SU896401A1 - Способ контрол шероховатости поверхности - Google Patents
Способ контрол шероховатости поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- SU896401A1 SU896401A1 SU792806884A SU2806884A SU896401A1 SU 896401 A1 SU896401 A1 SU 896401A1 SU 792806884 A SU792806884 A SU 792806884A SU 2806884 A SU2806884 A SU 2806884A SU 896401 A1 SU896401 A1 SU 896401A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- radiation
- plasma
- roughness
- wavelength
- spectrum
- Prior art date
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
Изобретение относится к контрольноизмерительной технике, в частности к оптическому контролю покрытия, получаемого в вакууме, и может быть использовано при разработке приборов контроля шероховатости поверхностей этих покрытий.
Известен способ определения чистоты поверхности (шероховатости) заключающийся в том, что направляют поток электронных лучей на экран и фотопластинку, касательно к поверхности детали, и по полученному теневому изображению действительного профиля микронервностей поверхности судят о чистоте поверхности (шероховатости) [1 ф
Недостатком известного способа является, то, что неровности определяются интегрально по всему профилю поверхности. Кроме того, в процессе ионно-плазменного напыления этот способ неприменим из-за рассеивания электронных лучей при их взаимодействии с плазмой.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ контроля шероховатости поверхности, заключающийся в том, что направляют излучение определенной длины волны на контролируемую поверхность и регистрируют излучение, отраженное от поверхности £2ф
Недостаток этого способа - невозможность осуществления контроля шероховатости напыляемости поверхности из-за помех, вносимых излучением плазмы, а также' процессом взаимодействия монохроматического излучения с плазмой.
Цель изобретения - контроль поверхности в процессе ионно-плазменного напыления.
Указанная цель достигается тем, что направляют сфокусированное монохроматическое излучение на контролируемую поверхность, выбирают излучение, длина · волны которого отлична от длины волны спектра плазмы на 2-3 полуширины линии спектра.
Способ заключается в следующем.
Направляют монохроматическое определенной длины волны излучение на конвоируемую поверхность, при этом для поддержания непрерывного контроля ше~ 5 роховатости одновременно с процессом ионно-плазменного напыления выбирают монохроматическое излучение, длина волны которого отлична от длины волны спектра плазмы на 2-3 полуширины линии .10 спектра плазмы, т.е. чтобы плазма была оптически прозрачной средой.
Отраженное от контролируемой поверхности излучение регистрируется.
Для удовлетворительной регистрации 15 отраженного излучения необходимо, чтобы интенсивность монохроматического излучения задавалась в 5-10 раз больше, чем интенсивность излучения плазмы в той же части спектра, что и спектральная W линия монохроматического излучения.
При рассеянии излучения на контролируемой поверхности меняется мощность регистрируемого сигнала, определяющая степень шероховатости поверхности. ^3
Таким образом, при реализации предлагаемого способа контроль шероховатос4 ти и напыления осуществляется одновременно.
Claims (2)
- Изобретение относитс к контрольноизмерительной технике, в частности к оптическому контролю покрыти , нолучае- мого а вакууме, и может быть использовано при разработке приборов контрол шероховатости поверхностей этих покрытий . Известен способ определени чистоты новерхности (шероховатости) заключа о-. шдйс в том, что направл ют поток элеК тронных лучей на экран и фотопластинку, касательно к поверхности детали, и по полученному теневому изображению действительного профил микронервностей noBepjcHocTH суд т о чистоте поверхности (шероховатости) 1.. Недостатком известного способа вл етс , то, что неровности определ отс илтегрально по всему профилю новерхности . Кроме того, в нроцессе ионио-плазменного напылени этот способ неприменим из-за рассеивани электронных луче при их взаимодействии с плазмой. Наиболее близким к изобретению по технической сущности вл етс способ контрол шероховатости поверхности, заключающийс в том, что направл ют излучение определенной длины волны на контролируемую поверхность и регистрирую излучение , отраженное от поверхности 2 J Недостаток этого способа - невозможность осуществлени контрол шероховатости . наньш е мости новерхности из-за помех, вносимых излучением плазмы, а также процессом взаимодействи монохроматического излучени с плазмой. Цель изобретени - контроль поверхности в процессе ионно-плазменного напылени . Указанна цель достигаетс тем, что направл ют сфокусированное монохроматическое излучение на контрошфуемую поBepxiiocTb , выбирают излучение, длина ВОЛ1ГЫ которого отлична от длины волны спектра плазмы на 2-3 полуццфины линии спектра. 