SU881877A1 - Self-checking storage device - Google Patents
Self-checking storage device Download PDFInfo
- Publication number
- SU881877A1 SU881877A1 SU802899901A SU2899901A SU881877A1 SU 881877 A1 SU881877 A1 SU 881877A1 SU 802899901 A SU802899901 A SU 802899901A SU 2899901 A SU2899901 A SU 2899901A SU 881877 A1 SU881877 A1 SU 881877A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- inputs
- bits
- outputs
- memory
- drive
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к вычисли- 1 тельной технике, а именно к запоминающим устройствам на многоразрядных панелях памяти с использованием интегральных запоминающих микросхем памяти со схемами обнаружения пакетных ошибок.The invention relates to computer technology, in particular to memory devices on multi-bit memory panels using integrated memory memory chips with packet error detection circuits.
Известно запоминающее устройство, содержащее блоки памяти, формирователи контрольных разрядов кода Хэмминга, формирователи проверочного ело-10 ва, дешифратор одноразрядных ошибок, схему обнаружения двухразрядных ошибок [ 1 ].Known memory device containing memory blocks conditioners check bits of the Hamming code, conditioners screening elo- 10 va, decoder single-bit errors, two-digit error detection circuit [1].
Недостатком указанного устройства является невозможность обнаружения многоразрядных пакетных ошибок, которые могут возникнуть при отказе многоразрядных панелей памяти, а также зависимость количества проверочных разрядов от количества информационных .The disadvantage of this device is the inability to detect multi-bit packet errors that can occur when multi-bit memory panels fail, as well as the dependence of the number of test bits on the number of information.
Известно устройство для кодирования и декодирования циклических кодов при передаче информации по каналам связи, использующее постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) и сумматор. Устройство требует большой избыточности для обнаружения ошибок, а также большой емкости ПЗУ или большого времени на декодирование [2]. Наиболее близким по технической сущности и схемному решению является информационная память, состоящая из М модулей памяти по В разрядов в каждом модуле, устройство контроля, состоящее из В блоков контроля по четности и обнаруживающее ошибки при отказе модуля памяти, т.е. до В разря· 15 дов [3] .A device for encoding and decoding cyclic codes when transmitting information over communication channels using read-only memory (ROM) and an adder. The device requires a lot of redundancy to detect errors, as well as a large ROM capacity or a large decoding time [2]. The closest in technical essence and circuit design is the information memory, consisting of M memory modules of B bits in each module, a monitoring device consisting of B parity blocks and detecting errors in the event of a memory module failure, i.e. to B category · 15 dov [3].
Недостатком указанного устройства являются излишние аппаратурные затраты за счет избыточности в контроль· 20 ных разрядах при обнаружении многократных детерминированных ошибок, имеющих ассиметричный характер и возникающих при отказе многоразрядных па3 целей памяти, что приводит к снижению надежности устройства.The disadvantage of this device is excessive hardware costs due to redundancy in the control of 20 digits upon detection of multiple deterministic errors of an asymmetric nature and arising from failure of multi-bit memory targets, which reduces the reliability of the device.
Цель изобретения - снижение аппаратурных затрат и повышение надежности устройства. 5The purpose of the invention is to reduce hardware costs and increase the reliability of the device. 5
Указанная цель достигается тем, что в запоминающее устройство с автономным контролем, содержащее накопитель, первые входы которого являются информационными входами устройства, ю а вторые входа накопителя подключены к выходам первого формирователя контрольных разрядов, первые выходы накопители являются информационными выходами устройства, а вторые выходы 15 накопителя подключены К первым входам блока контроля, вторые входы которого подключены к выходам второго формирователя контрольных разрядов, дополнительно введены первый постоянный накопитель, входы которого подключены к информационным входам устройства, а выходы - ко входам первого формирователя контрольных разрядов, и второй постоянный накопитель, входы которого подключены к первым выходам накопителя, а выходы - ко входам второго формирователя контрольных разрядов.This goal is achieved by the fact that in the storage device with autonomous control, containing a drive, the first inputs of which are the information inputs of the device, and the second inputs of the drive are connected to the outputs of the first driver of the control bits, the first outputs of the drives are information outputs of the device, and the second outputs 15 of the drive connected to the first inputs of the control unit, the second inputs of which are connected to the outputs of the second shaper control bits, additionally introduced the first constant first drive, whose inputs are connected to data input device, and outputs - to the inputs of the first driver control bits and a second permanent store whose inputs are connected to outputs of the first storage device, and outputs - to the inputs of the said second check digits.
На чертеже представлена блок-схема предлагаемого запоминающего устройства с автономным контролем.' .The drawing shows a block diagram of the proposed storage device with autonomous control. ' .
