Изобретение относитс к области электронной техники и может быть использовано в устройствах отображени информации и в устройствах ввода некогерентных изображений в систему когерентной оптической обработки. Известен преобразователь изображени , содержащий многослойную структуру металл-полупроводник-диэлектррк-жидкий кристалл-металл и источник питани . При проеид ровании на слой полупроводника изображени происходит перераспределение напр жени , приложенного к электродам , между сло ми полупроводника и жидкого кристалла за счет изменени сопротивлени полупроводника. Недостатком преобразовател вл етс требование статического согласо:вани импедансов слоев. Наиболее близким по технической сущности к за вл емому устройству вл етс жидкокристаллический преоб разователь изображени . Жоидкокристаллический преобразова тель изображени , содержит многосло ную структуру, состо щую из прозрач ного электрода, диэлектрического сло , полупроводникового сло , диэлектрического зеркала, жидкокриста лического сло и прозрачного электр да, а также источник считывающего излучени , расположенного за многослойной структурой, со стороны жидк кристаллического сло , причем, элек роды структурь соединены с генерато ром импульсного напр жени . При подаче на электроды импульсного напр жени в полупроводнике фо мируетс объединенный слой. При проецировании изображени на полупроводниковый слой происходит формирование потенциального рельефа на слой жидкого кристалла. Слой жидкого кристалла измен ет свои оптические свойства и модулирует считьшающее излучение . Недотсатком устройства вл етс низка разрещающа способность. Этот недостаток обусловлен растеканием из освещенных областей в неосвещенные тех зар дов, которые генерируютс под действие света в момент отсутстви напр жени на структуре. Целью изобретени вл етс увеличение разрешающей способности преобразовател изображени . 0 «2 Поставленна цель достигаетс тем, что в жидкокристаллический преобразователь изображени , содержащий многослойнкю структуру, состо щую из Прозрачного электрода, диэлектрического сло , полупроводникового сло , диэлектрического зеркала, жидкокристаллического сло и прозрачного электрода, а также генератор импульсного напр жени , соединенный с прозрачными электродами, и источник считывающего излучени , расположенный за многослойной структурой со стороны жидкого кристалла, введены модул тор света, расположенный перед многослойной структурой со стороны полупроводника, и формирователь импульсов управлени , соединенный с модул тором света и с генератором импульсного напр жени . Схема жидкокристаллического преобразовател изображени приведена ка чертеже. Жидкокристаллический преобразователь изображени содержит многослойную структуру, состо щую из последовательно расположенных прозрачного электрода 1, диэлектрического сло 2, полупроводникового сло 3, диэлектрического зеркала 4, жидкокристаллического сло 5 и прозрачного электрода 6, генератор импульсного напр жени 7, соединенный с прозрачными электродами 1, модул тор света 8, расположенньй перед многослойной структурой, формирователь управл ющих импульсов 9, соединенный модул тором света Вис генератором импульсного напр жени 7, а также источник считьшающего излучени 10, расположенный за многослойной структурой, со стороны жидкокристаллического сло . В качестве источника считьшающего излучени может быть использован лазер, а в качестве формировател управл ющих импульсов - триггер, подающий импульсы напр жени на электроортический модул тор. На прозрачный электрод 1 подаютс импульсы напр жени питани длительностью Cjj привод щие к созданию в полупроводнике обедненной области - потенциальной мы. Длительность (ц выбираетс меньшей времени . заполнени потенциальной мы за счет термогенерации носителей в полупроводнике . В этом случае в течениеtu генераци свободных носителей в полупроводнике определ етс в.основно интенсивностью соответствующих элементов входного изображени . Генери руемые светом носители дрейфуют в электрическом поле, создаваемом напр жением питани , к границе раздела полупроводник - диэлектрическое зеркало и создают потенциальный рельеф на слое жидкого кристалла. Помимо дрейфа носителей в электр ческом поле присутствует и их диффу зи из более рко освещенных областей в слабо освещенные. Однако процесс диффузии длитс только в течение времени дрейфа, что приводит к некоторому размыванию изображени . Это размывание определ етс из gp ,где D - коэ выражени L фици,ент диффузии носителей в опреде лейком материале, ,р толщина обедненной области, /и подвижность носителей в полупроводнике i Е - напр женность пол . При типичных параметрах структуры на основе кремни d составл ет 10 Ю см, f 1000 , Е Ю B/CMJ D - 30 «Г др составл ет 1 с и при этом Ьраэм - 10 см т.е. размытие изображени практичес ки отсутствует, В интервале времени между импульсами питани входное изображение перекрываетс модул тором света, созданные ранее светом носители реком- бинируют и структура возвращаетс в исходное состо ние. Согласно приведенным оценкам в случае перекрывани изображени в момент отсутстви напр жени питани на структуре разрешающа способность преобразовател увеличиваетс в Anqjop 10 - 100 раз по сравнению со случаем стационарного изображени .