SU819909A1 - Выпр митель - Google Patents
Выпр митель Download PDFInfo
- Publication number
- SU819909A1 SU819909A1 SU782655543A SU2655543A SU819909A1 SU 819909 A1 SU819909 A1 SU 819909A1 SU 782655543 A SU782655543 A SU 782655543A SU 2655543 A SU2655543 A SU 2655543A SU 819909 A1 SU819909 A1 SU 819909A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- rectifier
- base
- output
- devices
- Prior art date
Links
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области выпр мительной техники и может быть применено дл линейного выпр млени напр жений амплитудой, меньше диффузионного потенциала применимых полупроводниковых приборов, а также дл линейного детектировани сигналов в устройствах с низковольтным питанием..
Известны устройства дл выпр млени напр жени 1,2,3 содержащие транзисторы, управление которыми осуществл етс от источника сигнала переменного тока через ограничивающее сопротивление.
Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс выпр митель 3, содерхсащий транзистор, входной электрод которого соединен с выводом источника сигнала переменного тока, выходной электрод - с одни из выводов дл подключени нагрузки, а его электрод базы св зан с общей точкой соединени свободного вывода источника сигнала и другим выводом дл подключени нагрузки.
Недостатками известных устройств вл ютс нелинейность их характеристики При выпр млении напр жений сигг .нала малой величины и наличие дополнительных элементов в цепи управлени транзистором выпр мител , усложн ющих устройство.
Целью изобретени вл етс получение линейной характеристики и упрощени устройства.
Эта цель достигаетс тем, что в выпр мителе электрод базы транзистора подключен к упом нутой общей точ0 ке.
Принципиальна схема устройства представлена на.чертеже.
Источник сигнала 1 подключен к входному и управл ющему электродам
s транзистора 2, а к выходному и управл ющему электродам этого транзистора подключена нагрузка 3.
Предложенное устройство работает следующим образом.
0
Использу инжекционные свойства р-п-переходов транзистора, работающего в режиме насыщени , параллельно одному р-п-переходу транзистора прикладывают выпр мленное напр жение.
5 В режиме двусторонней инжекции неосновных носителей в область базы напр жени база-эмиттер и база-коллектор отличаютс на величину напр жечни на участке коллектор-эмиттер, ко торое может быть пренебрежимо малым.
0
Обе cxeMj устройства (а) и (б) принципиально равноценны.
Claims (3)
1.Авторское свидетельство СССР
529531, кл. Н 02 М 7/217 25.09.76.
2.Авторское свидетельство СССР 345573, кл. .Н 02 М 7/12 1973.
3.Авторское свидетельство СССР 124565, кл. Н 02 М 7/217, 1359 (прототип).
, . :.
СО
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782655543A SU819909A1 (ru) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Выпр митель |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782655543A SU819909A1 (ru) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Выпр митель |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU819909A1 true SU819909A1 (ru) | 1981-04-07 |
Family
ID=20781680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782655543A SU819909A1 (ru) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Выпр митель |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU819909A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4602322A (en) * | 1984-04-02 | 1986-07-22 | Hewlett-Packard Company | Transistor rectifier |
-
1978
- 1978-08-02 SU SU782655543A patent/SU819909A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4602322A (en) * | 1984-04-02 | 1986-07-22 | Hewlett-Packard Company | Transistor rectifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR870009542A (ko) | Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열 | |
SE7907853L (sv) | Omkopplingskrets | |
SU819909A1 (ru) | Выпр митель | |
KR870005458A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
KR880012007A (ko) | 반도체 스위칭 회로 | |
JPS5587391A (en) | Semiconductor memory circuit device | |
SU792240A1 (ru) | Стабилизированный источник переменного тока | |
SU1001355A1 (ru) | Устройство дл управлени полупроводниковым вентилем | |
GB1509012A (en) | Transistor circuits | |
SU498611A1 (ru) | Регул тор переменного тока | |
KR890001726Y1 (ko) | 포워드 컨버터(Forward Converter) | |
SU603076A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени в переменное | |
SU402880A1 (ru) | Функциональный преобразователь | |
SU615594A1 (ru) | Генератор импульсов | |
JPS59103425A (ja) | スイツチングデバイス | |
SU377750A1 (ru) | ййкООЮ:ВНАЯшг1*'10'-1и;;;"5Г1||^ | |
SU809116A1 (ru) | Стабилизированный источник питани пЕРЕМЕННОгО НАпР жЕНи | |
SU1649647A1 (ru) | Полупроводниковый выключатель | |
SU647665A2 (ru) | Стабилизатор переменного напр жени | |
SU463221A1 (ru) | Выходной каскад усилител посто нного тока | |
SU437054A1 (ru) | Регулирующий элемент стабилизатора переменного тока | |
SU1471293A1 (ru) | Двухпороговое устройство | |
SU650186A1 (ru) | Преобразователь переменного тока в посто нный | |
SU811222A1 (ru) | Регулирующий элемент стабилизаторапЕРЕМЕННОгО НАпР жЕНи | |
SU811453A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени В пОСТО ННОЕ |