SU815869A1 - Ждущий мультивибратор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в ; формирователе пр моугольных импульсов регулируемых по длительности в широком временном аиапазоне. Иавестны ждущие мультивибраторы, выполненные на транзисторах с коллекто но- азовыми св з ми Y. Недостатком мультивибраторов  вл ет с  относительно большое врем  восстановлени  и наличие пополнительного источника смещени . Кроме того, у них стабильность длительности импульсов aaBticRT от обратного тока коллектора kbo ростом температуры TOKlygQ растет, что приводит к уменьшению олительности выходного импульса). Известны ждущие мультивибраторы, содержащие погевые транзисторы. Однако устройства не обладают доста точной надежностью, так как полезные транзисторы подвержены повышенному вли нию Еотектромагнитных полей и токов утечки, а также имеют меньшее врем  гарантийной наработки, например, по сравнению с основными типами бипол рных транзисторов и тринисторов С ЗИзвестен мультивибратор, содержащий запускающий транзистор, включенный по схеме с общей базой, аналога однопереходного транзистора, состо щий из двух транзисторов противрположного типа проводимости , врем задающую Ц С -цепь, два резистивных делител  и цепь гермо- стабилизации |j3. Недостатками этого мультивибратора  вл етс  повышенное потребление энергии в ждущем режиме и нестабильность порога срабатывани  аналога однопереход- ного транзистора при изменении температуры окружающей среды. Первый недостаток обусловлен тем, что транзисторы ана- лога однопереходного транзистора в ждущем режиме наход тс  в насыщенном состо нии . Кроме того, при большом значении сопротивлени  врем задающего резис тора дл  обеспечени  насыщенного состо - ни  транзисторов необходим дополнитель- ный сравнительно низкоомный резистивный аелитель, что также увеличивает, потребле ние энергии. При максимальной рабочей температуре устранение вли ни  начального неуправл емого тока I о, на пороговое напр жени  открывани  достигаетс  выбором величины резистора R коллекторной нагрузки второго транзистора по формуле.. Е(/1-г) . мо.кс 2 12 э- 1кбОмакс Дл  транзистора KT20irh2,g о, , 400 при максимальной рабочей температуре сопротивление резистора Кддаис должно быть равно 4ОО Ом. Такое сопротивление резистора R  вл етс  малым что обуславливает повышенное потребление энергии. Второй недостаток ждущего мультивибратора заключаетс  в том, что при максимальной рабочей температуре г возрастают токи утечки через конденсатор С 00. Это приводит к изменению напр жени  открывани  аналога оцноперекод ного транзистора и, следовательно, к нестабильности длительности выкодных импульсов . Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности и повышение стабильности выходных параметров. Дл  достижени  указанной цели в ждущий мультивибратор, содержащий три тран зистора разного типа проводимости, и резисторный делитель напр жени , коллектор первого транзистора типа n-p-tt соединен с шиной питани , коллекто второго транзистора типа а-р-п соединен через резистор с шиной питани , а через диод - с базой транзистора типа р-ц-р, коллектор которого соединен с базой второго транзистора типа п-р-п, введены тиристор , дополнительный анод и дополнительный резистор, анод тиристора подклю чен к эмиттеру первого транзистора типа п-р-а и входу резнст.орного делител  напр жени , катод тиристора соединен через дополнительный резистор с общей шиной и подключен к резистору {RC-цепи и выходу устройства, эмиттер транзистора типа Р-ПР-Р соединен через резистор с средней точкой , база соединена с выходом резисторного делител  напр жени , а коллектор соединен с базой второго транзистора типа п-р-а через резистор с общей шиной, дополнительный диод включен последовательно с резисторным делителем напр жени , причем его катод подключен к общей шине, а его анод соединен с эмиттером второго транзисто ра типй пчр-п. На чертеже представлена принципиальна  электрическа  схема ждущего мультивибратора . Ждуасий мультивибратор содержит включенный по схеме с общим коллектором зар дный транзистор 1, эмиттер которого соединен с анодом тринистора 2 и цеителем на резисторах 3,4, хронирующие резистор 5 и конденсатор 6 аналогом одноперекодного транзистора, состо щий из включенного по схеме с общей базой транзистора 7 и включенного по схеме с общим эмиттером транзистора 8, эмиттер которого подсоединен к отрицательному полюсу источника питани  через диод 9, анод которого, кроме того, подсоединен к резистору 4; коллектор транзистора В соединен с базой зар дного транзистора и через резистор 1О под- ключен к положительному полюсу источника питани , и кроме того, через диод 11 - к средней точке делител  на резисторах 3, 4. Мультивибратор работает следующим образом. В ждущем режиме транзистор 1 насыщен , поэтому на резистивном делителе падают почти все напр жени  источника питани . Транзистор 7 заперт обратным напр жением резистивного делител  транзистора 8 и закрыт падением напр жени  на диоде 9. Диод 11 смещен в обратном направлении, тринистор 2 закрыт. При подаче запускающего импульса тринисгор 2 открываетс , хронирующий конденсатор б зар жаетс  до порога срабатывани  аналога однопереходного транзистора , задаваемого делителем на резисторах 3, 4. Далее транзисторы 7 и В открываютс , а транзистор 1 закрываетс , разрыва  цепь питани  тринистора 2. Последний выключаетс , обеспечива  разр д конденсатора 6 через насыщенные транзисторы 7 и 8. Длительность генерируемого импульса определ етс  посто нной времени хронирующей RC-цепи (резистор 5, конденсатор 6) и может регулироватьс  в широком временном диапазоне. По истечении времени разр да конденсатора 6 транзисторы 7 и 8 лавинообразно закрываютс  вследствие уменьшени  их базовых ГОКОВ. Транзистор 1 открьюаетс  и мультивибратор возвращаетс  в ждущий режим. Врем  разр да конденсатора 6, т. а. врем  восстановлени  определ етс  временем выключени  тринистора и составл ет 10-70 мкс. Применение тринистора позвол ет иметь в ждущем

