SU843029A1 - Device for cleaning semiconductor plate surface - Google Patents

Device for cleaning semiconductor plate surface Download PDF

Info

Publication number
SU843029A1
SU843029A1 SU792752212A SU2752212A SU843029A1 SU 843029 A1 SU843029 A1 SU 843029A1 SU 792752212 A SU792752212 A SU 792752212A SU 2752212 A SU2752212 A SU 2752212A SU 843029 A1 SU843029 A1 SU 843029A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
temperature
plate surface
semiconductor plate
cleaning semiconductor
cleaning
Prior art date
Application number
SU792752212A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Эдуард Филиппович Матяш
Александр Владимирович Кавецкий
Александр Витальевич Бобряков
Леонид Федорович Коваленко
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3560
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3560 filed Critical Предприятие П/Я А-3560
Priority to SU792752212A priority Critical patent/SU843029A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU843029A1 publication Critical patent/SU843029A1/en

Links

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН(54) DEVICE FOR CLEANING THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR PLATES

Изобретение относитс  к технологическому оборудованию дл  производства изделий микроэлектроники и может быть использовано дл  очистки полупроводниковых пластин и подложек приборов от загр знений и при сн тии сло  фоторезиста.The invention relates to manufacturing equipment for the production of microelectronic products and can be used to clean semiconductor wafers and device substrates from contamination and when removing a layer of photoresist.

Известно устройство дл  очистки поверхности полупроводниковых пластин , в котором использован способ гидродинамической кавитационной очистки. Устройство содержит центрифугу с планшайбой, на которой имеютс  держатели дл  очищаемых полупроводниковых пластин, неподвижный диск с пневмоприводом дл  поджати  его к поверхности планшайбы, резервуар дл  растворени  кислорода в очи1Ч енной воде и нагрева полученной смеси, систему подачи {забочей жид кости в зону обработки и контрольноизмерительную аппаратуру 1.A device for cleaning the surface of semiconductor wafers is known, which uses a hydrodynamic cavitation cleaning method. The device contains a centrifuge with a faceplate, on which holders for the cleaned semiconductor wafers are located, a fixed disk with a pneumatic actuator to press it to the faceplate, a reservoir for dissolving oxygen in purified water and heating the resulting mixture, a supply system (quench liquid to the treatment area, and control measurement) equipment 1.

Очистка полупроводниковых пласти производитс  жидкостью, истекаю1лей под давлением во врем  вращени  планшайбы от центра ротора по. взаимно перпендикул рным каналам, выполненным на .диске и вызывающим  вление кавитации, разрушающей поверхностные загр знени  на полупроводниковых пластинах.The cleaning of semiconductor plates is made by a liquid, which exhausts under pressure during the rotation of the faceplate from the center of the rotor. mutually perpendicular channels made on the disk and causing the appearance of cavitation destroying surface contamination on semiconductor wafers.

Недостатком этого устройства  вл етс  его невысока  надежность, так как при работе устройства дл  образовани  тонкого сло  истекающей жидкости ее необходимо подавать под давлением, достаточным дл  получени  эффектов Кавитации, что вы0 зывает значительные осевые нагрузки на рабочий вал центрифуги. Кроме того, устройство не обладает достаточной производительностью, а отсутствие вращени  пластин вокруг своих The disadvantage of this device is its low reliability, since when the device is operated to form a thin layer of flowing fluid, it must be supplied under a pressure sufficient to produce cavitation effects, which causes significant axial loads on the centrifuge working shaft. In addition, the device does not have sufficient performance, and the absence of rotation of the plates around its

5 осей во врем  обработки приводит к неравномерному сн тию загрйзнений на полупроводниковых пластинах. Участки пластин, расположенные,ближе к центру имеют меньшую линейную скорость и 5 axes during processing leads to uneven removal of contamination on semiconductor wafers. Plates located closer to the center have a lower linear velocity and

0 низкое качество обработки поверхности .0 low quality surface treatment.

Цель изобретени  - повышение производительности и надежности.The purpose of the invention is to increase productivity and reliability.

