SU887500A1 - Способ обработки поверхности изделий из стекла - Google Patents
Способ обработки поверхности изделий из стекла Download PDFInfo
- Publication number
- SU887500A1 SU887500A1 SU802904318A SU2904318A SU887500A1 SU 887500 A1 SU887500 A1 SU 887500A1 SU 802904318 A SU802904318 A SU 802904318A SU 2904318 A SU2904318 A SU 2904318A SU 887500 A1 SU887500 A1 SU 887500A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- glass
- bath
- treatment
- glass article
- article surface
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Description
данным способом приводит к значительное се неоднородности, степень экстракции нонов щелочных металлов неравномерна в разлнчных местах обрабатываемой поверхностн . Все это сннжает эффективность очнсткн II модификации иоверхности данным методом.
Целью изобретени вл етс повыше 1не степени очисткн поверхности и ее одиородиости , за счет экетракцпп загр знений л щелочных компонеитов из приповерхностного сло стекла.
Поставленна цель достигаетс тем, что струю пара с критерием Рей гольдса 250- 2300 направл ют вертикальио сверху-вниз иод углом 10-80°С к обрабатываемой новерхиости .
Иаиравлсиие иаровой струп растворител сверху - вниз и под углом к обрабатывае .мой поверхности полностью лнквпдирует застойные зоиы конденсата растворнтел , енособствует его эиергичиому и равиомериому нод,воду к поверхности и отводу загр зисниого конденсата.
Парова стру ирн критерии Рейиольдса до 2300 характеризуетс ламииариым нотоком в виде иараллельных струй, ие смегнивающнхс одна с другой. Понообменные ироцессы в системе пары растворител - приповерхноетный слой стекла протекает в данном случае наиболее полно и равномерно.
Поииженне критери Re ниже 250 резко сннжает степень механнческого воздействн паров растворнтел на обрабатываемую поверхность, что ухудщает качество ее очпеткн. Кроме того, степень и равномерность экстракции щелочных ионов практически не улучщаютс . Повышение значеии критери Re больще 2300 приводит к тому, что к ламинарному потоку пара добавл етс турбулентна составл юща . Это резко снижает равномерность воздействи паров растворител на обрабатываемую поверхность.
Кроме того, снижаетс степень химического воздействи растворнтел вследствие того, что растворитель, практически не успева вступить с обрабатываемой поверхностью в контакт, удал етс нз зоны обработки HOBoii порцией растворител .
Панравленне наровой струи под углом к обрабатываемой поверхиости менее 10° снижает стеиень механического воздействи и более 80° приводит к разбрызгиванию копдеисироваиного растворител и образованию на поверхности застойных зон, что ухудшает равномерность экстракции щелочных ионов нз нрнповерхностного сло стекла.
Прнмер 1. Стекл нные нластииы из нзвестковосиликатного стекла размером 127X127X2,1 мм после операции механнческой обработки и отмывки подвергают воздействию иаров изоиропилового спирта.
С этой целью -. в ванне с размерами 500 500 мм и глубиной 700 мм создают определенное давление паров нзонроннлового снирта иагреваиием его до 80°С. Затем
кассету со стекл нными нластинами помещают в нижнюю часть ванны. Угол наклона нластин к вертикали составл ет 10°.
В результате иарова етру , направленна сверху-вннз, конденсируетс иа обрабатываемой новерхностн; конденсат стекает на дно ванны. Критерий Рейнольдса наровой струн равен 250. Врем коиденеации составл ет 70 с. С целью удалени остатков конденсата с новерхности нластин путем иагреваи11 , наход щийс на дне ванны изонропиловый сиирт испар ют. Пластины доиолиителыю выдерживают в нарах в течение 30 с н извлекают нз ванны. Оценкой крнтерн Re скорость конденсации наров растворител нри заданных температурах и габарнтах ванны. Скорость конденсацин нзмер ют по скорости иеремеиденн границы конденсата на стенках ванны.
Пример 2. Стекл нные пластины из известковосилнкатного стекла размером 101022,5 мм после операции механической обработки и отмывки иодвергают воздействию иаров азеотроииой смеси следующего состава, вес. %:
Трифтортрихлорэтаи86,4
Ацетои12
Этиловый спирт1,6
С этой целью, в ванпе с размерами
400 400 мм и глубиной 700 мм создают определенное давление наров смеси нагреванием ее до 60°С. Затем кассету со стекл нными пластинами помещают в нижнюю часть ванны. Угол наклона нластин к вертнкали составл ет 45°С.
