SU898357A1 - Датчик Холла - Google Patents

Датчик Холла Download PDF

Info

Publication number
SU898357A1
SU898357A1 SU802927725A SU2927725A SU898357A1 SU 898357 A1 SU898357 A1 SU 898357A1 SU 802927725 A SU802927725 A SU 802927725A SU 2927725 A SU2927725 A SU 2927725A SU 898357 A1 SU898357 A1 SU 898357A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
hall
sensor
electrodes
slot
magnetically sensitive
Prior art date
Application number
SU802927725A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Георгиевич Харыбин
Вячеслав Николаевич Борщев
Юрий Михайлович Морозов
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6668
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6668 filed Critical Предприятие П/Я Р-6668
Priority to SU802927725A priority Critical patent/SU898357A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU898357A1 publication Critical patent/SU898357A1/ru

Links

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

I
Изобретение относитс  к магнитным измерени м, и может быть исполь зовано в бесконтактных измерител х малых перемещений и поворотов, измерител х тока и электрической мощности , а также в других устройствах автоматики и вычислительной техники.
Известен датчик Холла, содержащий полупроводниковую пластину , холловские и токовые электроды, один из которых расщеплен на два отдельных канала размером, проход щим вдоль токо вой оси симметрии датчика ло линии, соедин ющей ближайшие к нему кра  холловских электродов. Така  конструкци  датчика Холла полностью устран ет напр жение неэквипотенциальности путем небольшого перераспределени  управл ющих токов в каналах датчика. Напр жение неэквипотенциальности в этом случае компенсируетс  регулируемым поперечным падением напр жени , возникающим в области максимального 11скривлени  силовых линий управл юшего тока на участке между холловскими электродами р J.
Недостатками этого датчика  вл ютс  значительна  величина его соответственно магнитного пол  по сравнению с измер емым магнитным полем, что снижает точность измерений. Кроме того, эффективное значение управл ющего тока такого датчика зависит от степени искривлени  силовых линий управл ющего тока в области холлоС кик электродов и будет тем меньше, чем больше это искривление, т.е. в конечном итоге, чувствительность датчика Холла измен етс  в процессе устранени  его напр жени  неэквипотенциальности .
Цель изобретени  - повышение точности измерений.
Эта цель достигаетс  тем, что в датчике Холла, содержащем полупроводниковую пластину, холловские и токовые электроды, один из которых расщеплен на два канала прорезью, проход щим вдоль оси симметрии датчика ортогонально линии, соедин ющей холловские электроды и дел щей датчик на два канала, каждый из каналов дат чика выполнен в виде бифил ра из маг ниточувствительной области с проводи . мостыо, противоположной проводимости полупроводниковой пластины, на котоx рой поверх сло  изолирующего материа ла расположена токопровод ща  дорожка , соедин юща  край магниточувствительной области, расположенный со стороны прорези, с соответствующим контактом расщепленного токового электрода, а общий конец магниточувствительных областей соединен с контактом нерасщепленного токового элек трода, при этом длина L прорези, рас щепл ющей токовый электрод удовлетво р ет условно L аУ2 + Ь, где L - длина прорези; а - ширина холловского электрода; b - рассто ние между линией, проход щей через центры хол , ловских электродов и разделенным краем полупроводниковой пластины. На фиг. 1 приведен пример выполнени  датчика Холла; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1. Датчик Холла состоит из пластины основани  1, изготовленной из слаболегированного монокристаллического кремни  определенного типа проводимости , например Р-типа, и имеющий относительно высокое удельное сопротивление (.например, дес тки и более ). Пластина. Т покрыта сверху за пщтным слоем 2 окиси кремни . В полу проводниковой пластине 1 методами апанерной технологии, например диффузией фосфора, сформированы магнито чувствительные области 3 и 4 с проводимостью п-типа и средним удельным электрическим сопротивлением не мене 1 Ом(СМ. Магниточувствительные облас ти 3 и 4 имеют общий участок - пере мычку 5. На внешних или внутренних сторонах (в зависимости от конструктивного исполнени  датчика Холла ) магниточувствительных областей 3 и 4 имеютс  узкие выступы, ширина кото рых не менее чем в три раза меньше ширины наиболее узкого канала датчика . Выступы выполн ют функции коллов ских электродов 6 и 7 датчика. Рассто ние от перемычки 5 до ближайших к ней краев холловских электродов 6 и 7 составл ет не менее суммарной ширины каналов датчика. Над магниточувствительными област ми 3 и 4, электродами 6 и 7 расположен тонкий (0,5-1,0 мкм) слой 8 изолирующего материала, например фосфорно-силикатного стекла. Поверх сло  8 сформированы , например, напьшением алюмини  в вакууме с последующей фотогравировкой , токопровод щие дорожки 9 и 10. Эти дорожки перекрывают соответствующие им магниточувствительные области 3 и 4 по крайней мере в области расположени  холловских электродов датчика . Кажда  из токопровод щих дорожек через окно в слое 8 контактирует с краем соответствующей ей магниточувствительной области 3 или 4, расположенным со стороны начала разреза и соедин ет их с контактными площадками 11 или 12, соответственно расщепленного токового электрода. Перемычка 5 магниточувствительных областей 3 и 4 через окно в слое 8 соединена токопровод щей дорожкой I3 с контактной площадкой 14 нерасщепленного токового электрода. Расширенные концы холловских электродов 6 и 7 через окна в слое 8 соединены токопровод щими дорожками 15 и16 с контактными площадками 17 и 18 холловских электродов датчика. Источник 19 тока соединен с контактной площадкой 14 и через переменный резистор 20 - с контактными площадками 11 и 12 расщепленного токового электрода. Датчик Холла работает следующим образом. При подключении токовых электродов датчика к источнику 19 тока с помощью переменного резистора 20, выполн ющего функции .распределител  тока в каналах датчика, в магниточувствительных област х 3 и 4 возникают управл ющие токи J. KJ , соответственно . При по влении магнитного пол  в каналах 3 и 4 индуцируетс  ЭДС Холла котора  в каждом канале пропорхщональ на величине управл ющего тока через этот канал и той составл ющей магнитного пол , котора  ортогональна как к плоскости пластины 1, так и к силовым лини м тока в области расположени  холловских электродов 6 и 7.
58983576
Между контактными площадками 17 и Использование предлагаемого д гтчи18 устанавливаетс  следующа  разность ка Холла повышает точность измерени 
потенциалов
0.5 (E.-UJ/,
и
вых где U-. .у напр жение между контактными площадками 17 и 18 датчика; Е - ЭДС Холла датчика; Ufl - напр жение неэквипотенциальности датчика. Величина и пол рность ЭДС Холла датчика с одинаковыми магниточувствйтельными област ми 3 и 4 определ етс  следующим выражением Е. 0.5§ В fJ, .1), где Rh - посто нна  Холла дл  магниточувствительных областей 3 и 4; d -эффективна  толщина магнито чувствительных областей 3 и В - вектор магнитной индукции в области холловских электр дов датчика. Кажда  из магниточувствительных областей датчика вместе с расположен ной над нею токопровод щей дорожкой 9 или 10 образует бифил р, собственное поле которого лежит в плоскости пластины 1, т. е. ортогонально к измер емой датчиком .компоненте внешнег магнитного пол . За счет этого и достигаетс  повышение точности измерений магнитных полей. Кроме того, силовые линии токов Jj и J в каналах 3 и 4 датчика Холла в области холлов ких электродов6 и 7 практически не искривл ютс , а суммарна  величина этих токов остаетс  неизменной при ;любом распределении этих токов по каналам датчика. Вследствие этого эффективное значение управл ющего тока датчика и его чувствительност остаютс  посто нными.

