известно, при испытани х транзисторов .в режиме большой рассеивающей мощности может возникнуть  вление вторичного пробо , привод щее к отказу испытуемого транзистора. Причиной этого  влени   вл етс  то, что при увеличении температуры структуры транзистора растет его коэффициент усилени  и падает ток базы, а обратный ток перехода коллектор-.

база увеличиваетс . Непосредственно перёд развитием вторичного пробо  наступает взаимна  компенсаци  этих токов и падение напр жени  на токосъемчом резисторе б становитс  равным нулю (в дальнейшем наступает переворот фазы базового тока.и начинаетс  развитие вторичного пробо ).

Кроме того, в случае кратковременного нарушени  контакта вывода базы с соответствующей клеммой 5 может наступить электрический пробой промежутка коллектор - эмиттер испытуемого транзистора из-за приложени  к нему суммарного напр жени  генератора 1 и источника 2. Нарушение контакта таюке сопровождаетс  падением до нул  напр жени  на токосъемном резисторе 6.

Дл  предотвращени  пробо  испытуемого транзистора в устройстве имеетс  пороговый.элемент 7, выполненный по схеме нуль-органа.

При уменьшении до нул  напр жени  на резисторе б срабатывает пороговый элемент 7 и своим сигналом, подаваемым на вход блокировки источника 2 коллекторного напр жени , отключает его, чем предотвращает пробой испытуемого транзистора.

Использование предлагаемого устройства позвол ет повысить точность стабилизации режима испытуемого транзистора , сократить врем  на его установку , так как заданный режим испытаний поддерживаетс  автоматически при смене транзисторов, а также исключить повреждени  испытуемых транзисторов благодар  защите их от рробо .

Claims (3)

1.Авторское свидетельство СССР

524145, кл. G 01 R 31/2Б, 1974.

2.Лэньон, Схема с обратной св зью дл  измерени  транзисторов при неизменной рассеиваемой мощности. Электроника , 1975, 18, с. 66-68.

3.Перельман Б.Л. и др. Методы испытани  и оборудовани  дл  контрол  качества полупроводниковых приборов . М., Высша  школа, 1979, с. 205206 (прототип).