SU1001355A1 - Устройство дл управлени полупроводниковым вентилем - Google Patents

Description

(5) УСТРОЙСТВО дл  УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ

i

Изобретение относитс  к устройствам преобразовательной техники и может быть использовано в формировател х импульсов управлени  тиристорами.

Известно устройство дл  запуска управл емого полупроводникового вентил , в котором источник посто нного напр жени  подключен через переход коллектор-эмиттер транзистора к управл ющему переходу полупроводникового вентил  13°

К недостаткам данного устройства относитс  зависимость тока управлени  от величины сопротивлени  управл ющего перехода тиристора, что вызывает необходимость увеличени  тока управлени  дл  надежного включени  тиристоров и ведет, к возрастанию потерь в устройстве.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  устройство дл  управлени  полупроводниковым вентилем, например тиристором, которое содержит источник посто нноВЕНТИЛЕМ

го напр жени , св занный через нелинейное сопротивление, например транзистор , с управл кхцим переходом вентил  и последовательную цепочку., из стабилитрона и стабилизирующего резистора , подключенную.параллельно переходу эмиттер-база указанного транзистора , причем обща  точка этой це почки св зана с цепью управлени  fZ,

Недостатком указанного устройства

to  вл етс  то, что оно не обеспечивает необходимую надежность работы вентил , поскольку при отрицательном напр жении на его аноде и положительном управл ющем сигнале резко увеличивает15 с  обратный ток вентил  и потери в нем, что ведет к его перегреву и снижает надежность его работы.

Цель изобретени  - повышение на2Q дежности работы вентил .

Claims (2)

1. Указанна  цель достигаетс  тем, что устройство снабжено дополнительным транзистором и резистором, причем дополнительный транзистор последовательно- включен в цепь базы основ него транзистора, а его вход через дополнительный резистор подключен к выводам дл  подключени  к аноду тиристора . На фиг. 1 показан вариант предлагаемого устройства с транзистором типа п-р-п в цепи управл ющего электрода тиристора; на , 2 - то же, с транзистором типа р-п-р. В цепи управл ющего электрода полупроводникового вентил  1 (фиг. 1), в частности тиристора, включен транзистор 2 типа п-р-п, параллельно переходу эмиттер-база которого подключена последовательна  цепочка из ста билитрона 3 и стабилизирующего резис тора 4, коллектор транзистора 2 подключен к источнику 5 посто нного на пр жений. В цепь базы транзистора 2 последовательно включен полевой транзистор 6, затвор которого через резис тор 7 подключен к аноду вентил  1. Если применить полевой транзистор 6 с изолированным затвором, то дл  его ;защиты от пробо  следует включить стабилитрон 8, в остальных случа х он не нужен. В цепи управл ющего электрода вентил  1 (фиг. 2) включен транзистор 9 типа р-п-р, параллельно его переходу база-эмиттер включена цепочка из стабилитрона 3 и резистора (, средн   точка этой цепочки подключена к источнику 10 импульсов управлени  (в от личие от фиг, 1, где применен источник 5 посто нного напр жени ). В цепь базы транзистора 9 последователь но включены транзистор 6 и резистор 11. Затвор транзистора 6 через резистор 7 подключен к аноду вентил  1. Стабилитрон 8 необходим только в том случае, если применен полевой транзис тор 6 с изолированным затвором дл  защиты его от пробо . Ограничивающий резистор 11 не нужен, если невелик разброс тока стока транзистора 6 при нулевом напр жении на его затворе . Устройство (фиго 1)работает следующим образом. Напр жение с анода тиристора 1 поступает на Bxofl транзистора 6. Пусть оно отрицательно, тогда транзистор 6 запираетс  и не пропускает импульсы управлени  на базу транзистора 2, в результате чего он не может открытьс  и не пропускает напр жение источника 5. питани  на управл ющий элек13554 трод вентил  1 и тот не может включитьс . Пусть напр жение на аноде тиристора 1 положительно или равно нулю , тогда транзистор 6 открыт, импульс управлени  проходит на базу транзистора 2, усиливаетс  им и открывает вентиль 1. Источник 5 может быть исключен, если коллектор транзистора 2 подключить к генератору импульсов управлени . Устройство (фиг. 2)работает следующим образом. Напр жение с анода вентил  1 поступает на затвор транзистора 6 через резистор 7 Пусть оно отрицательно, тогда транзистор 6 запираетс , запреща  прохождение импульса от генератора 10 импульсов через переход коллектор-эмиттер транзистора 9, поэтому ток через транзистор 9 не протекает и вентиль 1 не включаетс . Пусть напр жение на аноде вентил  1 положительно или равно нулю, тогда транзистор 6 открыт и импульс управлени  от генератора 10, пройд  через транзистор 9, включает вентиль 1. Изобретение позвол ет снизить мощность , потребл емую в цепи управлени , а также ток утечки тиристора при отрицательном анодном напр жении на нем, что уменьшает потери мощности в тиристоре и, следовательно, повыluaeTv его надежность. Формула изобретени  Устройство дл  управлени  полуг проводниковым вентилем, в частности тиристором, содержащее источник посто нного напр жени , св занный через нелинейное сопротивление, например , через переход эмиттер-коллектор транзистора, с управл ющим переходом тиристора, последовательную цепочку из стабилитрона и стабилизирующего сопротивлени , например, резистора , подключенную параллельно переходу база-эмиттер указанного транзистора, причем обща  точка этой цепочки св зана с цепью управлени  тиристора, отличающеес  тем, что, с целью повышени  надежности работы вентил , оно снабжено дополнительным транзистором и резистором , причем дополнительный транзистор последовательно включен в цепь базы основного транзистора, а его вход через дополнительный резистор

   51001355«

   подключен к выводам дл  подключени 1. Патент ФРГ Vf 1538099,

   к аноду тиристора.кп. 21 d 21/0t| 19б1«,

   Источники информации,
2. 2. Патент СССР ff 576033,

   прин тые во внимание при экспертизекл, Н 02 М 1/08, IS