режиме транзисторы аналога однопереходного транзистора в режиме отсечки. Вследствие этого потребление энергии сведено до минимума и определ етс  током через высокоомный целитель на резисторах 3, 4 и обратным током коллектора транзистора 8, который во много раз меньше, чем в известном устройстве. Поэтому величина сопротивлени  резистора 10 может быть по меньшей мере на пор док больше, чем величина сопротивлени  резистора R в известном устройстве, что обеспечивает на пор док меньше потребление энергии в ждущем режиме. - Использование в ждущем мультивиб- раторе зар дного транзистора 1 включенного по схеме с общим коллектором, позвол ет исключить по сравнению с известным устройством конденсатор св зи из коллекторно- азовой цепи аналога однопереходного транзистора, что существенно повышает стабильность порога срабатывани  последнего при изменении температуры окружающей срецы.

В предлагаемом мультивибраторе на

процесс зар да хронирующего конденсатора вли ет не .обратный ток коллектора , а обратный ток эмиттера , который в несколько раз меньше I цспЭто также определ ет повышенную стабиль ность выходных импульсов по длительности при изменении температуры.

Таким образом, предлагаемое техническое решение действительно уменьшает потребление энергии мультивибратором в ждущем режиме и повышает стабильность длительности выходных импульсов при изменении температуры среды.

Claims (3)

1.Гольденберг Л. М. Теори  и расчет импульсных устройств на полупроводниковых приборах. М., Св зь, 1969,

с. 284.

2.Авторское свидетельство СССР M 531260, кл. Н 03 К 3/284.

3.

3. П. ВаженИна и др. Транзисторные генераторы импульсов миллисекунд- ного ДЕвпазона.М., Советское радио, 1974, с. 99, рис. 3.5 (прототип). -f