Изобретение относитс к оптической обработке информации, в частнос ти к способу изготовлени устройств дл пространственно-временной модул ции света. , Известен способ изготовлени оптически управл емого транспаранта (ОУТ) в виде симметричной МДПструктуры , согласно которому на обе стороны полупроводниковой пластины из материала с фотоэлектрооптическими свойствами (Bi,, Bi, последовательно напыл ют слой парил на noлиnapaкcилeнa) и прозрачный электрод из платины 1. Недостатком указанного способа л етс как низка механическа прочность структуры в целом, особенно при использовании полупроводн ковых пластин с толщиной около 100 м так и незащищенность провод щих и изолирующих слоев. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому вл етс способ, включающий изготовление двух идентичных структур путем напылени на прозрачную диэлектрическую подложку электропровод щей пленки, приклеивани поверх нее стекл нной пластины до требуемой толщины, после чего между двум структурами вклеивают полупроводниковую пластину (из Bi. SiO-j, Bi.,ft GeOnn) 2 Однако таким способом трудно полу чить оптически качественные изолирующие СЛОЙ из стекла тоньше 20 мкм, что ограничивает разрешающую способность ОУТ разрешающа способность способа по уровню 0,05 составл ет +0 Мин/мм). Кроме того, в процессе сошлифовки стекл нной пластины до требуемой толщины всегда наблюдаетс отступление от .плоскостности,. на ее поверхности возникают микроскопические дефекты .(царапины, трещины) ,что обуславливает возникновение.собственных оптических шумов ОУТ. Известный 3 способ изготовлени ОУТ вл етс тру доемким, что св зано с большим числом операций склейки и операци ми прецизионной полировки. Цель изобретени - повышение разр шающей способности и снижение уровн оптических шумов ОУТ, Указанна цель достигаетс тем, что согласно способу изготовлени оптически управл емого транспаранта включающему нанесение на прозрачные диэлектрические подложки электропровод щей пленки, изолирующего сло из стекла и склеивани подложек с полупроводниковой пластиной, изолирующий слой нанос т термическим испаре нием гранул боросиликатного стекла диаметром 0-70 мкм в вакууме при темперауре испарител 2000-2 00 °С, температуре подложки ПО-ТЗО С, скорость испарени 0,А-0,5 мкм/мин, Темпефатура испарител поддерживаетс Е1 пределах 2000-21 „ что юбеспечивает режим взрывного испаре ни (при более низких температурах образуетс расплав, а при более высоких происходит интенсивное испаре ние частиц от разогретого испарител ) . Испар емое вещество подают на ис паритель из вибробункера в виде гра нул диаметром 40-70 мкм, так как стекло с данным гранулометрическим составом обладает оптимальной сыпучестью и минимальным газосодержанием Температуру подложки поддерживают в пределах 110-130°С. Нижний предел обеспечивает адгезию, а верхний сплошность пленки. Скорость испарени выдерживают в пределах О,-0 5 мкм/м Предлагаемый способ позвол ет по ледовательно наносить на подложку прозрачный электрод (электропровод и4ую пленку , изолирунэщий стекл нный слой в едином техническом цикле в од ной и той же установке вакуумного на пылени без выноса подложки на воздух , что существенно упрощает технол гию изготовлени ОУТ. На чертеже представлено получаемое многослойное иЗделие (ОУТ) . Изделие содержит полупроводниксвуго пластину, оптический клей 2, изолирующую пленку 3, контактную площадку , электропровод щую пленк прозрачные подложки 6, На полированную плоскую прозрачную подложку, выполненную из стек ) ла К-8, в вакууме напыл ют эпе-стропроаод щую пленку ,+ SnOi толщиной 100-500, по стандартной технологии, затем на нее нанос т пленку боросиликатного стекла толщиной 1-2 мкм методом термического испарени в вакууме. Затем между двум полученными структурами со стороны изолирующих слоев стекла вклеивают с помощью оптического кле КО-1 полупроводниковую пластину из В . Технологические параметры процесса следующие. Температура испарител , С 2050 Диаметр гранул , мкм55 Температура подложки,С 120 Скорость испарени , мкм/минО,5 Разрешающа способность транспаранта , изготовленного по предложенному способу, по уровню 0,05 составл ет l80 мин/мм. Предлагаемый способ позвол ет получить изолирующие слои толщиной до 1-10 мкм, за счет чего разрешающа способность ОУТ увеличиваетс по сравнению с известным. Стекл нные слои, изготовленные методом термического испарени в вакууме , однородны по толщине, оптическим и диэлектрическим свойствам. В них отсутствуют упом нутые дефекты. Исключаетс загр знение поверхности контакта электрода и стекла во врем нахождени подложки с электродом на воздухе. Уменьшаетс количество клеевых прослоек в ОУТ. Все это способствует снижению уровн оптических шумов устройства. Помимо технологичности боросиликатное стекло вл етс материалом, наиболее пригодным дл осуществлен / предлагаемого способа, так как оно в виде пленки обладает высокой диэлектрической проницаемостью (около 10), высоким удельным сопротивлением (около 10 - .