Предлагаемое устройство содержит накопитель 1, состоящий из МВ-разрядных модулей памяти на интегральных запоминающих микросхемах, информационные входы 2, первый постоянный накопитель 3, первый формирователь контрольных разрядов 4, информационные выходы 5, второй постоянный накопитель 6, второй формирователь контрольных разрядов 7 и блок контроля 8.The proposed device comprises a drive 1, consisting of MV-bit memory modules on integrated memory circuits, information inputs 2, a first permanent drive 3, a first driver of control bits 4, information outputs 5, a second permanent drive 6, a second driver of control bits 7 and a control unit 8.
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
С информационных входов 2 устройства на входы накопителя 1 поступает код числа, подлежащего записи в очередном цикле. Накопитель выполнен из М модулей памяти с разрядностью, рав? ной В. Постоянный накопитель 3 выполнен также из М модулей и на каждый из модулей поступает группа разрядов, соответствующая одному модулю накопителя 1. Число входов модулей постоянного накопителя 2 (они служат адресными входами) равно разрядности моду?From the information inputs of the device 2 to the inputs of the drive 1 receives the code of the number to be recorded in the next cycle. The drive is made of M memory modules with a capacity equal to? Noah V. Permanent storage 3 is also made of M modules and each group receives a group of bits corresponding to one module of storage 1. Is the number of inputs of the modules of permanent storage 2 (they serve as address inputs) equal to the capacity of the mode?
лей накопителя 1’, т.е. равно В. В связи с тем, что как для запоминающих микросхем, так и для модулей памяти характерен ассиметричный характер ошибок при возникновении отказов, то для всех слов, хранящихся в модуле постоянного накопителя 3, а их 2Ь , достаточно иметь всего В1 различных комбинаций (Bl =1+[1од2 В] , где[1одаВ)целая часть числа), если закодировать все 26 комбинации следующим образом: одна кодовая комбинация - 00...00drive leu 1 ', i.e. equal to B. Due to the fact that both memory chips and memory module is characterized by asymmetrical errors in the event of failures, for all the words that are stored in persistent storage unit 3, and their 2 b, enough to have all the different combinations of B1 (Bl = 1 + [1od 2], where [1od and B) the integer part) if 2 encode all 6 combinations as follows: one codeword is - 00 ... 00
и т.д. - ...etc. - ...
одна кодовая комбинация - 1 1 ... 1 1one code combination - 1 1 ... 1 1
Т.е. для кода из В разрядов необходимо всего (2е+1) комбинация для того, чтобы после отказа можно было 30 бы обнаружить ошибку, кратностью до В разрядов в пределах одной панели памяти. Следовательно, разрядность . слова, хранящегося в модуле постоянного накопителя 3, определяется из выражения: Bl = ,l + [log2Bj.Those. for code bits of B must likely (e 2 1) a combination in order to failure after it was possible to detect an error 30, the multiplicity to B bits within a memory panel. Therefore, bit depth. words stored in the module of the permanent drive 3, is determined from the expression: Bl =, l + [log 2 Bj.
Полученные М групп по В1 разрядов с первого этапа кодирования поступают на первые формирователи конт. рольных разрядов 4, где производится 40 второй этап кодировки по следующему алгоритму: первые разряды кодов из М модулей постоянного накопителя 3 поступают на 1-ый формирователь четности. Вторые разряды кодов из М мо45 дулей постоянного накопителя 3 поступают на 2-ой формирователь четности. И так далее. На Bl-ый формирователь с М модулей постоянного накопителя 3 поступают В1-ые разряды. Все В1-ые 50 формирователи четности определяют четность поступивших на их входы комбинаций, и затем полученные Bl-ые разряды контрольного кода записываются в контрольные разряды накопителя 1.Received M groups of B1 bits from the first stage of coding go to the first shapers cont. role categories 4, where the second stage of coding is performed 40 according to the following algorithm: the first bits of codes from the M modules of the permanent drive 3 are fed to the first parity generator. The second category of codes from M mo 45 barrels of the permanent drive 3 are fed to the 2nd parity generator. Etc. The Bl-th shaper with M modules of the permanent drive 3 receives the B1-th bits. All B1st 50 parity generators determine the parity of the combinations received at their inputs, and then the received Blth digits of the control code are written to the control digits of drive 1.
