SU898357A1 - Датчик Холла - Google Patents
Датчик Холла Download PDFInfo
- Publication number
- SU898357A1 SU898357A1 SU802927725A SU2927725A SU898357A1 SU 898357 A1 SU898357 A1 SU 898357A1 SU 802927725 A SU802927725 A SU 802927725A SU 2927725 A SU2927725 A SU 2927725A SU 898357 A1 SU898357 A1 SU 898357A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- hall
- sensor
- electrodes
- slot
- magnetically sensitive
- Prior art date
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к магнитным измерени м, и может быть исполь зовано в бесконтактных измерител х малых перемещений и поворотов, измерител х тока и электрической мощности , а также в других устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известен датчик Холла, содержащий полупроводниковую пластину , холловские и токовые электроды, один из которых расщеплен на два отдельных канала размером, проход щим вдоль токо вой оси симметрии датчика ло линии, соедин ющей ближайшие к нему кра холловских электродов. Така конструкци датчика Холла полностью устран ет напр жение неэквипотенциальности путем небольшого перераспределени управл ющих токов в каналах датчика. Напр жение неэквипотенциальности в этом случае компенсируетс регулируемым поперечным падением напр жени , возникающим в области максимального 11скривлени силовых линий управл юшего тока на участке между холловскими электродами р J.
Недостатками этого датчика вл ютс значительна величина его соответственно магнитного пол по сравнению с измер емым магнитным полем, что снижает точность измерений. Кроме того, эффективное значение управл ющего тока такого датчика зависит от степени искривлени силовых линий управл ющего тока в области холлоС кик электродов и будет тем меньше, чем больше это искривление, т.е. в конечном итоге, чувствительность датчика Холла измен етс в процессе устранени его напр жени неэквипотенциальности .
Цель изобретени - повышение точности измерений.
Эта цель достигаетс тем, что в датчике Холла, содержащем полупроводниковую пластину, холловские и токовые электроды, один из которых расщеплен на два канала прорезью, проход щим вдоль оси симметрии датчика ортогонально линии, соедин ющей холловские электроды и дел щей датчик на два канала, каждый из каналов дат чика выполнен в виде бифил ра из маг ниточувствительной области с проводи . мостыо, противоположной проводимости полупроводниковой пластины, на котоx рой поверх сло изолирующего материа ла расположена токопровод ща дорожка , соедин юща край магниточувствительной области, расположенный со стороны прорези, с соответствующим контактом расщепленного токового электрода, а общий конец магниточувствительных областей соединен с контактом нерасщепленного токового элек трода, при этом длина L прорези, рас щепл ющей токовый электрод удовлетво р ет условно L аУ2 + Ь, где L - длина прорези; а - ширина холловского электрода; b - рассто ние между линией, проход щей через центры хол , ловских электродов и разделенным краем полупроводниковой пластины. На фиг. 1 приведен пример выполнени датчика Холла; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1. Датчик Холла состоит из пластины основани 1, изготовленной из слаболегированного монокристаллического кремни определенного типа проводимости , например Р-типа, и имеющий относительно высокое удельное сопротивление (.например, дес тки и более ). Пластина. Т покрыта сверху за пщтным слоем 2 окиси кремни . В полу проводниковой пластине 1 методами апанерной технологии, например диффузией фосфора, сформированы магнито чувствительные области 3 и 4 с проводимостью п-типа и средним удельным электрическим сопротивлением не мене 1 Ом(СМ. Магниточувствительные облас ти 3 и 4 имеют общий участок - пере мычку 5. На внешних или внутренних сторонах (в зависимости от конструктивного исполнени датчика Холла ) магниточувствительных областей 3 и 4 имеютс узкие выступы, ширина кото рых не менее чем в три раза меньше ширины наиболее узкого канала датчика . Выступы выполн ют функции коллов ских электродов 6 и 7 датчика. Рассто ние от перемычки 5 до ближайших к ней краев холловских электродов 6 и 7 составл ет не менее суммарной ширины каналов датчика. Над магниточувствительными област ми 3 и 4, электродами 6 и 7 расположен тонкий (0,5-1,0 мкм) слой 8 изолирующего материала, например фосфорно-силикатного стекла. Поверх сло 8 сформированы , например, напьшением алюмини в вакууме с последующей фотогравировкой , токопровод щие дорожки 9 и 10. Эти дорожки перекрывают соответствующие им магниточувствительные области 3 и 4 по крайней мере в области расположени холловских электродов датчика . Кажда из токопровод щих дорожек через окно в слое 8 контактирует с краем соответствующей ей магниточувствительной области 3 или 4, расположенным со стороны начала разреза и соедин ет их с контактными площадками 11 или 12, соответственно расщепленного токового электрода. Перемычка 5 магниточувствительных областей 3 и 4 через окно в слое 8 соединена токопровод щей дорожкой I3 с контактной площадкой 14 нерасщепленного токового электрода. Расширенные концы холловских электродов 6 и 7 через окна в слое 8 соединены токопровод щими дорожками 15 и16 с контактными площадками 17 и 18 холловских электродов датчика. Источник 19 тока соединен с контактной площадкой 14 и через переменный резистор 20 - с контактными площадками 11 и 12 расщепленного токового электрода. Датчик Холла работает следующим образом. При подключении токовых электродов датчика к источнику 19 тока с помощью переменного резистора 20, выполн ющего функции .распределител тока в каналах датчика, в магниточувствительных област х 3 и 4 возникают управл ющие токи J. KJ , соответственно . При по влении магнитного пол в каналах 3 и 4 индуцируетс ЭДС Холла котора в каждом канале пропорхщональ на величине управл ющего тока через этот канал и той составл ющей магнитного пол , котора ортогональна как к плоскости пластины 1, так и к силовым лини м тока в области расположени холловских электродов 6 и 7.