Claims (1)

  1. магнитных полей более, чем в два ра за по сравнению с известным устрой$ ством. Формула изобретени  Датчик Холла, содержащий полупроводниковую пластину, холловские и токовые электроды, один из которых разделен на два контакта прорезью, проход щей вдоль оси симметрии датчика ортогонально линии, соедин ющей холловские электроды и дел щей датчик на два канала, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности измерений, каждый из каналов датчика выполнен в виде бифил ра из магниточувствительной области с проводимостью, противоположной проводимости полупроводниковой пластины, на которой поверх сло  изолирующего материала расположена токопровод ща  дорожка, соедин юща  край магниточувствительной области, расположенный со стороны прорези, с соответствующим контактом расщепленного токового .электрода, а общий конец магниточувствительных областей соединен с контактом нерасщепленного токового электрода , при этом длина L прорези, раздел ющей токовый электрод удовлетвор ет условно L 7 - b где L - длина прорези; а ,- ширина холловского электро да; b - рассто ние между линией, проход щей через центры холловских электродов и разделенным краем полупроводниковой пластины. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 646283, кл. G О R 33/06, 1977.
    J,2Q
    32
    i
    /
    f7
    %/л
    S A-A
    v
    / Q
SU802927725A 1980-05-22 1980-05-22 Датчик Холла SU898357A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802927725A SU898357A1 (ru) 1980-05-22 1980-05-22 Датчик Холла

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802927725A SU898357A1 (ru) 1980-05-22 1980-05-22 Датчик Холла

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU898357A1 true SU898357A1 (ru) 1982-01-15

Family

ID=20896968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802927725A SU898357A1 (ru) 1980-05-22 1980-05-22 Датчик Холла

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU898357A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4603365A (en) Magnetic detection apparatus
EP0591113B1 (en) Magnetic position sensor
US3973182A (en) Method and apparatus for detecting uneven magnetic field by hall effect in semiconductor
JP3602611B2 (ja) 横型ホール素子
JPH06294854A (ja) センサチップ
JPH01251763A (ja) 縦型ホール素子と集積化磁気センサ
EP1107327A2 (en) Semiconductor current detector of improved noise immunity
GB2034053A (en) Magneto resistive displacement sensors
JPH08211138A (ja) センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置
US4103227A (en) Ion-controlled diode
US5034796A (en) Simplified current sensing structure for MOS power devices
JPH06130088A (ja) 電流センサ
SU898357A1 (ru) Датчик Холла
JPH07190804A (ja) 磁気抵抗式センサ装置を備えた磁界測定装置
WO1997009742A1 (en) Switched magnetic field sensitive field effect transistor device
JPH0226166B2 (ru)
GB1073235A (en) Travel sensing devices employing hall generators
JPH01239490A (ja) 磁気像検出装置
US8717015B2 (en) Linear-with-magnetic field magnetoresistance device
SU883753A1 (ru) Измеритель электрического тока в проводнике
SU922666A1 (ru) Датчик Холла
JP2514394B2 (ja) ショットキゲ―トのゲ―ト長または位置合せ精度の測定方法
SU892379A1 (ru) Устройство дл индукции магнитного пол
SU466549A1 (ru) Способ считывани информации, записанной посредством цилиндрических доменов на магнитоодноосных пластинах
SU855557A1 (ru) Магниточувствительный элемент