Изобретение относитс к способу получени антимонида диспрози и может быть использовано в области полупроводниковых материалов и тугоплавких соединений. Известен способ получени антимонида диспрози состава путем добавлени мет:1ллического диспрози к соединению BySb, прессование полученной смеси компонентов в таблетки с последующей загрузкой в запа нный, танталовый тигель и нагревание в течение 3-5 ч при температуре ниже точ ки плавлени соединени Ь Г Получени антимонида диспрози ук занным способом требует предваритель ного синтеза соединени DjSb; при этом происходит отклонение от стехиометрии более, чем на 0,5 ат. %. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату вл етс способ получени антимонида диспрози , включающий пре сование порошков исходных компоненто вз тых в стехиометрическом соотноше- НИИ, загрузку смеси в плотно закрытый танталовый тигель, эвакуирование и заполнение тигл инертным газом, а также нагревание смеси до температуры начала экзотермической реакции и охлаждение l2 J . Однако резкое повьвпение температуры смеси, вызванное экзотермической реакцией, приводит к испарению сурьмы с последук цим соединет1ем ее на электродах печи, привод щим к нарушению стехиометрии. Кроме того, при 1900 С соединение DlJxSbj разлагаетс на антимонид диспрози IWSb и диспрозий. Это приводит к тому, что при быстром охлаждении продукта в нем присутствуют также продукты разложени , привод щие к нарушению однофазности продукта. Цель изобретени - получение продукта однофазного состава. Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу получени антимонида диспрози , состо щему в смешивании стехиометрических количеств порошков исходных компонентов , прессовании, загрузке в реактор эвакуировании, заполнении инертным газом, нагревании и охлаждении до ко «натной температуры, нагревание редут от комнатной температуры до 440-А6,0 С в течение 1-2 ч, затем деjiaroT выдержку 5-6 ч и повьшают температуру от 440-460 до 490-5Ю С в течение 1-2 ч с последующей выдержкой 5-6 ч, после чего увезргч вают температуру.от 490-510 до540-560 С в течение 1-2 ч с вьщержкой 5-6 ч и ото женную cMedb растирают в порошок, прессуют в таблетки и нагревают от комнатно температуры до 1790-1810 С в течение 1-2 ч и охлаждают. Пример. Дл получени 5 г антимонида диспрози сост ва берут навеску из 3,198 г Ву и ,802 5Ъ, компоненты тщательно смегливают, помещают в ампулу из молибденового стекла, откачивают до 10 мм. рт. ст. Иапаиваютт и нагревают в электропечи СШОЛ-6/12 по следующему режиму, В те чение 2 ч смесь нагревают от комнатн температуры (28с) до 4.-50с и выдерж вают 5 ч: в течение 2 ч смесь нагревают от 450 до и выдерживают 6 ч; в течение 1 ч смесь нагревают от 500 до 550 С и выдерживают 5 ч; ампулу со смесью вскрывают, смесь растирают в порошок,прессуют в таблетки и загружают в алундовый тигель, который помещают в электропечь СШВЛ 0,62/25, заполн ют инертным газом, после чего продолжают нагревание до в течение 2 ч и охлаждают. Полученш 1й продукт подвергают термическому , металлофизическому, химическому и рентгеноструктурному анализам. Полученные данные параметров решетки , химического состава приведены в таблице. Приведенные данные показывают, что продукт, полученный предлагаемым способом, однофазен и в пределах ошибок анализов выход его 100%. Предлагаемый способ обеспечивает по сравнению с известными получение однофазного и высокочигтого антимонида диспрози состава при 100% выходе продукта и снижении стоимости технологического процесса.The invention relates to a method for producing dysprosium antimonide and can be used in the field of semiconductor materials and refractory compounds. A known method for producing a dysprosium antimonide compound by adding methane dysprosium to a compound BySb, pressing the obtained mixture of components into tablets with subsequent loading into a sealed tantalum crucible and heating for 3-5 hours at a temperature below the melting point of the compound L G Antimonide production dysprosy by this method requires the preliminary synthesis of the DjSb compound; when this happens the deviation from stoichiometry by more than 0.5 at. % The closest to the invention to the technical essence and the achieved result is a method of obtaining antimonide dysprosium, which includes the delivery of powders of the initial components taken in a stoichiometric ratio, loading the mixture into a tightly closed tantalum crucible, evacuating and filling the crucible with an inert gas, and heating the mixture to the temperature of the beginning of the exothermic reaction and cooling l2 j. However, a sharp increase in the temperature of the mixture, caused by an exothermic reaction, leads to the evaporation of antimony with its subsequent connection on the electrodes of the furnace, leading to a violation of stoichiometry. In addition, at 1900 ° C, the DlJxSbj compound decomposes into dysprosium antimonide IWSb and dysprosium. This leads to the fact that during the rapid cooling of the product, decomposition products are also present in it, leading to a violation of the single phase nature of the product. The purpose of the invention is to obtain a single phase product. The goal is achieved by the fact that according to the method of obtaining dysprosium antimonide, which consists in mixing stoichiometric amounts of powders of the initial components, pressing, loading into the reactor evacuation, filling with inert gas, heating and cooling to natural temperature, heating is from room temperature to 440 А6.0 С for 1-2 h, then dejiaroT exposure for 5-6 h and increase the temperature from 440-460 to 490-5 СС for 1-2 h followed by an exposure of 5-6 h, after which the temperature is raised. from 490-510 to 540-560 C for 1-2 hours vscherzhkoy 5-6 hours and GR fluoropyridinium cMedb triturated compressed into tablets, and heated from room temperature up to 1790-1810 C for 1-2 hours and cooled. Example. In order to obtain 5 g of antimonide dysprosis, a sample is taken from 3.198 g of Wu and, 802 5b, the components are carefully melted, placed in a vial of molybdenum glass, pumped out to 10 mm. Hg Art. Iapaivyut and heated in an SCHOL-6/12 electric furnace according to the following mode. For 2 hours the mixture is heated from room temperature (28s) to 4.-50s and kept for 5 hours: for 2 hours the mixture is heated from 450 to and maintained for 6 h; within 1 h, the mixture is heated from 500 to 550 C and incubated for 5 h; the ampoule with the mixture is opened, the mixture is ground to powder, pressed into tablets and loaded into an alundum crucible, which is placed in an UHVL 0.62 / 25 electric furnace, filled with an inert gas, after which it is heated to 2 hours and cooled. The obtained 1st product is subjected to thermal, metal physical, chemical and X-ray structural analyzes. The obtained data of the lattice parameters, chemical composition are given in the table. The data show that the product obtained by the proposed method is single-phase and, within the limits of analysis errors, its output is 100%. The proposed method provides, in comparison with the known, the production of single-phase and high-crypto antimonide dysprosium composition at 100% product yield and reducing the cost of the process.