58983576
Между контактными площадками 17 и Использование предлагаемого д гтчи18 устанавливаетс следующа разность ка Холла повышает точность измерени
потенциалов
0.5 (E.-UJ/,
и
вых где U-. .у напр жение между контактными площадками 17 и 18 датчика; Е - ЭДС Холла датчика; Ufl - напр жение неэквипотенциальности датчика. Величина и пол рность ЭДС Холла датчика с одинаковыми магниточувствйтельными област ми 3 и 4 определ етс следующим выражением Е. 0.5§ В fJ, .1), где Rh - посто нна Холла дл магниточувствительных областей 3 и 4; d -эффективна толщина магнито чувствительных областей 3 и В - вектор магнитной индукции в области холловских электр дов датчика. Кажда из магниточувствительных областей датчика вместе с расположен ной над нею токопровод щей дорожкой 9 или 10 образует бифил р, собственное поле которого лежит в плоскости пластины 1, т. е. ортогонально к измер емой датчиком .компоненте внешнег магнитного пол . За счет этого и достигаетс повышение точности измерений магнитных полей. Кроме того, силовые линии токов Jj и J в каналах 3 и 4 датчика Холла в области холлов ких электродов6 и 7 практически не искривл ютс , а суммарна величина этих токов остаетс неизменной при ;любом распределении этих токов по каналам датчика. Вследствие этого эффективное значение управл ющего тока датчика и его чувствительност остаютс посто нными.
Claims (1)
- магнитных полей более, чем в два ра за по сравнению с известным устрой$ ством. Формула изобретени Датчик Холла, содержащий полупроводниковую пластину, холловские и токовые электроды, один из которых разделен на два контакта прорезью, проход щей вдоль оси симметрии датчика ортогонально линии, соедин ющей холловские электроды и дел щей датчик на два канала, отличающийс тем, что, с целью повышени точности измерений, каждый из каналов датчика выполнен в виде бифил ра из магниточувствительной области с проводимостью, противоположной проводимости полупроводниковой пластины, на которой поверх сло изолирующего материала расположена токопровод ща дорожка, соедин юща край магниточувствительной области, расположенный со стороны прорези, с соответствующим контактом расщепленного токового .электрода, а общий конец магниточувствительных областей соединен с контактом нерасщепленного токового электрода , при этом длина L прорези, раздел ющей токовый электрод удовлетвор ет условно L 7 - b где L - длина прорези; а ,- ширина холловского электро да; b - рассто ние между линией, проход щей через центры холловских электродов и разделенным краем полупроводниковой пластины. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 646283, кл. G О R 33/06, 1977.J,2Q32i/f7%/лS A-Av/ Q
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802927725A SU898357A1 (ru) | 1980-05-22 | 1980-05-22 | Датчик Холла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802927725A SU898357A1 (ru) | 1980-05-22 | 1980-05-22 | Датчик Холла |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU898357A1 true SU898357A1 (ru) | 1982-01-15 |
Family
ID=20896968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802927725A SU898357A1 (ru) | 1980-05-22 | 1980-05-22 | Датчик Холла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU898357A1 (ru) |
-
1980
- 1980-05-22 SU SU802927725A patent/SU898357A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4603365A (en) | Magnetic detection apparatus | |
EP0591113B1 (en) | Magnetic position sensor | |
US3973182A (en) | Method and apparatus for detecting uneven magnetic field by hall effect in semiconductor | |
JP3602611B2 (ja) | 横型ホール素子 | |
JPH06294854A (ja) | センサチップ | |
JPH01251763A (ja) | 縦型ホール素子と集積化磁気センサ | |
EP1107327A2 (en) | Semiconductor current detector of improved noise immunity | |
GB2034053A (en) | Magneto resistive displacement sensors | |
JPH08211138A (ja) | センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置 | |
US4103227A (en) | Ion-controlled diode | |
US5034796A (en) | Simplified current sensing structure for MOS power devices | |
JPH06130088A (ja) | 電流センサ | |
SU898357A1 (ru) | Датчик Холла | |
JPH07190804A (ja) | 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置 | |
WO1997009742A1 (en) | Switched magnetic field sensitive field effect transistor device | |
JPH0226166B2 (ru) | ||
GB1073235A (en) | Travel sensing devices employing hall generators | |
JPH01239490A (ja) | 磁気像検出装置 | |
US8717015B2 (en) | Linear-with-magnetic field magnetoresistance device | |
SU883753A1 (ru) | Измеритель электрического тока в проводнике | |
SU922666A1 (ru) | Датчик Холла | |
JP2514394B2 (ja) | ショットキゲ―トのゲ―ト長または位置合せ精度の測定方法 | |
SU892379A1 (ru) | Устройство дл индукции магнитного пол | |
SU466549A1 (ru) | Способ считывани информации, записанной посредством цилиндрических доменов на магнитоодноосных пластинах | |
SU855557A1 (ru) | Магниточувствительный элемент |