м , высоким пробивным напр жением (пор дка 10 В/см,. Пленка боросиликатного стекла обладает высокой механической прочн(к;тью и адгезией к подложке.The invention relates to optical information processing, in particular, to a method for manufacturing devices for spatial-temporal modulation of light. A known method of manufacturing an optically controlled transparency (OUT) in the form of a symmetric MDP structure, according to which a semiconductor wafer made of a material with photoelectro-optical properties (Bi, Bi) is deposited on both sides of a semiconductor plate and a transparent platinum electrode. This method is as low as the mechanical strength of the structure as a whole, especially when using semiconductor plates with a thickness of about 100 m, and the insecurity of the conductive and insulating layers. The closest in technical essence and the achieved result to the proposed is a method including the manufacture of two identical structures by spraying an electrically conductive film on a transparent dielectric substrate, gluing a glass plate over it to the required thickness, after which a semiconductor plate is glued between two structures SiO-j, Bi., Ft GeOnn) 2 However, in this way it is difficult to obtain optically high-quality insulating LAYER from glass thinner than 20 μm, which limits the resolution UT resolution of the method according to the level of 0.05 is 0 Min / mm). In addition, in the process of grinding the glass plate to the required thickness, there is always a deviation from the flatness. microscopic defects appear on its surface. (scratches, cracks), which causes the occurrence of intrinsic optical noise of OUT. The known 3 method of manufacturing OATs is labor intensive, which is associated with a large number of gluing operations and precision polishing operations. The purpose of the invention is to increase the breaking capacity and reduce the optical noise level of OATs. This goal is achieved in that according to the method of manufacturing an optically controlled transparency involving applying an electrically conductive film, an insulating glass layer and gluing the substrates to a semiconductor plate on transparent dielectric substrates, an insulating layer applied by thermal evaporation of borosilicate glass granules with a diameter of 0-70 µm in vacuum at an evaporator temperature of 2000-200 ° C, substrate temperature PO-TSO C, the evaporation rate is 0, A-0.5 µm / min, the evaporator temperature is maintained at an E1 range of 2000–21 that confirms the explosive evaporation mode (at lower temperatures a melt forms, and at higher temperatures there is an intense evaporation of particles from the heated evaporator). The vaporized substance is fed to the evaporator from the vibro-hopper in the form of granules with a diameter of 40-70 μm, since glass with a given particle size composition has an optimal flowability and minimal gas content. The substrate temperature is maintained within 110-130 ° С. The lower limit provides adhesion, and the top continuity of the film. The evaporation rate is maintained within O -0 5 µm / m. The proposed method allows one to successively apply a transparent electrode onto the substrate (an electrical conductor film, an insulating glass layer in a single technical cycle in the same vacuum unit on the dust without removing the substrate the air, which greatly simplifies the technology of manufacturing OUT. The drawing shows the resulting multi-layer production (OUT). The product contains a semiconductor / wafer, optical adhesive 2, insulating film 3, contact pad, Transparent substrates 6, A K-8 polished flat transparent substrate was coated in a vacuum with an e-stroped film + 100-500 thick SnOi according to standard technology, then borosilicate is applied to it glass thickness of 1-2 microns by thermal evaporation in vacuum. Then, between the two structures obtained, on the side of the insulating layers of glass, a semiconductor wafer B is glued with the aid of the optical adhesive KO-1. The technological parameters of the process are as follows. Evaporator temperature, C 2050 Diameter of granules, µm55 Substrate temperature, C 120 Evaporation rate, µm / minO, 5 The resolution of the transparency produced by the proposed method at a level of 0.05 is l80 min / mm. The proposed method allows to obtain insulating layers with a thickness of up to 1-10 microns, due to which the resolution of the CRF is increased in comparison with the known. Glass layers manufactured by thermal evaporation in a vacuum are uniform in thickness, optical and dielectric properties. These defects are absent. Contamination of the contact surface of the electrode and glass is excluded while the substrate with the electrode is exposed to air. The number of adhesive interlayers in OATs is reduced. All this contributes to reducing the optical noise level of the device. In addition to processability, borosilicate glass is the most suitable material for the implemented / proposed method, since it has a high dielectric constant (about 10), high specific resistance (about 10 - m, high breakdown voltage (about 10 V) in the form of a film). / cm. Borosilicate glass film has a high mechanical strength (to; tju and adhesion to the substrate.
5920059200
Оптически управл емые транспаранты , изготовленные предлагаемым способом ,могут быть использованы, например в качестве устройств ввода в системы когерентной обработки оптической ин- 5 формации или в качестве оптически, перестраиваемых пространственных фильтров. Испытание опытных образцов ОУТ, изготовленных по предлагаемой технологии, дает положительные ре-Ю зультаты, в частности достигнута .частота циклов 10 кГц при длительности импульса напр жени 10 мкс и энергии экранировани пор дка 10 -10 Дж/см .Optically controlled transparencies made by the proposed method can be used, for example, as input devices in systems for coherent processing of optical information or as optically tunable spatial filters. Testing of prototypes of OATs manufactured according to the proposed technology yields positive results, in particular, a frequency of 10 kHz cycles was achieved with a voltage pulse duration of 10 µs and shielding energy of the order of 10 -10 J / cm.