SU876802A1 - Электролит дл анодировани алюмини - Google Patents

Электролит дл анодировани алюмини Download PDF

Info

Publication number
SU876802A1
SU876802A1 SU792842671A SU2842671A SU876802A1 SU 876802 A1 SU876802 A1 SU 876802A1 SU 792842671 A SU792842671 A SU 792842671A SU 2842671 A SU2842671 A SU 2842671A SU 876802 A1 SU876802 A1 SU 876802A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electrolyte
anodizing
oxide
aluminum
films
Prior art date
Application number
SU792842671A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Сергеевич Гусар
Капитолина Александровна Курбатова
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4149
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4149 filed Critical Предприятие П/Я Г-4149
Priority to SU792842671A priority Critical patent/SU876802A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU876802A1 publication Critical patent/SU876802A1/ru

Links

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

(54) ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ АНОДИРОВАНИЯ АЛЮМИНИЯ
Изобретение относитс  к электролитическому получению оксианьгх покрытий (анодирование) на алюминиевой фольге (тонка  пленка алюмини ), используемой в производстве микросхем. ; Известен электролит дл  анодировани  алюмини , содержащий 20%-ную серную кислоту с добавкой моноэтаноламина (150г/л) Cl. Однако известный электролит предназначен дл  анодировани  металлических изделий с получением толстых оксидных Покрытий и не может быть .использован дл  анодировани  тонких пленок алюмини  примен емых в микроэлектронике дл  полу чени  структур: подложка-проводник-диэлектрик-проводншс . Анодирование при соз дании таких структур провод т с использованием фоторезистивной маски, котора  должна надежно защищать контактные переходы и площадки от окислени . Кроме того, известный электролг1т на основе серной кислоты достаточно .агрессивен и маска из фоторезиста в нем выдерживает . напр жение формировани  окисла не более 4О В. Таким образом, о качестве окисной пленки (ее электрических характеристиках ) можно судить уже по напр жению формировани , поскольку улучшение диэлектрических свойств окисной пленки находитс  в зависимости, пропорциональной увеличению формующего напр жени . Кроме того, в электролитах на основе серной кислоты существенным недостатком  вл етс  ступенька на границе металл контактной площадки-оксид, котора  также приводит к отслаиванию фоторезиста как и увеличение формующего напр жени . Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  электролит дл  анодировани  тонких пленок алюмини , содержащий ортофосфорную кислоту и воду 2 J. Однако данный электролит недостаточно эффективен - оксидные пленки формируютс  при напр жении 52,5 В. В этом режиме пленки -на 1 мкм анодируютс  за 2О-30 мин, а участки буауши; контактов защищаютс  фоторезистом без угрозы 38 его разрушени . Поскольку цидлектрические свойства пленок наход тс  в пр мой зависимости от напр жени  формовки, то повышение напр жени  при анодировании алюмини  привоцит к повышению качества окисных пленок, но повышение напр жени  формовки в электролите известного состава приводит к тому, что участки буауших контактов, защищенные фоторезистом , разрушаютс . :, Цри этом„со1гоотивлеш1е изол ции составл ет 1О 1О°Ом, а электрическа  прочность изол ции - 35В, Цель изобретени  - повышение электрических свойств оксидных пленок и интенсификаци  процесса. Указанна  цель достигаетс  тем, что электролит, содержащий ортофосфорную ки слоту и воду, дополнительно содержит мо ноэтаноламин при следующем соотношении компонентов, об.%: Ортофосфорна  кислота3-7 Моноэтаноламин1 2 ВодаОстально Электролит готов т растворением ком- понейтов в воде. Процесс анодировани  рекоменауетсл проводить в потенциостатическсж режиме при напр жении формовки 10О В и анодной плотности тока 46 мА/см . Выбор данного электролита дл  анодировани  тонких пленок, алюмини  обусловлен тем, что в известном электролите пр
Ортофосфорна  кислота (уд. вес. 1,86 г(смЗ)
Моноэтаноламин
Вода
2 Анодна  плотность тока, мА/см
Формирующее напр жение, В i Скорость развертки напр жени . В/с
Скорость анодирований на толшину 1 мкм, мин
Технико-экономический эффект при использовании предлагаемого электролита в производстве заключаетс  в том, что данный электролит улучшает диэлектрические характеристики окисных пленок, тем самым
7 2
5 1,5
3 1
91 6
75 120
15

Claims (2)