389 Способ заключаетс в следующем. Направл ют монохроматическое определенной длины волны излучение на кон1ро;1Г11фуемую поверхность, при этом дл поддержани непрерывного контрол шероховатости одновременно с процессом ионно-плаэменного напылени выбирают монохроматическое излучение, длина волны которого отлична от длины волны спектра плазмы на 2-3 полуширины лйнии спектра плазмы, т.е. чтобы плазма была оптически прозрачной средой. Отраженное от контролируемой поверх ности излучение регистрируетс . Дл удовлетворительной регистрации отраженного излучени необходимо, чтобы интенсивность монохроматического излуч ни задавалась в 5-.10 раз больше, чем интенсивность излучени плазмы в той же части спектра, что и спектральна лини монохроматического излучени . При рассе нии излучени на контролируемой поверхности мен етс мощность регистрируемого сигнала, определ юща степень шероховатости поверхности. Таким образом, при {зеализадии предлагаемого способа контроль шероховатос 1 ти и напылени осуществл етс одновременно . Формула изобретени Способ контрол шероховатости поверхности , заключающийс в том, что направл ют излучение определенной длины волны на контролируемую поверхность ц регистрируют излучение, отраженное от поверхности, отл и чающий с тем, что, с целью контрол поверхности в процессе ио1шо-плазмеш1ого напылени , направл ют сфокусированное монохроматическое излучение на контролируемую поверхность, выбирают излучение, длина волны которого отлична от длины волны спектра плазмы на 2-3 полуширины линии спектра. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Авторское сввдетельство СССР № 111923, кл. q 01 В 11/30, 07.01.57.
- 2.Авторское свхщетельство СССР № 386238, кл. Q 01 В 11/ЗО, 26.09.73 (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792806884A SU896401A1 (ru) | 1979-07-30 | 1979-07-30 | Способ контрол шероховатости поверхности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792806884A SU896401A1 (ru) | 1979-07-30 | 1979-07-30 | Способ контрол шероховатости поверхности |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU896401A1 true SU896401A1 (ru) | 1982-01-07 |
Family
ID=20845128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792806884A SU896401A1 (ru) | 1979-07-30 | 1979-07-30 | Способ контрол шероховатости поверхности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU896401A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4939370A (en) * | 1987-11-02 | 1990-07-03 | Schering Aktiengesellschaft | Method of and device for inspecting and/or controlling metallization processes |
-
1979
- 1979-07-30 SU SU792806884A patent/SU896401A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4939370A (en) * | 1987-11-02 | 1990-07-03 | Schering Aktiengesellschaft | Method of and device for inspecting and/or controlling metallization processes |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10746531B2 (en) | Wear amount measuring apparatus and method, temperature measuring apparatus and method and substrate processing system | |
US9163931B2 (en) | Apparatus and method for measuring thickness and temperature and substrate processing system | |
US6974524B1 (en) | Apparatus, method and system for monitoring chamber parameters associated with a deposition process | |
US5371582A (en) | Thickness/depth measuring apparatus and method for measuring the thickness of a film and the depth of a groove | |
MX162872B (es) | Metodo y aparato para llevar a cabo mediciones del revestimiento de una superficie la cual contiene pigmento de hojuelas metalicas | |
KR910002616B1 (ko) | 광전입자 검출장치 | |
JPH0972723A (ja) | フィルムの厚さと屈折率を測定するための測定方法及び測定装置 | |
JP3308135B2 (ja) | インプロセス膜厚モニター装置及び方法 | |
SU896401A1 (ru) | Способ контрол шероховатости поверхности | |
TWI798614B (zh) | 光學臨界尺寸與光反射組合裝置、系統及方法 | |
FI903117A0 (fi) | Anordning foer maetning av dimensioner. | |
KR20000011448A (ko) | 투명재료의두께를측정하기위한방법및장치 | |
US4260259A (en) | Metal etch rate analyzer | |
JPS60202940A (ja) | 食刻深さ測定方法 | |
US4077723A (en) | Method of measuring thickness | |
JPS6073407A (ja) | 膜厚モニタ | |
KR100326491B1 (ko) | 전자기방사측정방법 | |
JPH0346386A (ja) | 反射防止皮膜の厚み制御方法及び装置 | |
JPH1062129A (ja) | 膜厚測定方法 | |
RU951938C (ru) | Способ определени температуры образцов полупроводниковых материалов | |
JP3067216B2 (ja) | 異物検査装置の使用方法 | |
JPS62255810A (ja) | 微少溝深さ測定方法および装置 | |
SU815485A1 (ru) | Способ определени толщиныпОКРыТи | |
JPS5752807A (en) | Device for measuring film thickness | |
JPS6323324A (ja) | ドライエツチング装置 |