SU576083A3 - Устройство дл управлени полупроводниковым вентилем - Google Patents

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ

ВЕНТИЛЕМ

па  диаграмГЛ4 тока управлени , соответствующа  варианту выполнени  етабилизируннцего сопротивлени

Устройство дл  управлени  тиристором 1 содержит источник 2 посто нного напр жени , подкличенн1 ,й к натравл ющему переходу тиристора 1 через переход эмиттер-коллектор транзистора 3, управл емого сигналом от внешнего источника запуска 4. Параллельно переход} база-эмиттер транзистора 3 включена последовательнг  цепочка из стабилитрона 5 н ста6и шзирующего сонрогивлени  6, обща  точка которой св зана с цепью управлени  тиристора 1.

Принцип работы устройства по сн етс  временнылш диаграммами (фиг.5, 7, 9). .

При подаче пр моугольного имтгульса от внешнего источника запуска 4 транзистор 3 совместно со стабилитроном 5 и стабилизирующим сопротивлением 6 работает не как ключевой элемент, а как йелинейное сопротивление, стабилизирующее ток импульса управлени  тиристора 1 при колебани х напр жени  источника питани  2 и при изменени х сопротивлени  нагрузки, которой  вл етс - управл ющий переход тиристора 1. Благодар  этому можно максимально уменьишть ток управлени  до величины, обеспечивающей надежное включение тиристоров, снизить потребление мощности от источника пгтани  (что особенно важно, когда в качестве питани  примен етс  „отбор мощности от силовой цени тиристора) и тем самым уменьшить потери на формирование управл ющего CHr jyjia тиристора.

Вариа том вьнюлнени  устройства  вл етс  схема на (()иг. 2, в которой цепочка из стабилитрона 5 и ст1 билизируюп1ег6 сопротивлени  6 включена между эмиттером транзистора 3 и базой транзистора 7, включ1;)1ными по каскадной схеме. Коэффициент усилени  такого составного транзистора значительно вын1е, что уве;шчивает чувствительность схемы и улучншет ее стабилизирующие свойства.

Варианты выполнени  стабилизирующего сопротивле1ги  в виде демпфирующих RC-цепочек, представленные на фиг. 6 и 8, позвол ют еще более уменьшить мощность, потребл емую от источника питани , как это нидно из кривых тока управлени , показанных im фиг. 7 и 9. Величины последовательн 1Х pejncropoB 8 и 9 дифференцирующей ВС- Цсночки ги,|бир11Н)|С  в отношении 3:1, причем резистор 8, не эашунтарованный конденсатором 10, имеет менынее сонротийле}1ие. Включение Щ1ода 11 последовательно с конденсатором 10 нозвол ет

уленьшить ток повторного имтгульса управлени , что имеет значение при 1аличии сдвоенных импульсов управлени , следующих друг за другом с не6О .ГШШИМ интервалом. Величина разр дного резистора 12 выбираетс  на пор док больше величины резистора 9, шунтирующего цепочку конденсатор 10 - диод 11.

Claims (6)

1.Устройство дл  управлени  полупровод .никовым вентилем, в частности тиристором, содержащее источник посто нного напр жени , св занный через нелинейное сопротивление, например, через переход эмиттер-коллектор транзистора, с управл ющим переходом тиристора, отличающеес  тем, что, с целью стабилизации тока управлени  тиристора и уменьшени  потерь, оно снабжено последовательной цепочкой из стабилитрона и стабилизирующего сопротивлени , например резистора , подключенной параллельно переходу база-змиттер указанного транзистора, причем обща  точка этой цепочки св зана с цепью управлени  тиристора.

2.Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что нелинейное сопротивление выполнено в виде двух каскадно-соединенных транзисторов.

3.Устройство по н. н. 1 или 2, отличающеес  тем, что стабилизирующее сопротивление выполнено в виде дифференцирующей RC-цепочки, состо щей из двух последовательных резисторов, один из которых зашунтирован конденсатором.

4.Устройство но н.З, отличающеес  тем, что последовательно с конденсатором дифференцирующей RC-цепочки включен диод в провод щем направлении дл  тока унравлени , а конденсатор зашунтирован разр дным резистором.

5.Устройство но н. п. 3 или 4, отличающеес  тем, что величины последовательных резисторов диффереНцируюГцей RC-ценочки выбираютс  в отношении 3:1, причем резистор, не зашунтирова5гаый конденсатором, имеет меньшее сопротивление .

6.Устройство по п.4, отличающеес  тем, что величина разр дного резистора выбираетс  в 10 раз большей величины резистора, шунтирующего цепочку диод-конденсатор.

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:

1.Патент Англии N 1023950 по кл.Н 02 m 1/08.

2.Патент ФРГ № 1538099 по кл. 21 d 12/04 прототип .

Qt

I

ife

i

Л

i oJf

-Л1о-VWVd

a

tt/. /

дДд,

о 4 о®Фиг . 2

5

-f-о

и

«/.J

ie

t2

fpuz.S

i iff

10

4F

о-Л/ИЛгИЛЛЛгА

fuzS

a . S

Фиг. в

tft2

Фиг. 7

i1t2

Фиг. 9