SU921385A1 - Способ изготовлени образцовой меры толщины полупроводниковых слоев - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВОЙ МЕРЫ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ, основанный на шлифовке и полировке пластины из полупроводникового материала до получени  номинальной толщины, отличающийс   тем, что, с целью повышени  точности воспроизведени  толщины и долговечности образцовой меры, пластину изготавливают из полупроводникового материала, идентичного материалу контролируемых полупроводниковых слоев, шлифуют и полируют одну сторону пластины, на полированную плоскость пластины термически наращивают слой окисла, на который наращивают слой основани  меры, свободную поверхность пластины обрабатывают до получени  номинальной толщины пластины, стравливают часть пластины до обнажени  сло  окисла и измер ют фактическое знач-зние толщины пластины.

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике и может быть использовано при контроле толщины слоев полупроводниковых структур.

Известен способ изготовлени  концевой меры длины, основанный на изготовлении плоскопараллельных пластин номинальной толщины,

Недостатком этого способа  вл етс  его непригодность дл  изготовлени  образцовой меры толщины тонких полупроводниковых слоев.

Известен также способ изготовлени  образцовой меры толщины полупроводниковых слоев, основанный на шлифовке и полировке пластины из полупроводникового материала до получени  номинальной толщины.

Недостатком этого способа  вл етс  низка  точность воспроизведени  толщины, обусловленна  тем, что на мере отсутствуют окисна  пленка и переходна  зона между пластиной и подложкой, а также тем, что

сл

с

материал меры имеет неодинаковую с контролируемым слоем структуру поверхности .

Другим источником погрешностей  вл ю етс  неконтролируемое качество контакта между пластиной и подложкой, завис щее от воздействи  внешних условий: температуры , влажности, механических воздействий и т.д.

00

Еще одним недостатком этого способа

сл  вл етс  низка  долговечность меры, обусловленна  возможностью отклеивани  пластины от подложки в процессе эксплуатации .

Целью изобретени   вл етс  повышение точности воспроизведени  толщины и долговечности образцовой меры.

Цель достигаетс  тем, что в известном способе изготовлени  образцовой меры толщиныполупроводниковых слоев, основанном на шлифовке и полировкепластины из полупроводникового материала до получени  номинальной толщины, пластину изготавливают из полупроводникового материала , идентичного с материалом контролируемых полупроводниковых слоев, шлифуют и полируют одну сторону пластины , на полированную плоскость пластины термически наращивают слой окисла, на который наращивают слой основани  меры, свободную поверхность пластины обрабатывают до получени  номинальной толщины пластины, стравливают часть пластины до обнажени  сло  окисла и измер ют фактическое значение толщины пластины.

П р и м е р. Из цилиндрического стержн  монокристалла кремни  вырезают заготовку в виде плоской пластины толщиной не более 500 мкм. Одну сторону заготовки обрабатывают шлифованием и доводкой до получени  неплоскостности не более 0,1 мкм. Затем не доведенную поверхность термически наращивают сначала слой окиси кремни  толщиной до 2,0 мкм, а затем слой поликристаллического кремни  толщиной-не менее 500 мкм. Затем доводкой обрабатывают слой монокристалла к|эемни  до получени  (ориентировочно) требуемого номинала толщины (контроль провод т с помощью ИК-интерферометров).

После получени  номинальной толщины на слой монокристалла кремни  методами литографии нанос т защитную маску

трафарета в виде квадрата размером 5x5 мм.

Затем незащищенный слой монокристалла кремни  удал ют с помощью анизотропного травител  (20% КОН в СзНаО в соотношении 2;1) до обнажени  сло  окиси кремни , на который указанный травитель не действует . На этом изготовлении меры закончено . Далее провод т аттестацию меры и определ ют действительное значение толщины сло  монокристалла кремни .

При изготовлении меры используют промышленное оборудование и режимы обработки .

Аналогично можно изготовить меры из других полупроводниковых материалов.

Экономическа  эффективность предлагаемого способа изготовлени  МТПС определ етс  снижением трудоемкости изготовлени  по сравнению с прототипом за счет использовани  заводского технологическогооборудовани  и режимов;

увеличением срока службы и надежности вследствие обеспечени  возможности периодической поверки;

снижением процента неправильно забракованной или прин той продукции вследствие повышени  точности и обеспечени  правильности измерений толщ;ины ПС за счет соответстви  меры реальному изделию.

Claims (1)

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВОЙ МЕРЫ ТОЛЩИНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ, основанный на шлифовке и полировке пластины из полупроводникового материала до получения номинальной толщины, отличающий с я тем. что, с целью повышения точности воспроизведения толщины и долговечности образцовой меры, пластину изготавливают из полупроводникового материала, идентичного материалу контролируемых полупроводниковых слоев, шлифуют и полируют одну сторону пластины, на полированную плоскость пластины термически наращивают слой окисла, на который наращивают слой основания меры, свободную поверхность пластины обрабатывают до получения номинальной толщины пластины, стравливают часть пластины до обнажения слоя окисла и измеряют фактическое значение толщины пластины.