Поставленна  цель достигаетс  тем, The goal is achieved by

5 что.устройство дл  очистки поверхности полупроводниковых пластин, содержащее расположенные на основании ротор с валом, св занным с приводн  м механизмом, планшайбу с держател ми 5 that a device for cleaning the surface of semiconductor wafers containing a base-mounted rotor with a shaft connected to a drive mechanism, a faceplate with holders

0 пластин, диск с канавками, выполненDate : 03/05/20010 plates, grooved disk, madeDate: 03/05/2001

Number of pages : 4Number of pages: 4

Previous document : SU 843029Previous document: SU 843029

Next document : SU 843031Next Document: SU 843031

Claims (1)

•Недостатками указанного измерите- 15 ля температуры являются большие габариты, сложность конструктивного выполнения, малая надежность для эксплуатации, а в некоторых особых условиях, например для измерения 20• The disadvantages of this measure- 15 For the temperature are large dimensions, the complexity of the design implementation, low reliability for operation, and in some special conditions, for example for measuring 20 температуры при изготовлении пищевых продуктов, он вообще неприменим, так как термочувствительным элементом является токсичная ртуть.temperature in the manufacture of food, it is generally not applicable, since the thermosensitive element is toxic mercury. Наиболее близким к предлагаемому 25 является устройство для контроля и регулирования температуры, содержащее термочувствительный элемент с электродами, выполненный в виде слоистой структуры, включающей слой 30Closest to the proposed 25 is a device for controlling and regulating the temperature, containing a temperature-sensitive element with electrodes, made in the form of a layered structure that includes a layer 30
SU792752212A 1979-04-16 1979-04-16 Device for cleaning semiconductor plate surface SU843029A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792752212A SU843029A1 (en) 1979-04-16 1979-04-16 Device for cleaning semiconductor plate surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792752212A SU843029A1 (en) 1979-04-16 1979-04-16 Device for cleaning semiconductor plate surface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU843029A1 true SU843029A1 (en) 1981-06-30

Family

ID=20821841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792752212A SU843029A1 (en) 1979-04-16 1979-04-16 Device for cleaning semiconductor plate surface

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU843029A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718872A1 (en) * 1994-12-19 1996-06-26 Fujitsu Limited Semiconductor substrate cleaning method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0718872A1 (en) * 1994-12-19 1996-06-26 Fujitsu Limited Semiconductor substrate cleaning method
US5795494A (en) * 1994-12-19 1998-08-18 Fujitsu Limited Semiconductor substrate cleaning method and semiconductor device fabrication method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4313284A (en) Apparatus for improving flatness of polished wafers
KR840001774A (en) Temperature control method and apparatus for wafer polishing
JPS6056431B2 (en) plasma etching equipment
SU843029A1 (en) Device for cleaning semiconductor plate surface
US4417945A (en) Apparatus for chemical etching of a wafer material
BR8201531A (en) PROCESS FOR THERMAL MECHANICAL TREATMENT INCLUDING FLUID MASS STERILIZATION AND DEVICE EMPLOYED IN THE PROCESS
JPH0992615A (en) Cooler for semiconductor wafer
US3040754A (en) Etching machine
CN100565337C (en) A kind of Pt/Ti metal membrane patterning method
JPS61142743A (en) Equipment for manufacturing semiconductor
SU459818A1 (en) A device for cleaning the surface of semiconductor wafers
CN111015498A (en) Wafer polishing apparatus and method
JP2865753B2 (en) Chemical solution supply method and chemical solution supply device
US3844738A (en) Method and device for de-aerating greases
JP2006192555A (en) Grinding liquid for wire saw and cutting method of ingot
US696222A (en) Process of refining resins, oils, or fats.
JPS5362786A (en) Washing method for membrane in electric dialysis
JPS5216041A (en) Reducing process of liquid temperature and its apparatus
SU576295A1 (en) Device for cleaning glass-ware
SE427759B (en) WANT TO REDUCE ENERGY CONSUMPTION, POSSIBLE HIGH ROTATION SPEEDS AND IMPROVE MASS QUALITY BY MECHANICAL PROCESSING OF CELLULOSIC MATERIAL IN MALA APPLIANCES AND DEVICE IMPLEMENTATION DEVICE
SU1650180A2 (en) Centrifugal atomizer
JPH03165033A (en) Apparatus for lifting substrate from super pure water and drying substrate
JPH05317602A (en) Method for reaction and concentration of chemical substance and flask for rotary evaporator used therefor
JPS63136523A (en) Manufacture of semiconductor
JPS57133633A (en) Dry-etching device