IS X-44 4 S. J Изобретение относитс к оптоэлек ронике, в частности к технологии изготовлени преобразователей телевизионных изображений и может быть использовано дл создани устройств ввода, преобразовани и пространственной модул ции света. Известен способ изготовлени преобразователей телевизионных изо ражений на основе структур, содержа 1ЦИХ фоточувствитёльный и электрооптический слои, заключенные между прозрачными электродами. В данном способе монокристалличе ка пластина полупроводника полируетс с обеи- сторон до толщины 150200 мкм. Поверхность кристалла подвергаетс протравливанию, что необходимо дл сн ти дефектного поверх ностного сло толщиной примерно 1 мк Затем на обеих сторонах полупроводниковой пластины образуютс тонкие (0,2 мкм) слои диэлектрика, например , термическим окислением в сухом и влажном кислороде или осаждением из газовой фазы твердых слоев диэлектриков . Поверх одного из диэлектриков наноситс провод щий пол прозрачный слой, например никелевый К другому диэлектрику примыкает электрооптический слой, например электролюминофор, который осаждают химическим способом из раствора. Та КИМ образом формируетс преобразова тель изображени . Такой способ создани преобразов телей изображений обладает следующи недостатком. Укaзaннa технологи не позвол ет изготовить полупроводниковый слой дл преобразователей толщиной менее 150 мкм, поскольку уже при этих толщинах поверхность полупроводниковой пластины обладает . значительной кривизной, а при меньших толщинах кристалл не обладает необходимой механической прочностью Преобразователи изображений, создан ные по указанной технологии, обладают малой разрешающей способностью низким оптическим качеством. Наиболее близким техническим реш нием к данному изобретению вл етс способ, при котором на две стекл нные подложки нанос т прозрачный эле тропровод щий слой SnOj толщиной около 0,04 мкм и поверхностны сопротивлением около 30 Ом/квадрат, затем на одну из подложек на токопровод щий слой нанос т методом термического напылени в вакууме слой сульфида кадми толщиной 16 мкм. Режим нанесени сло сульфида кадми (температура подложки, скорость напылени ) выбраны так, что при напылении поверх сло сульфида кадми последующего сло теллурида кадми , образуетс плавна варизонна структура с фоточувствительностью в области 500-520 нм. Поверх токопровод щего сло на второй подложке нанос т вакуумным напылением слой двуокиси кремни , который вл етс ориентирующим покрытием дл жидкого кристалла, который заливаетс в промежуток, образованный с помощью прокладок между первой и второй подложкой. Недостатками такого способа изготовлени преобразователей изображений вл ютс : больша сложность создани фоточувствительного тонкопленочного гетероперехода с варизонной структурой; технологи не обеспечивает повтор емости результатов в серии образцов и однородности свойства по площади дл единичного образца; узкий спектральный диапазон чувствительности преобразователей изображени . Целью изобретени вл етс упрощение технологии и улучшение качества преобразователей. Цель достигаетс тем, что дл формировани фоточувствительного СЛОЯ на диэлектрический слой приклеивают полированную и протравленную с приклеиваемой стороны пластину полупроводника и полируют ее до толщины 10-100 мкм. Последовательность выполнени предлагаемого способа по сн етс чертежом. На чертеже изображены подложка 1 (стекло, плавленный кварц), прозрачное провод щее покрытие 2, диэлектрический слой 3 (двуокись кремни , двуокись титана), пластина 4 полупроводникового монокристалла, жидкий кристалл 5, подложка 6 с провод пщм покрытием. Фоточувствительный слой выполн етс следующим образом. На подложку. 1 из плавленного кварца толщиной 10 мМ и диаметром 40 мм нанос т провод щее прозрачное покрытие 2 из + 9% SnOg методомIS X-44 4 S. J. The invention relates to optoelectronics, in particular, to the technology of making television image transducers and can be used to create input devices, transform and spatial modulation of light. There is a known method of manufacturing television image converters based on structures, containing 1CH of photosensitive and electro-optical layers enclosed between transparent electrodes. In this single crystal method, the semiconductor wafer is polished on both sides to a thickness of 150200 microns. The surface of the crystal is etched, which is necessary to remove a defective surface layer with a thickness of about 1 micron. Then thin (0.2 µm) dielectric layers are formed on both sides of the semiconductor wafer, for example, by thermal oxidation in dry and wet oxygen or by solid phase deposition from the gas phase. dielectric layers. A conductive floor is applied over one of the dielectrics, a transparent layer, such as nickel. An electro-optical layer, such as an electroluminophore, which is