Критерий Рейнольдса паровой струи, конденсирующейс на обрабатываемой новерхиоети , составл ет 1275. Врем конденсации 13,5 с. Затем наход щийс на дне
ванны конденсат испар ют. Пластины доиолиительпо выдерживают в парах азеотропной смеси в теченне 40 с и извлекагот из ванны.
Прнмер 3. Стекл нные пластины из оптического бесцветиого боросиликатиого стекла размером 70 70 3,5 мм после операции механической обработки подвергают воздействию иаров трифтортрихлорэтана . С этой целью в ваине с размерамн
200 200 мм н глубиной 700 мм создают определенное давление паров трифтортрихлорэтаиа иагреваннем его до 50°С. Затем кассету с обрабатываемыми нластннами иомещают в нижнюю часть ванны. Угол
наклона пластин к вертикали 80°. Критерий Рейнольдса первой струи, конденсирующейс иа обрабатываемой поверхноети. равен 2300. Врем конденсацин 5 с. Затем наход щийс иа дне ванны конденсат испар ют . Пластниы дополнительно выдерживают в парах в течение 30 с п извлекают из ванны. Степень очистки поверхности стекл нных пластин контролируют после операции ианесепи маскируюидего сло (в даниом случае хрома) по количеству проколов в нем. Мерой однородности иоверхиости стекла служит количество локальных подтравов в маскирующем слое иосле стандартной операции фотолитографии .
Сравнительные данные по предлагаемому способу п по способу в прототипе 2 приведены в табл. 1.
Как видио из таблицы, иредлагаемый способ позвол ет значительно повысить качество обработки иовер.хности стекла перед оиерацией нанесени маскирующего сло , что делает его весьма перспективным, в частности, при изготовлении ирецизионных фотошаблонов.
Claims (2)
1.Патеит Франции № 2340915, кл. С 03 С 15/00, опублик. 1978.
2.Гласман Л. И. и др. Аппарат очистки хрупких иодложек в иарах органических растворителей. - «Электронна техника, сер. 7, Технологи , организаци производства и оборудование, вып. 1 (86), 1978, с. 14.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802904318A SU887500A1 (ru) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | Способ обработки поверхности изделий из стекла |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802904318A SU887500A1 (ru) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | Способ обработки поверхности изделий из стекла |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU887500A1 true SU887500A1 (ru) | 1981-12-07 |
Family
ID=20887248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802904318A SU887500A1 (ru) | 1980-04-04 | 1980-04-04 | Способ обработки поверхности изделий из стекла |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU887500A1 (ru) |
-
1980
- 1980-04-04 SU SU802904318A patent/SU887500A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0173449B1 (ko) | 기판 처리방법 및 그 장치 | |
US3957531A (en) | Two tank cleaning process using a contaminated cleaning mixture capable of forming an azeotrope | |
US6632751B2 (en) | Method and apparatus for liquid-treating and drying a substrate | |
KR930010232A (ko) | 철제부품의 세정방법 및 세정장치 | |
JPH11217237A (ja) | レーザ加工用ガラス基材及びレーザ加工方法 | |
JPS62188323A (ja) | 基板の洗浄並びに乾燥方法及び装置 | |
SU887500A1 (ru) | Способ обработки поверхности изделий из стекла | |
CN107225692A (zh) | 一种手机镜头保护片加工方法 | |
US4431683A (en) | Process for producing transparent electroconductive film | |
CN103532510B (zh) | 一种saw器件的腐蚀工艺 | |
US5815942A (en) | Vapor drying system and method | |
RU1445128C (ru) | Способ травления оптических деталей из стеклокристаллического материала | |
JP3266936B2 (ja) | 水除去用組成物及び物品の水除去方法 | |
JPH06120197A (ja) | 超音波洗浄乾燥装置 | |
JPH1085684A (ja) | フロートガラス基板表面の異物除去方法 | |
JPH04151835A (ja) | 洗浄乾燥方法 | |
JPS62198126A (ja) | 処理装置 | |
JPS6317484B2 (ru) | ||
JP2000038598A (ja) | 液切り乾燥用組成物およびそれを用いた液切り乾燥方法 | |
SU132374A1 (ru) | Способ упрочнени стекла | |
JPH06120196A (ja) | 超音波洗浄乾燥方法とその装置 | |
EP0002105A1 (en) | Process for increasing the solubility rate ratio of a positive-working resist | |
JPH04202028A (ja) | 板ガラスの洗浄法 | |
KR100539455B1 (ko) | 오존수를 사용하는 반도체장치 제조용 식각장치 | |
JPH0342074A (ja) | 乾燥方法 |