55 При этом количество контрольных разрядов, необходимых для обнаружения ошибок до В разрядов, каждого модуля В1<В. При декодировании информацион5 ные разряды поступают на входы второго постоянного накопителя 6 теми же группами, что и на входы первого постоянного накопителя 3. Первый этап кодировки производится аналогично постоянному накопителю 3. Далее М групп по BI контрольных разрядов поступают на входы второго формирователя контрольных разрядов 7, где аналогично первому формирователю 4 производится определение В 1-го разряда, которые поступают затем на одну группу входов блока контроля 8, на другую группу входов которого поступают выходы контрольных разрядов накопителя 1, где и производится выработка сигнала ошибки, если коды не совпадают . 55 In this case, the number of control bits required to detect errors up to B bits of each module B1 <B. When decoding, information bits enter the inputs of the second permanent drive 6 in the same groups as the inputs of the first permanent drive 3. The first coding stage is performed similarly to the constant drive 3. Next, M groups of BI control bits go to the inputs of the second driver of control bits 7, where, similarly to the first shaper 4, the 1st category B determination is made, which then enter the one group of inputs of the control unit 8, the control group outputs the other inputs of which bits of drive 1, where the error signal is generated if the codes do not match.
Рассмотрим один из возможных конкретных вариантов. Пусть В=4. Тогда кодировка на первом постоянном накопителе 3 может выглядеть так:Consider one of the possible specific options. Let B = 4. Then the encoding on the first permanent drive 3 may look like this:
1. 0000-0001. 0000-000
2. 0001 . 0010 0ί00-001 10002,0001. 0010 0ί00-001 1000
3., 001 1 0101 1001 0110-010 1010 11003., 001 1 0101 1001 0110-010 1010 1100
4. 01114 0111
101 I 1101-01I 1110 ,5. 11 1-100 В=4 В1=3101 I 1101-01I 1110.5. 11 1-100 V = 4 V1 = 3
Поскольку, учитывая характер ощи- , бок в микросхемах памяти и модулях памяти, при отказе слово, принадлежащее одной группе, может перейти только в другую группу, то естественно, оно имеет другой контрольный код, который в формирователях четности соответствующих разрядов приводит к изменению 1 на 0 или наоборот, то при считывании она будет обнаружена.Since, given the nature of the flashing in the memory microcircuits and memory modules, in case of failure, a word belonging to one group can go only to another group, then naturally it has a different control code, which in parity formers of the corresponding digits leads to a change of 1 by 0 or vice versa, then when reading it will be detected.
877 6877 6
Применение изобретения позволяет существенно снизить аппаратурные затраты, и тем самым и стоимость устройства за счет экономии контрольных разрядов. Так при 3-х контрольных разрядах могут быть обнаружены ошибки в панелях с В<7. При 4-х контрольных разрядах могут быть обнаружены ошибки в панелях с В$15и т.д. Кроме того, уменьшение количества контроль· ных разрядов ведет и к повышению надежности работы устройства за счет снижения вероятности возникновения ошибок.The use of the invention allows to significantly reduce hardware costs, and thereby the cost of the device due to the saving of control bits. So with 3 control digits errors can be detected in panels with B <7. With 4 control bits, errors can be detected in panels with B $ 15, etc. In addition, a decrease in the number of control discharges leads to an increase in the reliability of the device by reducing the likelihood of errors.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802899901A SU881877A1 (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Self-checking storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802899901A SU881877A1 (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Self-checking storage device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU881877A1 true SU881877A1 (en) | 1981-11-15 |
Family
ID=20885303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802899901A SU881877A1 (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Self-checking storage device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU881877A1 (en) |
-
1980
- 1980-02-15 SU SU802899901A patent/SU881877A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0162936B1 (en) | Single error correction circuit for system memory | |
US4631725A (en) | Error correcting and detecting system | |
US5751745A (en) | Memory implemented error detection and correction code with address parity bits | |
US4236247A (en) | Apparatus for correcting multiple errors in data words read from a memory | |
US5761221A (en) | Memory implemented error detection and correction code using memory modules | |
US4888774A (en) | Error detection system | |
US5003541A (en) | Method and circuit for semiconductor memory processing of video signals with Reed-Solomon error detection | |
SU881877A1 (en) | Self-checking storage device | |
SU1096697A1 (en) | Storage with self-checking | |
SU1156143A1 (en) | Storage with detection of multiple errors | |
SU1091228A1 (en) | Storage with self-check | |
SU1022223A1 (en) | Storage with self-check | |
SU875456A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1725261A1 (en) | Memory device with off-line control | |
SU898509A1 (en) | Storage device with error detection and correction | |
SU1149314A1 (en) | Storage with error detection | |
SU832604A1 (en) | Self-checking permanent storage device | |
SU907588A1 (en) | Self-checking storage device | |
SU736177A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1195393A1 (en) | Memory | |
SU888203A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1117714A1 (en) | Versions of storage with self-check | |
SU1531175A1 (en) | Memory | |
SU1149316A1 (en) | Storage | |
SU1111206A1 (en) | Primary storage with error correction |