chemically deposited from a solution, is adjacent to the other dielectric. That CIM image converter is formed. This method of creating image converters has the following disadvantage. The above technology does not allow fabrication of a semiconductor layer for transducers with a thickness of less than 150 microns, since even at these thicknesses the surface of the semiconductor wafer has. significant curvature, and at smaller thicknesses the crystal does not have the necessary mechanical strength. Image converters created using this technology have low resolution and low optical quality. The closest technical solution to this invention is a method in which a transparent electrically conductive layer of SnOj with a thickness of about 0.04 µm and surface resistance of about 30 ohms / square, and then one of the substrates is applied to the conductive layer on two glass substrates. the layer is applied by thermal spraying in vacuum a cadmium sulfide layer with a thickness of 16 microns. The mode of deposition of the sulfide layer of cadmium (substrate temperature, deposition rate) is chosen so that when a subsequent layer of cadmium telluride is sprayed over the cadmium sulfide layer, a smooth graded-gap structure is formed with photosensitivity in the range of 500-520 nm. On top of the conductive layer on the second substrate, a layer of silicon dioxide is deposited by vacuum deposition, which is an orienting coating for the liquid crystal, which is poured into the gap formed by the spacers between the first and second substrates. The disadvantages of such a method of manufacturing image converters are: the great difficulty of creating a photosensitive thin-film heterojunction with a graded gap structure; the technology does not provide repeatability of results in a series of samples and uniformity of the property over the area for a single sample; narrow spectral range of sensitivity of image converters. The aim of the invention is to simplify the technology and improve the quality of the converters. The goal is achieved by gluing a semiconductor wafer polished and etched from the side to be glued onto a dielectric layer to form a photosensitive LAYER and polish it to a thickness of 10-100 microns. The sequence of the proposed method is illustrated in the drawing. The drawing shows substrate 1 (glass, fused quartz), transparent conductive coating 2, dielectric layer 3 (silicon dioxide, titanium dioxide), semiconductor single crystal plate 4, liquid crystal 5, substrate 6 with a pc coated wire. The photosensitive layer is as follows. On the substrate. 1 of fused silica with a thickness of 10 mM and a diameter of 40 mm applied a conductive transparent coating 2 of + 9% SnOg method
электронно-лучевого испарени в вакууме . Это покрытие имело толщину О,1 мкм и поверхностное сопротивление 65 Ом/квадрат. Поверх провод щего сло нанос т методом химического осаждени 4-х слойное композиционное покрытие 3 из двуокиси титана двуокиси кремни общей толщиной 0,35 мкм. Пластину 4 кремни толщиной 2 мм и диаметром 2 см полируют с одной стороны по оптическому классу точности (шероховатость поверхности менее 0,04 мкм, отклонение от плоскости менее 1 мкм). Обработкой кремни в полирующем травителе СР-4А снимают поверхностный поврежденный слой и этой поверхностью кле т полупровод никовый кристалл к диэлектрическому слою. Затем полупроводниковый кристалл полируетс до толщины 20 мкм и травитс . Этот фоточувствительный слой используетс совместно со слоем жидкого кристалла 5 толщиной 2 мкм. В качестве последнего примен ют смесь азоксисоединений с эфиронитрилом .electron beam evaporation in a vacuum. This coating had a thickness of 0 μm and a surface resistance of 65 ohms / square. A 4-layer composite coating 3 of titanium dioxide and silicon dioxide with a total thickness of 0.35 µm is deposited over the conductive layer by chemical deposition. Silicon plate 4 with a thickness of 2 mm and a diameter of 2 cm is polished on one side according to the optical accuracy class (surface roughness less than 0.04 μm, deviation from the plane less than 1 μm). By treating the silicon in the polishing etchant of CP-4A, the surface damaged layer is removed and with this surface a semiconductor crystal is glued to the dielectric layer. Then the semiconductor crystal is polished to a thickness of 20 microns and etched. This photosensitive layer is used together with a layer of liquid crystal 5 with a thickness of 2 microns. As the latter, a mixture of azoxy compounds with ether nitrile is used.
Насто щее изобретение позвол ет преобразовать телевизионные изображени в реальном времени с высокой оптической однородностью.The present invention allows for the conversion of real-time television images with high optical uniformity.