  1. повышаетс  качество тонкопленочных коммутационных многоуровневых плат на основе алюмини  и его оксидов. Применение предлагаемого электролита сокращает технологический цикл за счет уменьшени  2 напр жении формовки 100 В происходит отслаивание фоторезиста, защищающего контактные площадки и под него проникает электролит. При этом контактна  площадка тер ет заданные размеры, конфигурацию и электрические свойства, что приводит к браку. Введение в электролит на основе ортофосфорной кислоты аминопроизводной одноатомных спиртов исключаетэтот дефект и в св зи с этим дает возможность увеличить напр жение формовки до 1ОО В. При этом барьерный слоК в пористом оксиде, ответственный за диэлектрические свойства окисной пленки, так как имеет высокое сопротивление ионному току, увеличиваетс  пропорционально напр жению формовки. Эксперимент показывает, что скорость роста окисной пленки в присутствии добавки увеличиваетс  в 2 раза по сравнению с анодированием в электролите известного состава. На основании микроскопических исследований установлено, что в предлагаемом электролите образуютс  ровные мелкозернистые пленки с меньшим .размером окисных  чеек и более плотной их упаковкой , при этом сопротивление изол ции составл ет lo-lO Ом, а прочность кзол цин 50 В. В таблице представлены примеры предлагаемого электролита. 58768 времени анодировани  ориентировочно &-. i раза и увеличивает процент выхода годных , что в процессе его использовани  позвол ет полг1ить экономию, котора  сосгавп ег окало 10 тыс руб. на годовую $ программу. - Формула изобретени  Электролит дл  анодировани  алюмини , содержащий ортофосфорную кислоту и воду, отличающийс  тем, что, с целью повышени  электрических свойств оксидных пленок и интенсификации процесса, О 026 он дополнительно соцержит моноэтаноламин при следующем соотношении коктонентов/об .%: Ортофосфорна  кислота3-7 Моноэтаноламин1-2 ВодаОстальное Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Пименова К. Н. и др. О вли нии моноэталонамина на процесс анодировани  сплавов алюмини . Журнал прикладной химии/1975, т. 13, № 9, с. 19711974 .
  2. 2. Патент США № 3723258, кл. 204-15, опублик. 1973.
SU792842671A 1979-10-04 1979-10-04 Электролит дл анодировани алюмини SU876802A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792842671A SU876802A1 (ru) 1979-10-04 1979-10-04 Электролит дл анодировани алюмини

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792842671A SU876802A1 (ru) 1979-10-04 1979-10-04 Электролит дл анодировани алюмини

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU876802A1 true SU876802A1 (ru) 1981-10-30

Family

ID=20860505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792842671A SU876802A1 (ru) 1979-10-04 1979-10-04 Электролит дл анодировани алюмини

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU876802A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001057292A1 (en) * 2000-02-01 2001-08-09 Kemet Electronics Corporation Alkanolamine-phosphoric acid anodizing electrolyte

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001057292A1 (en) * 2000-02-01 2001-08-09 Kemet Electronics Corporation Alkanolamine-phosphoric acid anodizing electrolyte

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009167B1 (ko) 알루미늄 전해 커패시터용 고전압 박지의 에칭 공정
JP3068430B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
KR101195458B1 (ko) 금속의 표면처리 방법
US4131520A (en) Two-stage anodization of capacitor electrodes
WO1986004618A1 (en) Process for forming composite aluminum film
US2174841A (en) Electrolytic device
US2122392A (en) Electrolytic device
JP2000073198A (ja) バルブ金属を陽極処理するための方法及び電解質
SU876802A1 (ru) Электролит дл анодировани алюмини
DE2819685A1 (de) Galvanische primaerzelle mit wenigstens einer negativen elektrode aus aluminium oder einer aluminiumlegierung
US4159927A (en) Anodizing aluminum in boric acid bath containing hydroxy organic acid
JP2000068159A (ja) 固体電解コンデンサ用電極箔、その製造方法及び固体電解コンデンサ
US3365377A (en) Method of sealing anodized aluminum
US1965683A (en) Coating aluminum
Ovechenko et al. Transformation of the nanoporous structure of anodic aluminium oxide and its “nonelectrolysis” electroluminescence
US4381231A (en) DC Etching of aluminum electrolytic capacitor foil
US3726783A (en) Apparatus for producing an aluminum foil or band with an electrically insulating or decorative coating thereon
JP2569422B2 (ja) 酸化アルミニウム積層構造皮膜体とその製造方法
JP3478039B2 (ja) アルミ電解コンデンサ用電極箔の化成方法
Zhong et al. Influence of alloying with bismuth on electrochemical behaviour of lead-calcium-tin grid alloys
DE102009004402A1 (de) Oberflächen-Behandlungsmaterial für Halbleiter-Herstellungssystem und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2836878C2 (de) Verfahren zur anodischen Herstellung hydrophober Oxidschichten auf Aluminium- Folien für Elektrolytkondensatoren
JPH02194195A (ja) チタン及びチタン合金の陽極酸化処理方法
JP7257210B2 (ja) 絶縁性陽極酸化皮膜の製造方法
TW201030189A (en) Method of manufacturing a surface treated member for semiconductor liquid crystal manufacturing apparatus